저전력 무선 연결 솔루션 분야의 글로벌 리더 노르딕 세미컨덕터가 수십억 대에 이르는 IoT 기기를 겨냥해 엣지 AI 구현을 대폭 간소화한 새로운 플랫폼 전략을 공개했다. 노르딕은 CES 2026에서 NPU를 통합한 nRF54L 시리즈 SoC와 ‘노르딕 엣지 AI 랩(Nordic Edge AI Lab)’을 선보이며, 초소형 배터리 기반 IoT 기기에서도 온디바이스 AI를 손쉽게 구현할 수 있는 환경을 제시했다. 핵심 제품은 액손(Axon) NPU를 통합한 nRF54LM20B SoC다. 해당 칩은 2MB 비휘발성 메모리와 512KB RAM, 128MHz Arm Cortex-M33 및 RISC-V 코프로세서를 결합해, 사운드 분류·키워드 스폿팅·이미지 기반 감지 등 엣지 AI 워크로드를 초저전력 환경에서 처리할 수 있도록 설계됐다. 경쟁 솔루션 대비 최대 7배 빠른 성능과 최대 8배 높은 에너지 효율을 제공해, 배터리 수명이 중요한 IoT 기기에 최적화됐다는 평가다. 노르딕은 하드웨어와 함께 초소형 AI 모델 생성을 지원하는 소프트웨어 생태계도 강화했다. 노르딕 엣지 AI 랩을 통해 개발자는 이상 감지, 활동·제스처 인식, 생체 신호 모니터링 등 다양한 용도의 맞
NXP 반도체는 미국 라스베이거스에서 열린 세계 최대 IT·가전 전시회 CES 2026에서 S32N7 초통합 프로세서 시리즈를 공개했다. S32N7 시리즈는 S32N55와 동일한 5nm 공정을 기반으로 하며 자동차 제조사가 구동계, 주행 제어, 차체, 게이트웨이, 안전 영역 등 차량의 모든 핵심 기능을 디지털화할 수 있도록 지원한다. 이를 통해 시스템 복잡성을 줄이고 AI 기반 혁신을 대규모로 구현할 수 있도록 설계됐다. S32N7 시리즈는 차량 핵심부에 소프트웨어와 데이터를 단일 중앙 집중형 허브로 통합하도록 설계됐으며, 높은 수준의 안전성과 보안성을 제공한다. 이 새로운 프로세서 시리즈를 통해 자동차 제조사는 차량 아키텍처를 대폭 단순화할 수 있다. 수십 개의 하드웨어 모듈을 제거하고 배선, 전자 장치, 소프트웨어 효율성을 향상시켜 총소유비용(total cost of ownership, TCO)을 최대 20%까지 절감할 수 있다. 또한 S32N7 시리즈는 지능을 중앙 집중화해 자동차 제조사가 차량 전체에 걸쳐 AI 혁신을 확장할 수 있는 기반을 제공한다. 이를 통해 소프트웨어 비즈니스 모델을 가속화하고 맞춤형 주행, 예지보전, 가상 센서와 같은 지능형 기
텔레다인 테크놀로지스의 자회사인 텔레다인 플리어 OEM이 CES에서 AV 및 ADAS용 자동차 등급 열화상 카메라 ‘투라’를 공개했다. 텔레다인 플리어 OEM은 ISO 26262 기능 안전(FuSa) 표준을 충족하도록 개발된 최초의 자동차 안전 무결성 등급 ASIL-B 레벨을 지원하는 장파장 적외선(LWIR) 열화상 카메라 투라를 출시했다고 밝혔다. 투라는 고성능과 낮은 공급 리스크, 비용 효율적인 열화상 솔루션을 필요로 하는 차량용 야간 식별 장치와 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS), 자율주행차량(AV)의 엄격한 인식 성능 요구 사항을 충족하도록 설계됐다. 자동차 등급의 투라는 보행자와 동물 등 도로상의 취약한 이용자를 탐지하고 분류하는 데 필수적인 업계 최고 수준의 감도를 제공하는 새로운 고성능 패시브 640 × 512 해상도의 원적외선(FIR) 센서를 탑재하고 있다. 또한 암흑에 가까운 어두운 환경이나 안개, 연기, 햇빛 또는 전조등으로 인한 눈부심 등과 같은 까다로운 조건에서도 기존 헤드라이트의 한계를 뛰어넘는 인식 성능을 제공한다. 폴 클레이턴 텔레다인 플리어 OEM 사장은 “안전성과 신뢰성은 자율주행 기술에서 결코 타협할 수 없는 핵심 요소이며,
