매그나칩 반도체가 전력 반도체 사업에 집중하는 전략적 변화를 선언했다. 회사는 매출 성장을 촉진하고, 수익성을 개선하며, 주주 가치를 극대화하기 위해 디스플레이 사업을 정리하고 순수 전력 반도체 기업으로 전환할 계획이라고 발표했다. 매그나칩은 디스플레이 사업의 매각, 합병, 라이선싱 등 다양한 전략적 옵션을 검토 중이며, 오는 5월 발표하는 1분기 실적에서 디스플레이 사업을 중단 사업으로 분류할 예정이다. 김영준 매그나칩 대표이사는 "전력 반도체 사업에 집중해 2025년 4분기까지 손익분기점(EBITDA 기준)을 달성하고, 2026년에는 조정 영업이익을 기록하며, 2027년에는 잉여현금흐름(FCF)을 창출하는 것이 목표"라고 밝혔다. 또한, 3년 내 30%의 매출 총이익률과 3억 달러 매출을 달성하는 '3-3-3 전략'을 추진해 전력 반도체 시장에서 확고한 입지를 다질 계획이다. 매그나칩은 전력 반도체가 스마트폰 중심의 디스플레이 사업보다 안정적인 시장 환경을 제공한다고 판단했다. 전력 반도체는 다양한 산업에 적용될 수 있으며, 제품 수명 주기가 길고 변동성이 적어 예측 가능한 성장이 가능하다. 회사의 파워 디스크리트 및 파워 IC 사업은 2024년 1억85
로옴(ROHM)은 기업용 고성능 서버 및 AI 서버의 전원용으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항과 높은 SOA 내량을 실현한 Nch 파워 모스펫(MOSFET)을 개발했다고 26일 밝혔다. 신제품은 기업용 고성능 서버에 사용되는 12V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측 및 핫스왑 컨트롤러 (HSC) 회로에 최적인 ‘RS7E200BG(30V)’와 AI 서버에 사용되는 48V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측에 최적인 ‘RS7N200BH (80V)’, ‘RS7N160BH (80V)’의 총 3개 기종이다. 로옴은 DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm) 패키지를 새롭게 개발해 기존의 HSOP8(5.0mm×6.0mm) 패키지 대비, 패키지 내부의 칩 면적이 약 65％ 향상됐다. 이에 따라 5.0mm×6.0mm 패키지 사이즈로 ON 저항 특성을 30V 제품인 RS7E200BG는 0.53mΩ (Typ.), 80V 제품인 RS7N200BH는 1.7mΩ (Typ.)으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현해 서버 전원 회로의 고효율화에 크게 기여한다. 또한 패키지 내부의 클립 디자인 형상을 개선해 방열성을 향상시킴으로써 어플리케이션의 신뢰성 확보에
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 기능 안전 애플리케이션을 비롯해 다양한 자동차 적용 사례를 지원하는 ‘VNH9030AQ’ 통합 풀 브리지(Full-Bridge) DC 모터 드라이버를 출시했다. 이 드라이버는 통합 고급 진단은 물론, 실시간 출력 상태를 지원하는 전용 핀을 갖춰 외부 회로를 줄이고 부품원가(BOM: Bill of Materials)를 절감해준다. VNH9030AQ는 각 하프 브리지 레그 당 30mΩ의 RDS(on)로 도어 제어 모듈, 워셔 펌프, 전동 리프트 게이트, 전동 트렁크, 시트 조절기와 같은 중저전력 DC 모터 구동 애플리케이션을 효율적으로 처리한다고 ST는 설명했다. 이 드라이버는 전반적으로 높은 효율성을 제공하면서 비소산(Non-Dissipative) 통합 전류 감지 회로를 통해 디바이스에 흐르는 전류를 모니터링해 각 모터의 위상을 식별하고 외부 부품 수를 줄여준다. 전체 동작 온도 범위에 걸쳐 대기전력 소모가 매우 낮기 때문에 존 컨트롤러(Zonal Controller) 플랫폼에 용이하게 활용할 수 있다. VNH9030AQ는 게이트 드라이버, 진단 기능, 과전압 과도, 저전압, 단락 상태, 교차 전도에 대한 보호 기능을 갖춘
