마우저 일렉트로닉스는 온세미(onsemi)와 협력해 전력 시스템 설계를 위한 실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC) 반도체의 이점을 조명한 새로운 전자책을 발간했다고 밝혔다. SiC 디바이스는 뛰어난 소재 특성으로 보다 효율적이고 콤팩트하며, 지속 가능한 전원 시스템을 지원할 수 있어 전력 전자장치 분야에 혁신을 일으키고 있다. ‘지속 가능한 미래를 지원하는 SiC 전력 전자장치(Enabling a Sustainable Future with Silicon Carbide Power Electronics)’ 전자책에서 온세미는 SiC의 이점과 전기자동차 및 재생에너지 애플리케이션, 그리고 올바른 SiC 파트너 선택의 중요성 등을 다루고 있다. 또한 이 전자책에는 NTBG014N120M3P 엘리트SiC(EliteSiC) 모스펫(MOSFET)과 같은 온세미의 전력 제품에 손쉽게 액세스할 수 있는 링크도 포함돼 있다. NTBG014N120M3P는 전력 애플리케이션에 최적화된 1200V의 M3P 플래너(Planer) SiC 모스펫이다. 플래너 기술은 음(-)의 게이트 전압으로 안정적인 동작이 가능하며, 게이트 스파이크를 턴오프할 수 있다. 이 디바이스는
경쟁력 갖춘 200mm 실리콘 카바이드 전력 반도체 팹으로 추진돼 전 세계적인 탈탄소화 노력으로 전력 반도체 수요가 증가함에 따라, 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 말레이시아 신규 공장의 첫 번째 단계를 오픈했다고 발표했다. 이 공장은 세계 최대 규모의 경쟁력 있는 200mm 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체 팹이 될 것으로 보인다. 이 팹의 첫 번째 단계에는 20억 유로가 투자됐으며, 실리콘 카바이드 전력 반도체 생산에 중점을 두고 질화 갈륨(GaN) 에피택시를 포함할 예정이다. 최대 50억 유로가 투자되는 2단계에서는 세계 최대 규모의 효율적인 200mm SiC 파워 팹을 건설할 예정이다. 요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 "SiC와 같은 혁신적인 기술 기반의 차세대 전력 반도체는 탈탄소화와 기후 보호를 위해 절대적으로 필요하다. 인피니언의 기술은 전기 자동차, 태양광 및 풍력 발전 시스템, AI 데이터 센터 등 유비쿼터스 애플리케이션의 에너지 효율을 높인다. 우리는 고객사와의 강력한 협력에 힘입어 말레이시아에서 최대 규모의 효율적인 첨단 SiC 생산 시설에 투자하고 있다"고 말했다. 인피니언은 총 50억 유로에 달하
온세미가 31일 2024년 2분기 실적을 발표하고 17억3520만 달러의 매출을 달성했다고 밝혔다. 일반회계기준(GAAP) 및 비일반회계기준(non-GAAP) 총이익은 각각 45.2%, 45.3%를 기록했다. 영업이익은 일반회계기준 및 비일반회계기준 각각 22.4%, 27.5% 기록했다. 일반회계기준 희석주당이익은 0.78달러, 비일반회계기준 희석주당이익은 0.96달러로 집계됐다. 온세미는 지난 12개월간 자사주 매입을 통해 6억5000만 달러의 잉여현금흐름을 반환했다. 하산 엘 코우리 온세미 CEO는 “온세미는 시장 점유율 확대를 통해 성장을 촉진하고 전략적 시장에 대한 투자를 두 배로 늘리면서 아날로그와 혼합 신호 솔루션으로 업계를 선도하는 제품 포트폴리오의 폭을 넓히는 데 전념하고 있다”고 설명했다. 그는 이어 “최근 폭스바겐 그룹과의 공급 계약처럼 우리는 유럽, 북미, 중국의 주요 글로벌 OEM과 함께 생산을 늘리면서 자동차 분야에서 실리콘 카바이드(SiC) 리더십을 강화하고 있다”고 말했다. 헬로티 이창현 기자 |
