인피니언 테크놀로지스는 AEC(자동차용 전자부품협회) 표준 인증을 받은 업계 최초의 자동차 등급 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 제품군을 출시했다고 밝혔다. 인피니언은 이번 제품을 통해 GaN 및 차량용 반도체 분야에서의 리더십을 더욱 강화하고 있다. 이번에 양산을 시작한 CoolGaN 자동차용 트랜지스터 100V G1 제품군은 고전압(HV) CoolGaN 트랜지스터와 양방향 스위치를 포함해 AEC-Q101 인증을 받은 시제품의 샘플 공급도 시작됐다. 인피니언은 저전압 인포테인먼트 시스템부터 온보드 충전기(OBC) 및 트랙션 인버터의 고전압 솔루션에 이르기까지 자동차 산업의 변화하는 요구를 충족하는 혁신적 솔루션을 제공하고 있다. 인피니언 GaN 사업부 책임자인 요하네스 쇼이스볼은 “인피니언은 성장하는 소프트웨어 정의 차량(SDV) 및 전기차 시장에 GaN 전력 기술을 도입함으로써 차량용 반도체 솔루션 분야의 리더로서 입지를 더욱 공고히 할 것”이라며 “100V GaN 차량용 트랜지스터와 고전압 범위로의 포트폴리오 확장은 자동차 애플리케이션에 최적화된 에너지 효율적이고 신뢰성 높은 전력 트랜지스터 개발의 중요한 이정표”라고 말했다. 첨단 운전자 보조 시스템(AD
텍사스 인스트루먼트(TI)는 증가하는 인공지능(AI) 연산 수요에 대응하기 위해 12V에서 48V, 800VDC까지 확장 가능한 새로운 전력 관리 아키텍처와 반도체 솔루션을 발표했다. 이번 솔루션은 10월 13일부터 16일까지 미국 캘리포니아 새너제이에서 열리는 오픈 컴퓨트 서밋(OCP)에서 공개된다. TI는 첨단 AI 데이터센터의 성장을 지원하기 위한 새로운 전력 공급 프레임워크를 제시하며, 백서 ‘첨단 AI 컴퓨팅 성장을 대비한 전력 공급의 트레이드오프’를 통해 엔비디아와 협력한 800VDC 전력 인프라 지원 방향을 공개했다. 향후 2~3년 내 IT 랙 전력이 1MW를 초과할 것으로 전망되는 가운데, TI는 고효율·고전력 밀도 에너지 변환을 실현하기 위한 새로운 시스템 수준의 전력 공급 구조와 설계 과제를 제시했다. 또한 TI는 이번 발표에서 고부하 AI 워크로드를 위한 30kW AI 서버 전원 공급 유닛(PSU) 설계를 함께 선보였다. 듀얼 스테이지 전원 공급장치 레퍼런스 설계는 3상 3레벨 플라잉 커패시터 역률 보정(PFC) 컨버터와 듀얼 델타-델타 3상 인덕터-인덕터-커패시터(LLC) 컨버터로 구성돼 있으며, 단일 800V 출력은 물론 분리형 출력
아이멕(Imec)이 전력 반도체의 대형화와 제조 효율 향상을 위한 300mm(밀리미터) GaN(질화갈륨) 오픈 이노베이션 프로그램 트랙을 출범했다. 이번 프로그램은 GaN 전력 전자 기술에 관한 imec 산업 제휴 프로그램(IIAP)의 일환으로, 엑시트론(AIXTRON), 글로벌파운드리(GlobalFoundries), KLA 코퍼레이션, 시놉시스(Synopsys), 비코(Veeco) 등 글로벌 반도체 장비 및 설계 기업이 첫 파트너로 참여했다. Imec은 이번 트랙을 통해 300mm GaN 에피택셜 성장(Epitaxy)과 저·고전압용 GaN HEMT(고전자이동도 트랜지스터) 공정 플로우를 개발한다. 300mm 기판을 적용하면 생산 단가를 낮추고, CPU·GPU용 고효율 저전압 POL(Point-Of-Load) 컨버터 등 차세대 전력 전자 소자 개발이 가능해진다. 이미 시장에서는 GaN 기반 초고속 충전기가 상용화되며 GaN의 잠재력을 입증했다. 실리콘(Si) 기반 솔루션 대비 소형·경량·고효율을 갖춘 GaN 기술은 자동차용 온보드 충전기(OBC), 태양광 인버터, AI 데이터센터 전력 분배 시스템 등 고효율·저전력 산업의 핵심으로 부상하고 있다. 현재 대부분