글로벌 반도체 기업 텍사스 인스트루먼트(TI)가 자동차 전반의 자율성과 안전성을 높이기 위한 확장된 자동차 반도체 포트폴리오를 공개하며 자율주행 전환 가속에 나섰다. TI는 CES 2026에서 고성능 컴퓨팅 SoC, 4D 이미징 레이더, 차량용 이더넷 솔루션을 선보이며 감지·연산·통신을 아우르는 엔드투엔드 시스템 역량을 강조했다. 핵심은 확장형 고성능 컴퓨팅 SoC 제품군 TDA5다. TDA5는 독자적인 신경망 처리 장치(NPU)와 칩렛 대응 설계를 통해 10 TOPS부터 최대 1200 TOPS까지 확장 가능한 엣지 AI 성능을 제공한다. 전력 효율은 24 TOPS/W 이상으로, 실시간 의사결정과 센서 융합이 요구되는 차세대 차량 환경에서 효율과 성능을 동시에 충족한다. 최신 Arm Cortex-A720AE 코어와 결합해 안전·보안·컴퓨팅 기능의 통합도 강화했다. 특히 TDA5는 ADAS, 차량 내 인포테인먼트, 게이트웨이를 단일 칩으로 통합하는 크로스 도메인 융합을 구현해 시스템 복잡도와 비용을 낮춘다. 외부 부품 없이도 ASIL-D 기준을 충족하도록 설계돼 안전 인증 부담을 줄였고, 시놉시스와 협력한 Virtualizer 개발 키트를 통해 SDV 출시 기
화재 위험 낮은 바나듐 이온 배터리(VIB) 협력…단주기 ESS 포트폴리오 본격 확대 SK온과 SK이노베이션이 국내 바나듐 이온 배터리(VIB) 기반 에너지저장장치(ESS) 전문기업 스탠다드에너지와 손잡고 ESS 사업에 힘을 싣는다. ESS 사업 분야에서 리튬인산철(LFP) 배터리에 이어 화재 안전성이 높은 VIB까지 포트폴리오를 확대하며 배터리 안전성을 한층 강화한다는 전략이다. SK온과 SK이노베이션은 지난 5일 대전 대덕구 스탠다드에너지 본사에서 스탠다드에너지와 '이차전지 기술 개발 및 사업 협력을 위한 업무협약(MOU)'을 체결했다고 지난 6일 밝혔다. 협약식에는 이석희 SK온 사장, 박기수 SK온 미래기술원장, 김필석 SK이노베이션 환경과학기술원장, 김부기 스탠다드에너지 대표 등이 참석했다. 이번 협약은 '단주기 ESS'에 적합한 고안전성·고출력 성능의 ESS용 VIB의 성능 고도화를 위한 기술 협력이 핵심이다. ESS는 저장 기간에 따라 단주기와 장주기로 나뉘는데, 단주기 ESS는 통상 4시간 미만으로 에너지를 저장·방전한다. 데이터센터와 산업 설비에 주로 사용되며 짧은 시간에 반복적인 고출력 운전이 요구돼 안전성과 출력 성능이 중요하다. VIB는
SK하이닉스가 메모리 슈퍼사이클(초호황기)을 이끄는 고대역폭메모리(HBM) 시장에서의 리더십을 이어갈 것이라고 강조했다. 5일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면, 올해 메모리 반도체 시장 규모는 4400억 달러 이상으로 추산된다. 뱅크오브아메리카(BofA)는 2026년을 "1990년대 호황기와 유사한 슈퍼사이클"로 정의했다. 그러면서 글로벌 D램 매출은 전년 대비 51%, 낸드는 45% 급증할 것으로 내다봤다. D램 ASP(평균판매단가)는 33%, 낸드 ASP는 26% 상승할 전망이다. 인공지능(AI) 학습과 추론을 위한 서버 투자가 확대되면서 2026년 HBM 시장 규모는 전년(346억 달러) 대비 58% 증가한 546억 달러로 추산된다. SK하이닉스는 2026년 HBM 시장에서의 주력 제품이 HBM3E(5세대)가 될 것이라는 시장 분석을 토대로, HBM4(6세대)에서도 주도권을 이어갈 것이라고 강조했다. SK하이닉스는 "엔비디아의 신형 AI 가속기 '블랙웰 울트라' 시리즈를 비롯해 구글, AWS 등 글로벌 빅테크 기업들이 자체 주문형 반도체(ASIC) 기반 AI 칩 개발을 확대하며 HBM3E를 최적의 설루션으로 선택하고 있다"며 "주요 리서치와 증권사 분석에