온세미가 최신 세대 실리콘 카바이드(SiC) 기술 플랫폼인 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC) M3e 모스펫(MOSFET) 도입을 22일 발표했다. 이와 함께 온세미는 2030년까지 여러 세대를 추가로 출시할 계획도 공개했다. 기후 위기가 심화되고 전 세계 에너지 수요가 급증함에 따라 정부와 산업계는 환경 영향을 줄이고 지속 가능한 미래를 보장하기 위한 기후 목표를 설정하고 있다. 이러한 노력의 핵심은 탄소 배출을 줄이고 재생 가능 에너지 자원을 수용하기 위한 전기화(Electrification)로의 전환이다. 사이먼 키튼 온세미 파워 솔루션 그룹 사장은 “전기화의 미래는 첨단 전력 반도체에 달려 있다”며 “오늘날의 인프라는 전력 부문에서의 획기적인 혁신 없이는 더 많이 지능화되고 전기화된 모빌리티에 대한 전 세계의 수요를 따라갈 수 없다. 이는 전 세계의 전기화를 달성하고 기후 변화를 막기 위한 중요한 요소”라고 강조했다. 이어 “온세미는 2030년까지 SiC 기술 로드맵에서 전력 밀도를 크게 높이는 계획을 가지고 혁신의 속도를 높이고 있다”며 “이는 증가하는 에너지 수요를 충족시키고 세계적인 전기화 전환을 가능하게 할 것”이라고 말했다. Eli
전기차를 비롯한 자동차의 다양한 차내 응용 분야에 적합해 넥스페리아가 오늘 650V, 10A 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드의 자동차 인증(PSC1065H-Q) 획득을 발표했다. 2핀(R2P) DPAK(TO-252-2) 패키징으로 제공되는 이 소자는 전기차를 비롯한 자동차의 다양한 차내 응용 분야에 적합하다. 넥스페리아는 SiC 다이오드 포트폴리오를 추가로 확장해 TO-220-2, TO-247-2 및 D2PAK-2 패키징에서 정격 전류가 6A, 16A 및 20A인 산업용 등급 소자도 제공함으로써 설계 유연성을 높여주고 있다. 이 다이오드 제품들은 스위치 모드 전원 공급 장치, AC-DC 및 DC-DC 컨버터, 배터리 충전 인프라, 모터 드라이브, 무정전 전원 공급 장치 및 지속 가능한 에너지 생산용 태양광 인버터 등의 까다로운 고전압 및 고전류 응용 제품이 갖는 문제를 해결한다. 이 소자의 병합된 PiN 쇼트키(MPS) 구조는 서지 전류에 대한 뛰어난 견고성으로 유사한 경쟁 SiC 다이오드에 비해 추가적인 이점을 제공한다. 이에 추가 보호 회로망이 필요하지 않으므로 시스템 복잡성이 크게 줄어, 하드웨어 설계자는 견고한 고전력 응용 제품에서 더 작은
부산 기장군에 차세대 전력반도체를 생산할 수 있는 생태계가 구축된다. 3일 부산시에 따르면 산업통상자원부는 부산 기장군 동남권방사선의과학 산업단지에 있는 전력반도체 특화단지에 국비 415억 원을 투입해 파워반도체상용화센터의 기능을 확대하는 등 차세대 전력반도체 소재·부품·장비(소부장)의 국내 공급망을 강화한다. 산업부는 오는 2027년까지 총 400억 원을 들여 실리콘 카바이드(SiC·탄화규소)와 산화갈륨(Ga2O3) 등 차세대 핵심 소재를 활용한 8인치 화합물 전력반도체 생산을 위한 테스트베드를 구축한다. 현재 기장군에 있는 파워반도체상용화센터에는 6인치 기반의 화합물 전력반도체 생산시설이 있다. 부산시는 이곳에 국비 200억 원과 시비 200억 원을 들여 8인치 기반 화합물 전력반도체 생산장비와 클린룸을 추가로 설치한다. 전력반도체 생산 기반을 6인치 웨이퍼에서 8인치로 확장하면, 반도체 생산성이 30% 향상되고 단가도 떨어진다. 전력반도체 연구개발(R&D)에도 국비 200억 원을 투입해 현재 수입에 의존하는 원재료와 부품, 패키지, 모듈테스트 등을 국산화한다는 계획이다. 부산시는 2019년부터 시작된 10개 전력반도체 인력양성 사업으로 연간 54
