ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 4세대 STPOWER SiC(Silicon Carbide) MOSFET 기술을 공개했다.
이 최첨단 기술은 자동차 및 산업 시장의 요구를 모두 충족하는 동시에 특히 전기차 파워트레인의 핵심 구성요소인 트랙션 인버터에 최적화돼 있다. 또한 ST는 혁신을 위한 노력의 일환으로 2027년까지 한층 발전된 SiC 혁신 기술을 발표할 계획이라고 전했다.
마르코 카시스 ST 아날로그, 전력 및 디스크리트, MEMS, 센서 그룹 사장은 “ST는 최첨단 실리콘 카바이드 기술을 통해 미래의 전기 모빌리티와 산업 효율성을 선도하는 데 주력하고 있다”며 “또한 ST는 디바이스와 첨단 패키지, 전력 모듈을 혁신하면서 SiC MOSFET 기술을 지속적으로 발전시키고 있다”고 강조했다.
그는 이어 “수직 통합 제조 전략과 더불어 업계를 선도하는 SiC 기술 성능과 탄력적인 공급망을 제공하면서 증가하는 고객 수요에 대응하고 보다 지속 가능한 미래에 기여하고 있다”고 덧붙였다.
ST는 실리콘 디바이스 대비 SiC의 탁월한 전력 밀도와 높은 효율성을 활용할 수 있도록 혁신을 한층 더 추진하고 있다. 최신 세대 SiC 디바이스는 크기 및 에너지 절감 잠재력을 더욱 발전시켜 미래의 전기차 트랙션 인버터 플랫폼에 이점을 제공하도록 설계됐다.
전기차 시장은 계속 성장하고 있지만 보다 광범위한 채택이 이뤄지기 위한 해결 과제가 여전히 남아 있으며, 차량 제조사들은 더 경제적인 전기차를 제공하는 데 주력하고 있다. 전기차의 SiC 기반 800V 버스 구동 시스템은 더 빠른 충전과 전기차 중량 감소를 실현하면서 차량 제조사들이 더 긴 주행거리를 지원하는 프리미엄 모델 차량을 생산하게 해준다.
750V 및 1200V 등급으로 제공될 ST의 새로운 SiC MOSFET 디바이스는 400V 및 800V 버스 트랙션 인버터의 에너지 효율성과 성능을 개선해 SiC의 장점을 중소형 전기차 모델에도 제공한다. 차세대 SiC 기술은 태양광 인버터, 에너지 저장 솔루션, 데이터센터 등 다양한 고전력 산업 애플리케이션에도 적합하다.
ST는 4세대 SiC 기술 플랫폼 기반의 750V 등급에 대한 품질 인증을 완료했으며, 1200V 등급은 2025년 1분기에 품질 인증을 완료할 예정이다. 750V 및 1200V 정격 전압의 디바이스가 상용화되면 설계자들은 표준 AC 라인 전압에서 고전압 전기차 배터리 및 충전기까지 동작하는 애플리케이션을 처리할 수 있다.
헬로티 이창현 기자 |
