저열팽창 고방열 소재 부품 전문기업 코스텍시스(대표이사 한규진)는 산업통상자원부 소재부품기술개발사업 과제에 공동연구개발 기관으로 선정됐다고 밝혔다.
이번 선정된 정부 과제명은 ‘초고주파 GaN MMIC(마이크로파 직접회로) 전용 패키지 개발 및 패키징 후공정 개발’이며 코스텍시스가 담당하는 부분은 초고주파 저손실, 고방열, 점검 기능 경로제공 GaN MMIC 전용 패키지 개발과 전력 소자에서 발생한 열을 외부로 방출이 용이하게 하는 열설계 구현이다.
총 연구개발 기간은 2023년 7월1일부터 2026년 12월 31일까지이며, 정부지원 총 연구개발비는 약 28억 원 규모의 사업이다. 이번 정부과제 기대 효과는 GaN MMIC 전력증폭기 제품의 국산화 및 가격 경쟁력 확보를 통한 수입 대체 및 수출 증가와 관련 산업과의 시너지 등이 있다.
코스텍시스 관계자는 “이번 과제 선정은 당사의 핵심 소재 기술이 차량용 전력반도체는 물론 통신용 시장, 그리고 더 나아가 SiC(실리콘 카바이드), GaN(질화갈륨) 반도체 등 차세대 화합물 반도체가 적용되는 다양한 분야로 확대 될 수 있는 가능성을 보여준다는데 그 의의가 크다”며 “앞으로도 당사의 소재 기술력이 적용될 수 있는 분야를 개척하여 지속적으로 성장하는 글로벌 탑티어 소재 부품 기업이 되도록 최선을 다하겠다”고 포부를 밝혔다.
한편 코스텍시스는 최근 글로벌 전력반도체 전문기업에 차량용 전력반도체 고방열 스페이서 초도 수주계약을 체결한 바 있다.
헬로티 임근난 기자 |