넥스페리아(Nexperia)가 구리 클립 ‘CCPAK1212 패키지’의 새로운 80V·100V 전력 모스펫(MOSFET)제품군 16종을 출시한다고 10일 밝혔다. 넥스페리아의 구리 클립 설계는 높은 전류 전도, 감소된 기생 인덕턴스 및 우수한 열 성능을 제공한다. 이러한 특징으로 인해 소자들은 모터 제어, 전원 공급 장치, 재생 에너지 시스템을 비롯해 전력 소모가 많은 응용 제품에 이상적이다. 이 제품군에는 AI 서버 핫스왑 기능을 위해 설계된 주문형 모스펫(ASFET)도 포함된다. 벤치마크 PSMN1R0-100ASF는 460A를 전도하고 1.55KW의 전력을 방출할 수 있는 0.99mΩ 100V 전력 모스펫이지만 기판 공간이 12mm x 12mm에 불과한 CCPAK1212 패키지 실장 면적을 자랑한다. PSMN1R0-100CSF는 상부 냉각 버전에서 유사한 수치들을 제공한다. CCPAK1212의 ‘CC’는 구리 클립의 약자인데 이는 전력 모스펫 실리콘 다이가 두 개의 구리 조각 즉 한쪽에는 드레인 탭, 다른 쪽에는 소스 클립이 끼워져 있음을 의미한다. 이렇게 와이어 본드를 완전히 제거해 최적화된 어셈블리는 낮은 온 저항, 감소된 기생 인덕턴스, 높은 최대
마우저 일렉트로닉스는 도시바(Toshiba) 포트폴리오의 최신 부품을 제공함으로써 구매자와 엔지니어들의 제품 출시를 지원한다고 12일 밝혔다. 도시바의 전자부품 및 솔루션을 공급하는 글로벌 공인 유통기업인 마우저는 즉시 선적 가능한 3000종 이상의 재고를 포함해 7000종 이상의 도시바 제품을 보유하고 있다. 마우저에서 구매할 수 있는 도시바의 TCKE9 시리즈 23V, 4A e퓨즈(eFuse) IC는 외부 과전류 및 과전압으로부터 전원 공급 라인을 보호하는 전자 퓨즈다. TCKE9 시리즈 제품은 슬루율 제어, UVLO 및 FLAG 출력 외에도 조정 가능한 전류 제한 및 고정 전압 클램프 기능을 갖추고 있다. 도시바의 UMOS9-H 실리콘 N-채널 MOSFET은 고효율 DC-DC 컨버터와 스위칭 전압 레귤레이터 및 모터 드라이버에 적합한 솔루션이다. 차세대 U-MOS9-H 트렌치 공정을 기반으로 하는 이 MOSFET은 모든 부하에서 우수한 효율을 제공한다. 이 디바이스들은 80V의 드레인-소스 전압과 ±20V의 게이트-소스 전압 및 175°C의 채널 온도를 지원한다. UMOS9-H MOSFET은 기지국, 서버 또는 산업용 장비에 사용되는 스위칭 모드 전원공
연구 통해 NextPower 80/100V MOSFET에서 생성되는 스파이크 수준 크게 줄여 넥스페리아가 오늘 NextPower 80V 및 100V MOSFET 포트폴리오를 업계 표준 5mm x 6mm 및 8mm x 8mm 실장 면적의 새로운 소형 폼팩터 패키지인 'LFPAK'로 늘리고 있다고 발표했다. 이 새로운 NextPower 80/100V MOSFET은 낮은 RDS(on)및 낮은 Qrr에 최적화해 서버, 전원 공급 장치, 고속 충전기, USB-PD를 비롯해 통신, 모터 제어, 기타 다양한 산업용 장비에서 높은 효율과 낮은 스파이크를 제공한다. 이에 설계자는 1.8mΩ에서 15mΩ에 이르는 RDS(on) 값의 80V 및 100V 소자를 필요에 따라 선택하게 됐다. 여러 MOSFET 제조업체들은 타사 제품들과 비교해 소자의 스위칭 성능을 벤치마킹할 때 낮은 QG(tot) 및 낮은 QGD를 통해 높은 효율성을 달성하는 데 중점을 둔다. 그러나 넥스페리아는 광범위한 연구를 통해 스파이킹에 미치는 영향과 소자 전환 중에 생성되는 전자기 간섭(EMI)의 양으로 인해 Qrr이 훨씬 더 중요하다는 것을 확인했다. 넥스페리아는 이 매개변수에 집중함으로써 NextPow
