로옴은 마쯔다(Mazda)와 차세대 반도체로 주목을 받는 질화 갈륨(GaN) 파워 반도체를 사용한 자동차 부품의 공동 개발을 개시했다고 27일 밝혔다.
마쯔다와 로옴은 2022년부터 ‘전동 구동 유닛의 개발 및 생산을 위한 협업 체제’를 통해 실리콘 카바이드(SiC) 파워 반도체를 탑재한 인버터의 공동 개발을 추진하고 있다. 이번에 새롭게 GaN 파워 반도체를 사용한 자동차 부품의 개발에도 착수해 차세대 전동차를 위한 혁신적인 자동차 부품을 창출하고자 한다.
GaN은 파워 반도체의 차세대 재료로서 주목받고 있다. 기존의 실리콘(Si) 파워 반도체에 비해 전력 변환으로 인한 손실을 억제함과 동시에, 고주파 구동을 통해 부품 사이즈의 소형화에 기여한다.
이러한 특징을 활용해 차량 전체를 고려한 패키지, 경량화, 디자인 혁신에 기여하는 솔루션으로의 전환을 위해 양사가 공동 개발을 추진하고 있다. 2025년 내에 이러한 콘셉트의 구현화 및 데모기를 통한 트라이얼을 거쳐, 2027년 실용화로 전개해 나갈 예정이다.
Ichiro Hirose 마쯔다 전무 집행 임원 겸 CTO는 “반도체 기술과 고도의 시스템 솔루션 구축 능력으로 지속 가능한 모빌리티 사회의 창조를 지향하는 로옴과 전동차용 자동차 부품의 개발 및 생산에 있어서 협업할 수 있게 돼 기쁘다”며 “반도체 소자와 자동차를 양방향으로 직결시킨 새로운 밸류체인의 공동 가치 창조를 위한 협력을 기대한다”고 전했다.
Katsumi Azuma 로옴 전무 집행 임원은 “‘지구 및 사회와 영속적으로 공존하는 자동차’를 지향하는 마쯔다와 공동 개발을 실시함으로써 어플리케이션 및 최종 제품 개발의 시점에서 GaN에 대한 요구를 이해해 GaN 파워 반도체의 보급 확대, 나아가 지속 가능한 모빌리티 사회의 창조에 기여해 나가고자 한다”고 말했다.
로옴은 차량용 어플리케이션의 성능 향상을 서포트하는 첨단 GaN 디바이스 및 GaN의 성능을 최대화시킬 수 있는 게이트 구동용 드라이버를 개발, 공급함으로써 유일무이한 소형 고효율 차량용 어플리케이션의 창출을 위해 노력하고 있다. 로옴은 이번 공동 개발을 통해 차량용 GaN 디바이스에 요구되는 성능 및 최적의 구동 방법을 완성차 레벨에서 역산, 이해함으로써 경쟁력 있는 GaN 디바이스를 개발해 나갈 계획이다.
헬로티 이창현 기자 |