배터리 용량을 늘리려고 전극 자체를 두껍게 만들면 출력이 떨어지는 문제가 생긴다. 이를 해결할 후막 전극이 새롭게 개발됐다. 주행 거리가 길어져도 오르막길을 오를 때 힘이 딸리지 않는 전기차 개발에 청신호가 켜졌다. UNIST 에너지화학공학과 정경민 교수팀은 배터리 후막 전극 내 다공성 구조를 최적화함으로써 출력을 기존 대비 75% 높인 대용량 전극을 개발했다고 5일 밝혔다. 전기차 시장의 화두는 단연 주행거리다. 배터리 전극 자체를 두껍게 쌓아 배터리 용량을 늘리는 ‘후막’ 전극 기술이 주목받는 이유다. 하지만 전극이 두꺼워지면 순간적으로 전기를 방출하는 출력 성능이 떨어지는 문제가 뒤따른다. 전극 두께만큼 리튬이온이 이동해야 할 거리가 늘어나고 통로가 복잡해져 방전 과정이 느려지기 때문이다. 연구팀이 개발한 전극은 면적당 용량이 10mAh/cm²에 달하는 고용량임에도 출력 성능이 뛰어나다. 특히 2C 고출력 환경에서 기존 전극은 면적당 용량이 0.98 mAh/cm²에 그친 반면, 연구팀이 개발한 전극은 1.71 mAh/cm²를 기록했다. 짧은 시간 안에 뽑아낼 수 있는 전기 에너지가 약 75% 늘어났다는 의미다. 연구팀은 전극 내 기공을 두 종류로 분류하
글로벌 반도체 소재 전문 기업 인스피라즈가 국내 최대 반도체 전시회인 세미콘 코리아 2026에 참가, AI 반도체 공정 수율을 끌어올릴 핵심 소재 솔루션을 대거 공개한다. 인스피라즈는 오는 2월 서울 코엑스 전관에서 열리는 전시회에서 독립 부스를 마련하고 차세대 반도체 패키징 공정의 주요 난제로 꼽히는 ‘고발열’과 ‘워피지(Warpage)’ 문제 해결 전략을 제시할 계획이다. 최근 AI 가속기와 고성능 반도체의 집적도가 높아지면서 열 관리와 기판 변형 문제는 수율과 직결되는 핵심 변수로 부상했다. 인스피라즈는 싱가포르 본사의 소재 기술력과 글로벌 공급 경험을 기반으로, 단일 소재를 넘어 공정 전반을 아우르는 ‘토탈 솔루션’ 전략을 전면에 내세운다. 이번 전시에서 인스피라즈는 4대 핵심 솔루션을 중심으로 기술 경쟁력을 선보인다. 먼저 고성능 열 인터페이스 소재(TIM)는 그래파이트, 그래핀, 인듐 등 첨단 소재를 적용해 고발열 칩의 열을 빠르게 외부로 전달하는 것이 특징이다. 특히 그래핀 기반 ‘GBT 시리즈’는 수직 열전도율을 크게 향상시켜 AI 가속기와 전장용 반도체 환경에서 효과적인 열 해법으로 주목받고 있다. 고발열 대응 솔루션인 하이브리드 콜드플레이트
미국 관세 등 악조건 속에서도 지난해 한국의 수출이 사상 처음 7000억 달러를 넘기며 역대 최대 실적을 기록했다. 세계적인 인공지능(AI) 열풍에 힘입어 반도체 수출이 1734억 달러로 역대 최대치를 경신하며 전체 수출 증가를 견인한 영향이 컸다. 산업통상부는 1일 이 같은 내용의 2025년 수출입 동향을 발표했다. 작년 12월 수출은 13.4% 증가해 역대 12월 중 최고치를 기록하면서 월간 수출이 11개월 연속 전년 대비 증가하는 '수출 플러스' 기조를 이어갔다. 지난해 수출액은 전년보다 3.8% 증가한 7097억 달러로 기존 역대 최대이던 2024년 기록을 다시 넘어섰다. 한국은 2018년 수출 6000억 달러 달성 이후 7년 만에 7000억 달러를 돌파하면서 세계에서 6번째로 7000억 달러 수출 고지에 올랐다. 일평균 수출도 4.6% 증가한 26억 4000억 달러로 역대 최대치를 기록했다. 15대 주력 품목 중 6개의 수출이 증가했고, 신규 유망 품목 수출도 증가했다. 최대 수출품인 반도체는 AI·데이터센터 투자 열풍에 DDR5·고대역폭 메모리(HBM) 등 고부가제품 수요 강세에 메모리 고정가격 상승 영향이 더해지며 22.2% 증가한 1734억 달