아이언디바이스가 전략기획그룹을 신설하고 선정현 전 DB하이텍 상무를 부사장으로 선임했다고 밝혔다. 아이언디바이스는 30년 이상 반도체 산업에서 영업, 마케팅, 품질 등 핵심 직무를 맡아온 선정현 부사장 영입을 통해 중장기 비전 달성을 위한 핵심 전략 수립, 사업 포트폴리오 최적화, 신규 사업 발굴 등을 본격 추진할 계획이다. 선 부사장은 1992년 삼성전자 메모리사업부 상품기획 및 응용기술팀에 입사해 경력을 시작했다. 당시 엔비디아(NVIDIA) 대상 신제품 프로모션과 디자인-윈(Design-win) 확보 등의 주요 성과를 거뒀다. 이후 DB하이텍에서 약 18년간 재직하며 영업팀과 마케팅팀을 총괄했으며, 전력반도체 개발 로드맵과 중장기 사업 전략을 주도했다. 특히 전력반도체(600V/650V/700V) 초도 양산을 성공적으로 이끌고, 전기차·고속 충전기 시장을 겨냥한 GaN(질화갈륨) 및 SiC(탄화규소) 사업을 적극적으로 개발했다. 또한 고수익 파워 제품과 전력반도체 파운드리 분야에서 고부가가치 포트폴리오를 구축하는 데 기여했다. 아이언디바이스 관계자는 “반도체 영업·마케팅 분야 최고의 전문가인 선정현 부사장이 합류해 전력반도체 사업을 강화하고 글로벌 기업
인피니언 테크놀로지스는 엔비디아와 협력해 휴머노이드 로봇 개발을 가속화하고 있다고 26일 밝혔다. 인피니언은 마이크로컨트롤러, 센서, 스마트 액추에이터 기술과 엔비디아 젯슨 토르(NVIDIA Jetson Thor) 모듈을 결합해 OEM과 ODM이 확장 가능한 모터 제어 솔루션을 개발하도록 지원한다. 제조, 물류, 의료 등에서 활용되는 휴머노이드 로봇은 정밀한 동작과 높은 효율성을 요구하고 있다. 요흔 하나벡 인피니언 CEO는 “인피니언과 엔비디아의 협력을 통해 고객들이 빠르게 시장에 진입할 수 있다”며 “마이크로컨트롤러, 센서, 액추에이터와 같은 핵심 기술 포트폴리오로 휴머노이드 로봇의 감지, 이동, 동작, 연결을 지원하겠다”고 말했다. 디푸 탈라 엔비디아 부사장은 “젯슨 토르는 로보틱스와 피지컬 AI 가속화를 위해 설계됐다”며 “인피니언의 기술 통합이 고객의 제품 개발 기간을 단축하고 더 강력한 로봇 개발을 가능하게 할 것”이라고 말했다. 인피니언은 PSOC 및 AURIX 마이크로컨트롤러 제품군으로 휴머노이드 로봇 보안을 강화하고, 고속 이더넷 기능을 제공하는 BRIGHTLANE 시리즈를 포트폴리오에 포함했다. 또한 엔비디아 홀로스캔 센서 브리지와 호환되는
