전기차 충전, UPS, ESS용 인버터 등 고성능 SiC MOSFET 수요 충족할 것으로 보여
넥스페리아가 오늘 RDS(on) 값이 40mΩ 및 80mΩ인 3핀 TO-247 패키지의 1200V 개별 소자 2종 출시로 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시장에 진출했다고 발표했다.
이번에 선보인 NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 넥스페리아가 향후 출시할 SiC MOSFET 제품들 스루홀 및 표면 실장 패키지에 다양한 RDS(on) 값을 가진 포트폴리오의 첫 제품이다. 이 제품들은 전기 자동차(EV) 충전 파일, 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS)용 인버터를 포함한 산업 응용 분야에서 필요로 하는 고성능 SiC MOSFET의 수요를 충족시켜준다.
넥스페리아의 카트린 퓨를(Katrin Feurle) 수석 이사 겸 SiC 제품 그룹 책임자는 "당사는 더 많은 와이드 밴드갭 장치 공급업체를 요구해온 이 시장에서 미쓰비시 전기의 혁신적인 기술을 접목했다. 넥스페리아는 높은 RDS(on) 온도 안정성, 낮은 바디 다이오드 전압 강하, 엄격한 임계 전압 사양, 균형 잡힌 게이트 전하비 등 여러 매개변수에서 동급 최고의 성능을 제공하는 SiC MOSFET 소자를 제공하게 됐다. 미쓰비시 전기와의 파트너십으로 고품질의 SiC MOSFET가 생산을 시작했으며 이를 계기로 향후 몇 년간 SiC 소자 기술을 향상시킬 것이다”고 언급했다.
미쓰비시 전기의 토루 이와가미(Toru Iwagami) 전력 장치 부문, 반도체 및 소자 사업부 수석 총괄 관리자는 "넥스페리아와 함께 한 파트너십의 첫 번째 제품으로 이 SiC MOSFET을 출시하게 돼 기쁘다”며 "당사는 그동안 축적해온 SiC 전력 반도체의 우수한 전문 지식으로 고유한 특성를 가진 제품을 제공하고 있다"고 설명했다.
RDS(on)는 전도 전력 손실에 영향을 미치기에 SiC MOSFET의 중요한 성능 파라미터다. RDS(on) 가 현재 사용되는 많은 SiC 소자들의 성능을 제한하는 요소임을 확인한 넥스페리아는 혁신적인 공정 기술을 채용해 새로운 SiC MOSFET이 25°C에서 175°C의 작동 온도 범위로 이 공칭 값을 38%만 올리면서도 업계에서 사용되는 다른 동종 소자와는 달리 최고의 온도 안정성을 제공하도록 했다.
넥스페리아의 SiC MOSFET제품들은 총 게이트 전하(QG)가 매우 낮아 게이트 구동 손실을 줄여준다는 장점을 가진다. 이 제품들은 QGD와 QGS의 비율이 낮도록 게이트 전하의 균형을 유지함으로써 기생 턴온에 대한 소자 내성을 증가시져준다.
정비례 온도 계수를 가진 넥스페리아의 SiC MOSFET제품들은 소자 간 임계 전압인 VGS(th)의 초저 확산을 제공함으로써 이 소자들이 병렬로 작동할 때 정적 및 동적 조건에서 매우 균형 잡힌 전류를 전달한다. 또한 낮은 바디 다이오드 순방향 전압(VSD) 파라미터는 소자의 견고성과 효율성을 높이는 동시에 비동기 정류 및 프리 휠 작동에 대한 데드 타임 요구 사항을 완화시켜준다.
넥스페리아는 자동차용 MOSFET도 향후에 출시할 계획이다. NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 현재 대량 생산용으로 공급되고 있다.
헬로티 서재창 기자 |