인피니언 테크놀로지스는 TO-247PLUS-4-HCC 패키지를 적용한 새로운 CoolSiC MOSFET 2000V 제품군을 출시한다고 25일 밝혔다. 신제품은 높은 전압과 높은 스위칭 주파수로 동작하는 까다로운 조건에서도 시스템 신뢰성을 저하시키지 않으면서 전력 밀도를 높이려는 디자이너들의 요구를 충족한다. CoolSiC MOSFET은 더 높은 DC 링크 전압을 제공하므로 전류를 높이지 않고도 전력을 높일 수 있다. 신제품은 2000V 항복 전압(breakdown voltage)을 제공하는 디스크리트 SiC(실리콘 카바이드) 디바이스로, 연면거리 14mm, 공간거리 5.4mm의 TO-247PLUS-4-HCC 패키지로 제공된다. 이들 디바이스는 스위칭 손실이 낮아 태양광(스트링 인버터 등), 에너지 저장 시스템 및 전기차 충전 애플리케이션에 이상적이다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 1500VDC에 이르는 높은 DC 링크 시스템에 이상적이다. 1700V SiC MOSFET과 비교해서 이들 제품은 1500VDC 시스템에도 충분히 높은 과전압 마진을 제공한다. 이들 CoolSiC MOSFET은 4.5V의 게이트 임계 전압으로 업계에 새로운 기준을
비테스코 테크놀로지스(Vitesco Technologies)가 21일 2023년 실적을 발표했다. 비테스코 테크놀로지스 CEO 안드레아스 볼프 회장은 “2023년은 도전적이지만 성공적인 한 해였다”며 “비테스코 테크놀로지스는 추가 수익 달성, 주요 제품 수주 등 전동화 시장에서 입지를 공고히 했다”고 말했다. 비테스코 테크놀로지스는 2023년 어려운 시장 조건에도 불구하고 총매출을 2022년 90억7000만 유로(13조1600억 원)에서 92억3000만 유로(13조4000억 원)로 끌어올렸다. 조정영업이익률은 2022년 2.5%에서 3.7%로 증가했다. 이는 예상 범위였던 2.9%~3.4%를 큰 폭으로 상회하는 수치다. 이에 조정영업이익 또한 2022년 2억2550만 유로(3300억 원)에서 2023년 3억4110만 유로(5000억 원)로 상승했다. 2023년도 현금흐름은 8490만 유로(약1200억 원)였다. 지속된 투자 및 콘티넨탈(Continental)과의 위탁생산계약으로 인한 부담에도 불구하고, 수익성 개선을 통해 자체 예측치인 약 5000만 유로(700억원) 및 시장 전망치인 7100만 유로(1000억원)를 넘어섰다. 설비투자비용은 유형 자산, 설비
MOSFET 주요 성능 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성 유지해 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 밝혔다. 새로운 인피니언 CoolSiC MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로다. 따라서 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다. CoolSiC MOSFET 2세대 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 높은 효율을 달성한다. 따라서 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10%까지 낮출 수 있어, 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높인다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘린다. 신재생 에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와