로옴은 마쯔다(Mazda)와 차세대 반도체로 주목을 받는 질화 갈륨(GaN) 파워 반도체를 사용한 자동차 부품의 공동 개발을 개시했다고 27일 밝혔다. 마쯔다와 로옴은 2022년부터 ‘전동 구동 유닛의 개발 및 생산을 위한 협업 체제’를 통해 실리콘 카바이드(SiC) 파워 반도체를 탑재한 인버터의 공동 개발을 추진하고 있다. 이번에 새롭게 GaN 파워 반도체를 사용한 자동차 부품의 개발에도 착수해 차세대 전동차를 위한 혁신적인 자동차 부품을 창출하고자 한다. GaN은 파워 반도체의 차세대 재료로서 주목받고 있다. 기존의 실리콘(Si) 파워 반도체에 비해 전력 변환으로 인한 손실을 억제함과 동시에, 고주파 구동을 통해 부품 사이즈의 소형화에 기여한다. 이러한 특징을 활용해 차량 전체를 고려한 패키지, 경량화, 디자인 혁신에 기여하는 솔루션으로의 전환을 위해 양사가 공동 개발을 추진하고 있다. 2025년 내에 이러한 콘셉트의 구현화 및 데모기를 통한 트라이얼을 거쳐, 2027년 실용화로 전개해 나갈 예정이다. Ichiro Hirose 마쯔다 전무 집행 임원 겸 CTO는 “반도체 기술과 고도의 시스템 솔루션 구축 능력으로 지속 가능한 모빌리티 사회의 창조를 지향하
다양한 우주 항공 미션에 적합한 위성 전력 시스템 설계 가능해져 텍사스 인스트루먼트(TI)가 방사능 내성과 방사능 경화 기능을 갖춘 하프 브리지 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버 신제품군을 발표했다. 이번 제품군에는 업계 최초로 최대 200V 작동을 지원하는 우주 등급 GaN FET 게이트 드라이버가 포함됐다. 새롭게 출시된 제품들은 핀 투 핀 호환이 가능한 세라믹 및 플라스틱 패키징 옵션을 제공하며, 22V, 60V, 200V 세 가지 전압 레벨을 지원한다. 이를 통해 TI는 엔지니어가 저궤도, 중간 궤도, 정지궤도 등 다양한 우주 항공 미션에 적합한 위성 전력 시스템을 설계할 수 있다고 밝혔다. 최근 위성 시스템은 데이터 처리 및 전송량 증가, 고해상도 이미징, 정밀한 센싱 기술을 필요로 하면서 복잡해지고 있다. 이에 엔지니어는 시스템의 전력 효율성을 향상시키는 데 집중하는 추세다. TI의 새로운 GaN FET 게이트 드라이버는 짧은 상승 및 하강 시간을 제공해 GaN FET을 정밀하게 구동하도록 설계됐다. 이를 통해 전원 공급 장치의 크기와 밀도를 줄이고, 태양광 패널에서 생산된 전력을 효과적으로 활용하도록 지원한다. T
인피니언 테크놀로지스가 반도체 제조 기술의 다음 이정표를 공개했다. 인피니언은 30일 대규모 반도체 팹에서 직경 300mm에 두께가 20µm(마이크로미터)에 불과한 역대 가장 얇은 실리콘 전력 웨이퍼 프로세싱에 획기적인 성과를 거뒀다고 밝혔다. 이 초박형 실리콘 웨이퍼는 인간 머리카락 두께의 1/4, 현재 첨단 웨이퍼 두께인 40-60µm의 절반에 불과하다. 요흔 하나벡 인피니언 CEO는 “인피니언의 초박형 웨이퍼 기술 혁신은 에너지 효율적인 전력 솔루션을 위한 중요한 진전을 의미한다”며 “인피니언은 Si, SiC, GaN 세 가지 반도체 소재를 모두 공급하는 혁신 리더로서의 입지를 더욱 공고히 했다”고 강조했다. 이 기술은 AI 데이터센터의 전력 변환 솔루션 뿐만 아니라 컨슈머, 모터 제어 및 컴퓨팅 애플리케이션의 에너지 효율, 전력 밀도 및 신뢰성을 높이는 데 기여할 것으로 보인다. 웨이퍼 두께를 절반으로 줄이면 웨이퍼 기판 저항이 50 퍼센트 감소해 기존 실리콘 웨이퍼 기반 솔루션 대비 전력 시스템에서 전력 손실이 15퍼센트 이상 줄어든다. 높은 전류 레벨로 에너지 수요가 증가하고 있는 하이엔드 AI 서버 애플리케이션의 경우, 전압을 230V에서 1.8