올해부터 휘발유차 등 내연기관 차를 폐차하거나 매각한 뒤 전기차를 사면 보조금이 최대 100만 원 더 주어진다. 전기차 주차·충전 중에 발생한 화재로 제3자가 피해를 봐 보상해야 할 때 기존 보험의 보장한도를 넘어서는 부분을 최대 100억원까지 보장하는 '무공해차 안심 보험'이 도입되며 하반기부터 이에 가입한 제조사 전기차에만 보조금이 지급된다. 기후에너지환경부는 이런 내용의 2026년도 전기차 구매 보조금 개편안을 1일 공개했다. 대형 전기승용차 국고 보조금 '인센티브' 빼고 최소 580만원 전기차 구매 보조금은 국고 보조금과 지방자치단체가 주는 지방 보조금으로 나뉜다. 이날 개편안은 올해 국고 보조금을 어떤 차에 얼마나 줄지에 관한 것이다. 전기승용차 기준 올해도 지난해와 마찬가지로 차 기본 가격이 5300만 원 미만이면 보조금이 100%, 5300만 원 이상 8500만 원 미만이면 50% 지원된다. 찻값이 8500만 원을 넘는 고가 차량은 보조금이 없다. 기후부는 내년엔 보조금을 전액 지급하는 찻값 기준을 '5000만 원 미만', 반액 지급하는 기준을 '5000만 원 이상 8000만 원 미만'으로 낮출 것이라고 예고했다. 전기차 보조금은 기본적으로 1회
반도체 장비 전문 기업 아이에스티이(ISTE)가 23억 원의 HBM 전용 FOUP 클리너 장비 공급 계약을 체결했다고 공시를 통해 밝혔다. 본 계약에 따라 아이에스티이는 내년 4월 7일까지 SK하이닉스에 해당 장비를 공급할 예정이다. FOUP 클리너는 반도체 웨이퍼 운반용 포드(FOUP)의 오염을 자동으로 세정, 건조하는 장비로, 반도체 제조 공정에서 품질과 수율 향상에 필수적인 역할을 한다. 앞서 회사는 지난해 11월에도 SK하이닉스로부터 28.3억 원 규모의 FOUP 클리너 장비를 공급한 바 있다. 당시 회사 측은 해당 수주가 HBM 경쟁력 강화를 위한 신규 및 증설 투자에 대응한 초도 물량이라고 밝히며, 향후 HBM 관련 장비의 추가 수주가 발생할 것이라고 전망했다. 또한 같은 달 아이에스티이는 앰코테크놀로지코리아로부터 15.7억 원 규모의 FOUP 복합 장비, 삼성전자로부터 FOUP 클리너 장비를 각각 수주해 올해 3월과 4월까지 납품할 예정이라고 밝히는 등, FOUP 클리너 장비를 중심으로 한 수주 성과를 지속적으로 공개해 왔다. 아이에스티이는 2013년 글로벌 최초로 바디(Body)와 커버(Cover)를 분리 세정하는 FOUP 클리너 장비를 개발해
삼성SDI 최주선 사장은 2일 국내외 임직원들에게 전한 2026년 신년 메시지를 통해 “더 이상 물러설 곳은 없다”며 “올해를 재도약의 원년으로 만들어야 한다”고 강조했다. 최 사장은 신년 메시지에서 “올 한 해는 다시 앞으로 나아가기 위한 중요한 출발점”이라며, 최근 임직원 간담회에서 제시한 새해 지향점으로 ▲선택과 집중(Select) ▲고객과 시장 대응의 속도(Speed) ▲생존을 위한 투혼(Survival) 등 이른바 ‘3S’ 전략을 거듭 주문했다. 특히 그는 “결국 정답은 기술이라는 본질로 돌아가는 것”이라며 “기술 경쟁력을 갖추기 위해 우리 모두가 한 방향으로 나아가야 한다”고 당부했다. 기술 중심의 경영 기조를 통해 중장기 성장 동력을 확보하겠다는 메시지다. 최 사장은 ‘비관적 낙관주의(Pessimistic Optimism)’라는 표현을 들어 경영 환경에 대한 인식을 설명했다. 그는 “우리가 맞닥뜨린 상황은 결코 간단하지 않지만, 현실의 위험과 한계를 직시하면서도 철저히 준비하고 기술 경쟁력을 갖춘다면 슈퍼사이클을 향해 한 방향으로 나아갈 수 있다”며 “머지않아 의미 있는 미래를 맞이할 수 있을 것”이라고 말했다. 이어 지난해 경영 환경과 성과에