이번 장기 계약 체결로 인피니언 공급망 안정성 개선될 것으로 보여 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)와 울프스피드는 지난 2018년 2월에 체결된 장기 150mm 실리콘 카바이드 웨이퍼 공급 계약을 확장 및 연장한다고 발표했다. 실리콘 카바이드 기반 전력 솔루션의 채택은 다양한 시장에서 빠르게 증가하는 추세다. SiC 솔루션은 더 작고 가볍고 비용 효율적인 설계를 가능하게 하고, 에너지를 효율적으로 변환해 새로운 청정에너지 애플리케이션을 구현한다. 양사의 확장된 파트너십에는 다년간의 용량 계약이 포함된다. 이는 자동차, 태양광, EV 애플리케이션과 에너지 저장 시스템을 위한 실리콘 카바이드(SiC) 반도체 수요 증가와 관련해 인피니언의 공급망 안정성에 기여할 것으로 보인다. 요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “실리콘 카바이드 디바이스에 대한 수요가 계속 증가하면서, 인피니언은 150mm 및 200mm SiC 웨이퍼의 안정적인 글로벌 장기 공급 기반을 확보하기 위해 멀티-소스 전략을 따르고 있다"고 밝혔다. 이어 그는 "울프스피드와의 장기 파트너십으로 인피니언은 공급망 탄력성을 강화하게 됐다. 인피니언은 자동차, 산업 및 에너지 시
전기차 충전, UPS, ESS용 인버터 등 고성능 SiC MOSFET 수요 충족할 것으로 보여 넥스페리아가 오늘 RDS(on) 값이 40mΩ 및 80mΩ인 3핀 TO-247 패키지의 1200V 개별 소자 2종 출시로 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시장에 진출했다고 발표했다. 이번에 선보인 NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 넥스페리아가 향후 출시할 SiC MOSFET 제품들 스루홀 및 표면 실장 패키지에 다양한 RDS(on) 값을 가진 포트폴리오의 첫 제품이다. 이 제품들은 전기 자동차(EV) 충전 파일, 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS)용 인버터를 포함한 산업 응용 분야에서 필요로 하는 고성능 SiC MOSFET의 수요를 충족시켜준다. 넥스페리아의 카트린 퓨를(Katrin Feurle) 수석 이사 겸 SiC 제품 그룹 책임자는 "당사는 더 많은 와이드 밴드갭 장치 공급업체를 요구해온 이 시장에서 미쓰비시 전기의 혁신적인 기술을 접목했다. 넥스페리아는 높은 RDS(on) 온도 안정성, 낮은 바디 다이오드 전압 강하, 엄격한 임계 전압 사양, 균형 잡힌 게이트 전하비 등 여러 매개변수에서 동급
보그워너가 북미 주요 OEM 업체의 프리미엄 승용차 배터리 전기차(BEV) 플랫폼에 적용될 양방향 800볼트(V) 온보드 차저(OBC)를 공급하는 계약을 체결했다고 15일 밝혔다. 보그워너의 기술은 실리콘 카바이드(SiC) 전력 스위치를 사용해 효율성을 개선하고 최적화된 전력 밀도 및 전력 변환을 제공하며 안전 규정을 준수한다. OBC의 생산은 2027년 1월에 시작될 것으로 예상된다. 보그워너 부회장 겸 파워드라이브 시스템 사장 겸 총괄 책임자인 스테판 데멀레는 "이번 계약은 해당 OEM 업체와 체결한 첫 OBC계약이자 북미에서 체결한 첫 OBC계약으로, 보그워너 팀에게 큰 성과"라고 전했다. 이어 "보그워너는 세계적 수준의 파워 일렉트로닉 전문성과 800V 및 실리콘 카바이드 기술에 대한 시장 선도적 지위를 통해 충전 기능을 극대화하고 전력 밀도를 확장하며 효율성을 향상시키는 동시에 다양한 지역의 전력 그리드 구성을 지원하는 솔루션을 제공하고 있다"고 말했다. 보그워너의 OBC 기술은 전기차에 탑재돼 전력망의 교류(Alternating Current, AC)를 직류(Direct Current, DC)로 변환, 배터리를 충전한다. OBC는 19.2킬로와트(