세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진 영향 받아 DB하이텍은 5일 연결 기준 작년 한 해 영업이익이 2663억 원으로 전년보다 65.36% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 공시했다. 매출은 1조1578억 원으로 전년 대비 30.89% 감소했으며, 영업이익률은 23% 수준이다. 순이익은 2448억 원으로 56.2% 줄었다. 작년 4분기 영업이익은 431억 원으로 전년 동기보다 71.97% 줄었다. 매출과 순이익은 각각 28.73%, 47.88% 감소한 2830억 원과 356억 원이었다. 세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진으로 반도체 파운드리 시장 회복이 지연되면서 전년보다 실적이 하락했다. 회사 측은 "전력반도체 기술 격차를 지속 확대하는 동시에 차량용의 비중을 높이고 차세대 전력반도체로 주목받는 갈륨나이트라이드(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 등 고부가·고성장 제품을 확대하며 경쟁력을 강화할 계획"이라고 밝혔다. 헬로티 서재창 기자 |
텍사스 인스트루먼트(이하 TI)는 금일 전력 밀도를 개선하고 시스템 효율성을 극대화하며 AC/DC 소비자 가전 및 산업용 시스템의 크기를 줄이도록 설계된 저전력 질화갈륨(GaN) 포트폴리오를 확장한다고 발표했다. 게이트 드라이버가 통합된 TI의 전체 GaN 전계 효과 트랜지스터(FET) 포트폴리오는 일반적인 열 설계 과제를 해결해 어댑터의 온도를 낮추면서 더 작은 풋프린트로 더 많은 전력을 공급할 수 있다. 캐넌 사운다라판디안(Kannan Soundarapandian) TI 고전압 제품 부문 부사장 겸 총괄 매니저는 "오늘날의 소비자는 빠르고 에너지 효율적으로 충전할 수 있고, 더 작고 가벼우며 휴대가 간편한 전원 어댑터를 원한다"고 말했다. 이어 그는 "포트폴리오 확장을 통해 설계 엔지니어들은 휴대폰 및 노트북 어댑터, TV 전원 공급 장치, USB 벽면 콘센트 등 소비자가 매일 사용하는 더 많은 애플리케이션에 저전력 GaN 기술의 전력 밀도가 가지는 이점을 제공하게 됐다. TI의 포트폴리오는 전동 공구 및 서버 보조 전원 공급 장치와 같은 산업용 시스템에서 고효율 및 소형 설계에 대한 증가하는 수요도 해결한다"고 말했다. 게이트 드라이버가 통합된 새로운
GaN 로드맵 가속화 및 전력 시스템 분야에서 리더십 강화할 것으로 보여 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 지난 24일 GaN Systems Inc 인수를 완료했다고 발표했다. 인피니언은 GaN Systems가 보유하고 있는 광범위한 GaN 기반 전력 변환 솔루션과 첨단 애플리케이션 노하우를 확보하게 됐다. 요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “GaN 기술은 탈탄소화를 지원하는 에너지 효율 향상 및 이산화탄소 절감 솔루션을 구현하는데 중요하다. GaN Systems 인수로 GaN 로드맵을 가속화하고 전력 시스템 분야에서 인피니언의 리더십을 강화하게 됐다"고 말했다. 인피니언은 총 450명의 GaN 전문가와 350개 이상의 GaN 특허 제품군을 보유하고, 이를 통해 전력 반도체 분야에서 선도적인 입지를 확대하고 시장 출시 기간을 단축할 것으로 보인다. 인피니언은 양사의 IP 및 애플리케이션 이해에 대한 상호 보완적인 강점과 고객 프로젝트 파이프라인을 통해 다양한 애플리케이션을 지원하는 유리한 위치에 서게 됐다. 헬로티 서재창 기자 |