지난해 반도체 관련 기술 인력이 전년보다 4.3% 증가해 11만 8000명을 넘어선 것으로 조사됐다. 산업통상부는 31일 이 같은 내용을 담은 '2025년 산업기술 인력 수급 실태 조사' 결과를 발표했다. 산업기술 인력은 고졸 이상 학력자로 사업체에서 연구개발직, 기술직, 생산·정보통신 업무 관련자, 임원 등으로 일하는 이들을 말한다. 2024년 말 우리나라의 산업기술 인력은 총 173만 5669명으로 전년보다 1.1% 증가한 것으로 집계됐다. 사업체 수요 대비 부족한 인원은 3만 9834명이었다. 부족률은 2.2%로 5년간 같은 수준을 유지했다. 반도체, 디스플레이, 바이오·헬스, 자동차, 조선, 철강, 화학, IT, 소프트웨어 등 12대 주력 산업의 산업기술 인력은 115만 6025명으로 전년 대비 1.2%(1만 3543명) 증가해 3년 연속 증가세가 이어졌다. 반도체 기술 인력이 11만 8721명으로 전년 대비 4.3% 증가한 가운데 바이오·헬스(4.0%↑), IT비즈니스(2.1%↑), 소프트웨어(1.0%↑) 등 분야는 5년 연속 인력 규모가 증가했다. 이와 함께 자동차(1.8%↑), 조선(1.2%↑), 기계(0.8%↑), 전자(0.7%↑), 철강(0.
전력반도체 전문 기업 파워큐브세미가 국내 대표 화합물 반도체 파운드리 기업 SK파워텍과 고성능 1200V 16mOhm 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 개발에 성공하고, 양산 가능한 수준의 수율을 확보했다고 밝혔다. 이번에 확보한 1200V 16mOhm 제품은 전기차(EV)의 메인 인버터와 초급속 충전기 등 고전력∙고효율이 요구되는 핵심 어플리케이션에 탑재되는 하이엔드 소자다. 특히 125A급 대전류를 구동하기 위해 대면적 칩 설계가 적용되었음에도 불구하고, 초도 개발 랏(Lot)에서 최대 80% 이상의 수율을 확보했다고 회사 측은 밝혔다. 이는 통상적인 대면적 SiC 소자의 초기 개발 수율을 훨씬 상회하는 수치로, 파워큐브세미의 설계 최적화 능력과 SK파워텍의 파운드리 공정이 글로벌 탑티어 수준에 도달했음을 증명한 것으로 평가된다. 회사 측은 2026년 내 수율 90% 이상 달성을 목표로 해, 시장 내 경쟁력을 한층 강화해 나갈 계획이라고 밝혔다. 파워큐브세미가 공개한 데이터에 따르면, 해당 제품은 단순한 동작 검증을 넘어 제품의 내구성을 가늠하는 항복 전압(Breakdown Voltage)이 정격인 1200V를 뛰어넘는 1500~1650V를 기록해 25
ST마이크로일렉트로닉스가 가전제품과 산업용 드라이브의 에너지 효율과 성능을 높이면서 비용 절감까지 가능하게 하는 최신 질화갈륨(GaN) 기반 모션 제어용 스마트 전력 부품을 공개했다. 현재 GaN 기술은 노트북 전원 어댑터와 USB-C 고속 충전기 분야에서 이미 높은 효율성과 전력 밀도를 입증하며, 강화되는 친환경 설계 기준을 충족하는 핵심 기술로 자리 잡고 있다. ST는 이러한 GaN 기술을 세탁기, 헤어드라이어, 전동 공구, 공장 자동화 설비 등 모터 구동이 필요한 가전·산업 제품 영역으로 확장했다. 이번에 공개된 ST의 신규 GaN IC는 모터 드라이브에 적용될 수 있도록 설계돼, 기존 실리콘 기반 솔루션 대비 높은 전력 효율과 컴팩트한 설계를 동시에 구현할 수 있도록 지원한다. 이를 통해 제품의 에너지 소비를 줄이는 동시에, 더 작은 제어 모듈과 경량 폼팩터 설계가 가능해진다. 도메니코 아리고 ST 애플리케이션별 제품 사업부 사업본부장은 “새로운 GaNSPIN 시스템인패키지(SiP) 플랫폼은 모션 제어 애플리케이션에서 와이드밴드갭 기술의 장점을 극대화하도록 설계됐다”며 “시스템 성능 최적화와 신뢰성을 동시에 확보해, 차세대 가전제품이 더 높은 회전 속
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