넥스페리아(Nexperia)는 30mΩ, 40mΩ, 60mΩ 및 80mΩ RDSon 값으로 제공되는 D2PAK-7 표면 실장형 (SMD) 패키징의 1200V 실리콘 카바이드(SiC) 모스펫(MOSFET)을 출시했다고 22일 밝혔다. 이 소자는 넥스페리아가 2023년 말에 3핀, 4핀 TO-247 패키지로 출시한 2개의 개별 SiC 모스펫에 이은 후속 제품이다. 이 모스펫은 유연한 패키지 옵션에 17, 30, 40, 60 및 80mΩ의 RDSon 값을 가진 소자들을 포함하도록 계속 출시할 SiC 모스펫 포트폴리오의 최신 제품이기도 하다. 이 제품은 또한 전기 자동차(EV) 충전(충전 파일, 오프보드 충전), 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS)용 인버터 등 다양한 산업 응용 분야에서 점점 더 인기를 얻고 있는 D2PAK-7 같은 SMD 패키지의 고성능 SiC 스위치에 대한 수요를 해결해준다. 이 제품의 개발 배경에는 넥스페리아와 미쯔비시 전기의 전략적 파트너십이 있다. 양사는 이 소자의 출시로 SiC 와이드 밴드갭 반도체의 에너지 효율성과 전기적 성능을 한 단계 끌어올리는 동시에 계속 증가하는 시장 수요에 대응해 이 기술의
인피니언 테크놀로지스는 OptiMOS 모스펫(MOSFET) 기술이 적용된 SSO10T TSC 패키지 제품을 출시한다고 4일 밝혔다. 이 패키지는 상단면 직접 냉각 컨셉으로 뛰어난 열 성능을 제공한다. 따라서 자동차 전자 제어 유닛의 PCB로 또는 PCB를 통한 열 전달을 하지 않는다. 이 패키지는 간단하고 컴팩트한 양면 PCB 디자인을 가능하게 하고, 미래의 자동차 전력 디자인의 냉각 요구와 시스템 비용을 최소화한다. SSO10T TSC는 전자식 파워 스티어링(EPS), EMB, 전력 분배, BLDC(brushless DC) 드라이브, 안전 스위치, 리버스 배터리, DCDC 컨버터 등의 애플리케이션에 적합하다. SSO10T TSC는 5mm x 7mm 풋프린트로 업계 표준인 SSO8 5mm x 6mm 하우징을 기반으로 한다. SSO10 TSC는 상단면 냉각이므로 사용된 TIM(열 계면 물질)과 TIM 두께에 따라서 표준 SSO8 대비 20퍼센트에서 50퍼센트까지 향상된 성능을 제공한다. SSO10T TSC 패키지는 오픈 마켓용 JEDEC에 등록돼 있어 폭넓은 세컨드 소스 호환성을 제공한다. 따라서 상단면 냉각을 위한 미래의 표준으로 이 패키지를 쉽고 빠르게 도
MOSFET 주요 성능 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성 유지해 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 밝혔다. 새로운 인피니언 CoolSiC MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로다. 따라서 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다. CoolSiC MOSFET 2세대 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 높은 효율을 달성한다. 따라서 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10%까지 낮출 수 있어, 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높인다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘린다. 신재생 에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와
