마이크로칩테크놀로지는 자사의 방사선 내성강화 전력 모스펫(MOSFET) 제품군이 MIL-PRF-19500/746 슬래시 시트 규격을 충족했으며, 새로 개발된 JANSF2N8587U3 100V N채널 모스펫이 300 Krad(Si)의 총 이온화 선량(TID)을 견딜 수 있는 JANSF 인증을 획득했다고 18일 밝혔다. JANS(Joint Army-Navy Specification) 인증은 항공우주, 방위산업, 우주비행용 애플리케이션에 사용되는 디스크리트(discrete) 반도체의 우수한 성능, 품질 및 신뢰성을 보장하는 최고 수준의 검증 및 승인 규격을 의미한다. 마이크로칩의 JANS 시리즈 방사선 내성강화(RH, rad-hard) 전력 디바이스는 100~250V의 전압 범위와 100 Krad(Si) TID를 지원하며 JANSF2N7587U3모델을 시작으로 300 Krad(Si) TID 이상의 더 높은 방사선 내성강화 보증(RHA, Radiation Hardness Assurance) 등급으로 확장되고 있다. JANS 등급의 RH 전력 모스펫 다이는 MIL 인증을 받은 JANSR 다이를 사용한 플라스틱 패키지를 포함해 다양한 패키지 옵션으로 제공되며, 새로운
넥스페리아(Nexperia)가 구리 클립 ‘CCPAK1212 패키지’의 새로운 80V·100V 전력 모스펫(MOSFET)제품군 16종을 출시한다고 10일 밝혔다. 넥스페리아의 구리 클립 설계는 높은 전류 전도, 감소된 기생 인덕턴스 및 우수한 열 성능을 제공한다. 이러한 특징으로 인해 소자들은 모터 제어, 전원 공급 장치, 재생 에너지 시스템을 비롯해 전력 소모가 많은 응용 제품에 이상적이다. 이 제품군에는 AI 서버 핫스왑 기능을 위해 설계된 주문형 모스펫(ASFET)도 포함된다. 벤치마크 PSMN1R0-100ASF는 460A를 전도하고 1.55KW의 전력을 방출할 수 있는 0.99mΩ 100V 전력 모스펫이지만 기판 공간이 12mm x 12mm에 불과한 CCPAK1212 패키지 실장 면적을 자랑한다. PSMN1R0-100CSF는 상부 냉각 버전에서 유사한 수치들을 제공한다. CCPAK1212의 ‘CC’는 구리 클립의 약자인데 이는 전력 모스펫 실리콘 다이가 두 개의 구리 조각 즉 한쪽에는 드레인 탭, 다른 쪽에는 소스 클립이 끼워져 있음을 의미한다. 이렇게 와이어 본드를 완전히 제거해 최적화된 어셈블리는 낮은 온 저항, 감소된 기생 인덕턴스, 높은 최대
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