SiC 와이드 밴드갭 반도체 효율 개선으로 고효율 전력 반도체 수요 대응 넥스페리아가 14일 미쓰비시 전기와 전략적 파트너십을 체결해 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET을 공동 개발한다고 발표했다. 반도체 분야에서 각각의 전문성을 가진 양사는 이번 협력으로 실리콘 카바이드 와이드 밴드갭 반도체의 에너지 효율성과 성능을 한 단계 끌어올리게 된다. 양사는 이를 통해 고효율 전력 반도체의 급증하는 수요에 대응할 것으로 보인다. 미쓰비시 전기의 전력 반도체 제품군은 고객사가 자동차, 가전 제품, 산업용 장비 및 트랙션 모터 등 다양한 부문에서 에너지를 상당히 절감하도록 해준다. 고신뢰도, 고성능 실리콘 카바이드 모듈 업계에서 기술력을 인정받은 미쓰비시 전기의 제품들은 대표적으로 일본의 신칸센 고속 열차에 채용되고 있다. 넥스페리아는 부품 개발, 생산 및 적격성 평가 분야에서 수십 년의 경험을 보유한 회사다. 넥스페리아는 고효율 및 신뢰성 전력 반도체의 급증하는 수요를 충족하도록 설계된 고품질 와이드 밴드갭 소자를 제공하고 있다. 유럽에 본거지를 두고 자동차 및 산업에서 모바일 및 소비 가전에 이르기까지 다양한 영역의 글로벌 고객사를 확보한 넥스페리아는 특히 개별
온세미가 올해 3분기 자동차 부문에서 전년 동기 대비 33% 증가한 12억 달러 매출을 달성했다. 온세미는 2023년 3분기 매출이 21억 8080만 달러를 달성했다고 밝혔다. 일반회계기준(GAAP) 및 비일반회계기준(non-CAAP) 총이익은 47.3%, 영업이익이 일반회계기준 및 비일반회계기준으로 각각 31.5%와 32.6%를 기록했다. 일반회계기준 희석주당이익은 1.29 달러, 비일반회계기준 희석주당이익은 1.39 달러를 기록했다. 산업 부문에서 약 6억 1600만 달러 매출 달성한 것으로 나타났다. 전년 동기 대비 소폭 증가한 수치다. 하산 엘 코우리(Hassane El-Khoury) 온세미 CEO는 “시장 침체 속에서도 온세미의 회복력을 입증했다”며, “온세미는 구조적 개선과 효율성을 지속적으로 추진하고 있으며, 특히 한국에서 150mm와 200mm 웨이퍼를 위한 세계 최대 규모의 최첨단 실리콘 카바이드(SiC) 팹 증설 등 SiC 사업에서 큰 성과를 거뒀다"고 말했다. 헬로티 이동재 기자 |
150mm 웨이퍼 시작으로 2025년 200mm SiC 공정 인증 후 200mm 전환 예정 온세미가 24일인 오늘 경기도 부천시에 대규모의 최첨단 실리콘 카바이드(SiC) 제조 시설인 'S5'를 완공했다고 발표했다. 해당 시설은 풀가동 시 연간 100만 이상의 200mm SiC 웨이퍼를 제조할 것으로 예상된다. 온세미는 SiC 제조 능력 향상을 위해 향후 3년간 최대 1000여명의 국내 직원을 채용해 고도의 기술직에 대부분 충원할 계획이다. 이는 현재 약 2300명의 인력보다 40% 이상 증가한 수치다. SiC 디바이스는 전기차(EV), 에너지 인프라, 고전력 전기차 충전기의 전력 변환에 필수 부품이다. 이에 대한 수요가 급격히 증가하면서 SiC 칩에 대한 수요가 급증하며, 당분간 수요가 공급을 넘을 것으로 예상된다. 온세미는 부천 팹 증설을 통해 추가 생산 능력에 대한 시급한 수요를 해결해 고객에게 지속적인 공급을 보장하고 지능형 전력 솔루션 분야의 리더십을 강화한다. S5는 2022년 7월 중반에 시작해 지난 9월에 완공됐다. 이 기간동안 새로운 첨단 150mm·200mm SiC 팹 라인의 건설과 동시에 첨단 유틸리티 건물, 인접 주차 건물 건설까지 완료
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UPDATE: 2024년 09월 30일 03시 21분