전기차 충전, UPS, ESS용 인버터 등 고성능 SiC MOSFET 수요 충족할 것으로 보여 넥스페리아가 오늘 RDS(on) 값이 40mΩ 및 80mΩ인 3핀 TO-247 패키지의 1200V 개별 소자 2종 출시로 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시장에 진출했다고 발표했다. 이번에 선보인 NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 넥스페리아가 향후 출시할 SiC MOSFET 제품들 스루홀 및 표면 실장 패키지에 다양한 RDS(on) 값을 가진 포트폴리오의 첫 제품이다. 이 제품들은 전기 자동차(EV) 충전 파일, 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS)용 인버터를 포함한 산업 응용 분야에서 필요로 하는 고성능 SiC MOSFET의 수요를 충족시켜준다. 넥스페리아의 카트린 퓨를(Katrin Feurle) 수석 이사 겸 SiC 제품 그룹 책임자는 "당사는 더 많은 와이드 밴드갭 장치 공급업체를 요구해온 이 시장에서 미쓰비시 전기의 혁신적인 기술을 접목했다. 넥스페리아는 높은 RDS(on) 온도 안정성, 낮은 바디 다이오드 전압 강하, 엄격한 임계 전압 사양, 균형 잡힌 게이트 전하비 등 여러 매개변수에서 동급
SiC 와이드 밴드갭 반도체 효율 개선으로 고효율 전력 반도체 수요 대응 넥스페리아가 14일 미쓰비시 전기와 전략적 파트너십을 체결해 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET을 공동 개발한다고 발표했다. 반도체 분야에서 각각의 전문성을 가진 양사는 이번 협력으로 실리콘 카바이드 와이드 밴드갭 반도체의 에너지 효율성과 성능을 한 단계 끌어올리게 된다. 양사는 이를 통해 고효율 전력 반도체의 급증하는 수요에 대응할 것으로 보인다. 미쓰비시 전기의 전력 반도체 제품군은 고객사가 자동차, 가전 제품, 산업용 장비 및 트랙션 모터 등 다양한 부문에서 에너지를 상당히 절감하도록 해준다. 고신뢰도, 고성능 실리콘 카바이드 모듈 업계에서 기술력을 인정받은 미쓰비시 전기의 제품들은 대표적으로 일본의 신칸센 고속 열차에 채용되고 있다. 넥스페리아는 부품 개발, 생산 및 적격성 평가 분야에서 수십 년의 경험을 보유한 회사다. 넥스페리아는 고효율 및 신뢰성 전력 반도체의 급증하는 수요를 충족하도록 설계된 고품질 와이드 밴드갭 소자를 제공하고 있다. 유럽에 본거지를 두고 자동차 및 산업에서 모바일 및 소비 가전에 이르기까지 다양한 영역의 글로벌 고객사를 확보한 넥스페리아는 특히 개별
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 자동차 품질 등급을 획득해 기능 안전 애플리케이션을 지원하는 통합 핫스왑(Hot-Swap) 및 아이디얼-다이오드(Ideal-Diode) 컨트롤러인 STPM801을 출시했다고 밝혔다. 아이디얼-다이오드 컨트롤러는 역 입력보호 및 출력전압 홀드업(Holdup)에 일반적으로 사용되는 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)를 대체해 외부 MOSFET을 구동한다. MOSFET 전반의 전압 강하를 줄임으로써 쇼트키 다이오드의 순방향 전압에 비해 정상동작 중 전력손실을 줄이게 된다. 역 전압 이벤트가 발생할 경우, 전원 장애, 브라운아웃(Brownout) 또는 입력 단락과 같은 결함 등이 발생하면, MOSFET을 턴오프해 역 전류 과도현상을 차단한다. 또한 아이디얼-다이오드 컨트롤러 회로는 자율주행 및 ADAS(Advanced Driver Assistance Systems)과 같은 안전 필수 장비에 중단 없이 전원공급이 이뤄지도록 메인 배터리와 백업 배터리 간의 스위칭을 지원하는 전원 오링(ORing)을 제공한다. 통합 핫스왑 컨트롤러는 2차측 외부 N-채널 MOSFET을 구동해 핫스왑 이벤트 중 부하를 보호한다. 소프트-스타트