SiC, GaN 등 화합물 활용한 차세대 전력반도체 기술 개발 방안 논의 차세대 화합물 전력반도체(WBGS) 개발 방안 등을 논의하는 국제심포지엄이 부산에서 열린다. 부산시는 24일 부산 해운대 시그니엘호텔 부산에서 '2022 WBGS 국제심포지엄'을 개최한다고 밝혔다. 경북도, 포항시와 공동 주최하는 이번 심포지엄에서는 기존 실리콘 소재의 전력반도체에 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 화합물을 활용한 차세대 전력반도체 기술 개발 방안 등을 논의한다. 루비사스테바노비치 제너럴일렉트릭 부사장, 란비르 싱 제네식반도체 대표, 디디에 쇼센드 프랑스국립과학연구원 연구소장, 안드레아 이라체 이탈리아 나폴리대 교수, 안드레이 쿠즈네초프 노르웨이 오슬로대 교수, 요시유키 요네자와 일본 산업기술총합연구소 연구총괄 등이 최신 기술 동향을 발표한다. 부산시는 이들을 부산시 파워반도체 국제자문위원으로 위촉할 예정이다. 헬로티 서재창 기자 |
전기차·데이터센터 수요에 급성장…트렌드포스 10대 기술 트렌드 전망 내년 반도체 업계에서는 탄화규소(SiC·실리콘 카바이드)와 질화갈륨(GaN) 등 이른바 3세대 반도체 기술이 본격적으로 성장할 것이라는 전망이 나왔다. 16일 업계에 따르면 대만 시장정보업체 트렌드포스는 2023년 10대 기술 산업 트렌드 중 하나로 3세대 반도체의 부상을 꼽았다. 기존 전력 반도체는 주로 실리콘(Si) 소재로 만들어졌는데, 최근에는 전력 효율과 내구성을 극대화한 SiC와 GaN 등 신소재를 기반으로 한 차세대 전력 반도체가 주목받고 있다. 앞으로 전자기기 수요 확대와 전력 소비 증가가 예상되면서 차세대 전력 반도체는 미래 성장 가능성이 높은 분야로 꼽힌다. 2026년까지 5년간 SiC와 GaN을 활용한 전력 기기 시장의 연평균 성장률이 각각 35%, 61%에 이를 것으로 트렌드포스는 전망했다. 트렌드포스는 "800V 전기차, 고전압 충전, 고효율 그린 데이터센터 등의 급부상으로 SiC와 GaN 부품은 가파른 성장 단계에 접어들었다"며 "2023년을 앞두고 더 많은 자동차 업체가 메인 인버터에 SiC 기술을 도입할 것"이라고 예상했다. 아울러 "GaN은 고출력 에너지 저장장치
GaN 소자 기술 협력으로 제품 개발과 세계 시장 확대 겨냥 알에프세미가 5일 캐나다 GaN Systems과 GaN(질화갈륨) 전력반도체 제품 개발과 시장 확대를 위한 MOU를 체결했다고 밝혔다. GaN Systems는 650V급 GaN 전력반도체 기술을 보유하고 있으며 이 분야에서 세계 선두 기업으로 시장을 주도하고 있다. 이번 협약은 알에프세미의 패키지 기술과 GaN Systems의 GaN 소자 기술 협력을 통한 제품 개발과 세계 시장 확대를 위한 것으로 보인다. 