테크노트 UNIST, 잡음 억제·저전력 동시 구현한 전력관리칩 선보여

스마트폰, 인공지능 메인 칩에 전력을 안정적으로 공급하고 잡음을 제거하는 초소형 전력관리 반도체가 국내 연구진에 의해 개발됐다. 전력 관리 성능은 세계 최고 수준을 기록하면서도 크기는 기존보다 작아져, 전압 변동이 심한 AI 반도체와 잡음에 민감한 6G 통신칩 등 차세대 시스템온칩(SoC) 개발에 기여할 전망이다. UNIST 전기전자공학과 윤희인 교수 연구팀은 초소형 하이브리드 전력관리 반도체 LDO(Low Dropout Regulator)를 개발했다고 29일 밝혔다. LDO는 메인 반도체에 공급되는 전압을 일정하게 유지하고 직류 전압에 섞인 교류 잡음을 걸러주는 역할을 한다. 스마트폰에서 게임 앱을 갑자기 실행하거나 종료할 때 전류 사용이 급격히 바뀌면 전압도 요동치는데, LDO가 이를 안정화한다. 연구팀이 개발한 LDO는 아날로그 회로 기반에 디지털 회로 장점을 더한 하이브리드 구조로, 전압 안정화 성능과 잡음 억제 성능을 동시에 확보했다. 시험 결과, 99mA 전류 변화 상황에서도 출력 전압 출렁임을 54mV 수준으로 억제하고 667나노초 만에 전압을 복구했다. 잡음 억제 성능(PSRR)은 –53.7dB(100mA 부하, 10kHz 기준)로, 주파수 1

• 이창현 기자
• 2025-09-29 10:39