탑 사이드 쿨링 기능, 설계 단순화하고 콤팩트 전력 솔루션의 비용 절감 온세미가 모터 제어 및 DC/DC 컨버터 설계자를 지원하기 위해 혁신적인 탑 사이드 쿨링 기능을 갖춘 새로운 모스펫(MOSFET) 디바이스 시리즈를 17일 발표했다. 5x7mm 크기의 TCPAK57 패키지인 새로운 탑 쿨(Top Cool) 디바이스의 윗면에는 16.5mm2 크기의 열 패드가 있어 일반적으로 PCB를 통하지 않고 히트 싱크로 직접적인 방열이 가능하다. PCB 양면의 사용을 가능하게 하고 PCB로 들어가는 열의 양을 줄임으로써, TCPAK57은 향상된 전력 밀도를 제공한다. 이로써 신뢰성이 향상된 새로운 설계로 전체적인 시스템 수명은 늘어난다. 온세미 오토모티브 파워 솔루션 부사장 겸 총괄 책임자인 파비오 네코는 "쿨링은 고전력 설계에서 가장 큰 문제 중 하나이며, 이를 성공적으로 해결하는 것이 현대의 자동차 설계에서 가장 중요한 크기와 무게를 줄이는데 있어서 핵심 요소"라고 설명했다. 이어 "뛰어난 효율과 PCB를 통한 방열을 없앰으로써, 크기와 비용을 줄이는 동시에 설계는 크게 단순화된다"고 전했다. 이 디바이스는 1mΩ의 낮은 RDS(ON) 값으로 고전력 애플리케이션에서
소자의 성능을 저하시키지 않고도 크기 감소 달성 넥스페리아가 11일인 오늘 업계 최소형의 DFN 패지징으로 제공되는 20V 및 30V MOSFET을 출시했다. 넥스페리아는 이미 이 패키지로 ESD 보호 소자들을 공급하지만 아직 업계에서 달성하지 못한 이 최소형의 패키지를 MOSFET 포트폴리오에 적용하는 데에 성공했다. 새로운 수준의 AI 및 머신러닝을 통합한 차세대 웨어러블 및 청각기기들은 제품 설계자에게 몇 가지 과제를 안겨준다. 여러 기능들이 추가됨에 따라 사용 가능한 보드 공간의 해결이 가장 큰 문제로 대두되며 전력 소비의 증가에 따른 발열도 문제가 된다. 넥스페리아는 이산 부품 생산 분야에서의 경험을 바탕으로 소형 MOSFET 제품군을 설계함으로써 이 두 가지 문제를 성공적으로 극복했다. 크기가 0.63 x 0.33 x 0.25mm에 불과한 초소형 DFN0603 패키지는 두 번째로 작은 패키지(DFN0604)의 MOSFET보다 13% 더 적은 공간을 사용한다. 이러한 크기 감소는 소자의 성능을 저하시키지 않고도 달성됐다. 실제로 이 소자의 RDS(on)는 74%나 감소해 효율성 향상에 도움이 되므로 웨어러블 기기 설계자들은 훨씬 더 큰 전력 밀도를
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 STPOWER MDmesh M9 및 DM9 N-채널 슈퍼정션(Super-Junction) 멀티-드레인 실리콘 전력 MOSFET을 출시했다. 이 디바이스는 데이터센터 서버와 5G 인프라에서 평면패널 TV까지 다양한 애플리케이션의 스위칭 모드 전원공급장치에 적합하다. 가장 먼저 출시된 디바이스는 650V STP65N045M9 및 600V STP60N043DM9이다. 두 디바이스 모두 단위면적당 매우 낮은 온저항을 갖춰 전력밀도를 극대화하고 시스템 크기를 소형화 할 수 있다. 최대 RDS(on)(RDS(on)max)으로 STP65N045M9은45mΩ, STP60N043DM9의 경우 43mΩ으로 최적의 값을 가지고 있다. 이 디바이스들은 일반적으로 400V 드레인 전압에서 80nC의 매우 낮은 게이트 전하를 사용하므로 현재 이용 가능한 최상의 RDS(on)max x Qg 성능지수를 갖추고 있다. 게이트 임계전압은 일반적으로 STP65N045M9의 경우 3.7V, STP60N043DM9의 경우 4.0V이며, 이전 MDmesh M5 및 M6/DM6에 비해 모두 턴온 및 턴오프 스위칭 손실을 최소화한다. MDmesh M9 및 DM9
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