알에프세미는 전략반도체 패키지를 위해 최근 개발해 특허 등록한 '가변 적층형 방열판 패키지' 기술을 제품 개발에 적용할 예정이다. 이 기술은 기존 패키지 대비 열 방출이 뛰어나 고온에서도 안정적인 동작을 지원한다. 차세대 전력반도체로 주목받는 GaN 전력반도체는 실리콘에 질화갈륨을 입혀 제작돼 SiC(실리콘카바이드) 전력반도체 대비 가격 경쟁력을 가졌으며 사용 전압이 낮지만 고속 스위칭이 가능해 소형 가전에 주로 사용되고 있다. 1000V 이상 높은 전압에서 잘 견디는 SiC 전력반도체는 전기차 분야의 충전 및 모터구동 분야에서, 650V급에서 빠른 동작 속도를 갖는 GaN 전력반도체는 휴대폰,
넥스페리아가 모든 사업 분야에서 높은 성장세를 보인 2021년도 재무 결과를 발표했다. 개별 반도체 부품, 전력 반도체 부품 및 로직 IC를 개발하는 넥스페리아의 2021년 매출은 전년 대비 49% 증가한 21억4000만 달러를 기록했다. 이 수치는 글로벌 반도체 업계의 전체 성장률을 능가하는 것으로 시장 점유율 또한 1% 증가해 9.4%까지 높아졌다. 넥스페리아는 지난 5년간 가장 높은 자동차 표준에 부합하는 제조역량을 갖추는 동시에 다양한 제품 포트폴리오를 제공했다. 스테판 틸거(Stefan Tilger) 넥스페리아 CFO는 "지난 2021년, 당사는 모든 사업 영역에서 최소 30%의 매출 성장을 올리며 펜데믹 상황을 잘 헤쳐갔다”며, “끊임없이 증가하는 고객 요구사항을 충족시키도록 제조 생산량을 확대해가겠다"고 포부를 밝혔다. 넥스페리아는 증가하는 업계 수요에 부응하기 위해 자체 시설뿐 아니라 외부 파트너십을 통한 생산 능력 강화에 지속적으로 투자해왔다. 기록적인 투자가 이뤄진 유럽과 아시아 권역에서는 전년도에 비해 지출이 세 배로 증가했다. 주요 사례로는 유럽 웨이퍼 팹의 생산 능력 확대를 비롯해 테스트 및 조립 생산 시설의 확대 등이다. 2022 회
[헬로스톡] 10월 22일 주목할 종목 : HMM·SK바이오팜·POSCO홀딩스·현대오토에버
[KORMARINE 2025] 삼사원, 탱크 ‘최후 방어선’과 엔진 ‘수명 연장’ 솔루션 한자리에
[‘황’ 기자의 헬로로지스틱스] CJ대한통운이 쏘아올린 ‘주 7일 배송’ 시대, 그리고 9개월이 흘렀다
[KORMARINE 2025] 제어반 배선, 신호 품질 다잡기 선언한 바이드뮬러
[KORMARINE 2025] “진동 속에서도 안정적인 배전” 리탈, 내진 인클로저, DNV 저압 배전반 선봬
[KORMARINE 2025] 대한센서, 레이더·초음파·마그네틱… ‘탱크 수위’ 전 라인업으로 답했다
상호명(명칭) : (주)첨단 | 등록번호 : 서울,자00420 | 등록일자 : 2013년05월15일 | 제호 :헬로티(helloT) | 발행인 : 이종춘 | 편집인 : 김진희 |
본점 : 서울시 마포구 양화로 127, 3층, 지점 : 경기도 파주시 심학산로 10, 3층 | 발행일자 : 2012년 4월1일 | 청소년보호책임자 : 김유활 | 대표이사 : 이준원 | 사업자등록번호 : 118-81-03520 | 전화 : 02-3142-4151 | 팩스 : 02-338-3453 | 통신판매번호 : 제 2013-서울마포-1032호
copyright(c) HelloT all right reserved
UPDATE: 2025년 10월 22일 22시 51분
