한미반도체는 SK하이닉스로부터 고대역폭메모리(HBM) 제조용 장비 '듀얼 TC 본더 그리핀' 장비를 수주했다고 7일 공시했다. 계약 금액은 1499억 원이다. 이는 작년 연결 매출액 1590억 원의 94.28% 규모다. 듀얼 TC 본더 그리핀은 실리콘관통전극(TSV) 공법으로 제작된 반도체 칩을 웨이퍼에 부착·적층하는 장비다. 앞서 한미반도체는 SK하이닉스에서 이 장비를 2000억 원 어치 이상 수주했다. 이번 공급 계약으로 누적 수주액 3587억 원을 달성했다. 헬로티 서재창 기자 |
한미반도체는 SK하이닉스에 고대역폭 메모리(HBM) 제조용 장비 '듀얼 TC 본더 1.0 그리핀'을 추가로 공급하기로 했다고 22일 공시했다. 이번 계약 금액은 214억8300만 원이다. 이로써 한미반도체가 SK하이닉스에서 수주한 금액은 2000억 원을 넘어섰다. 앞서 한미반도체는 작년 1012억 원, 올해 1월 860억 원어치의 해당 장비를 SK하이닉스에 공급하기로 한 바 있다. 듀얼 TC 본더 그리핀은 실리콘관통전극(TSV) 공법으로 제작된 반도체 칩을 웨이퍼에 부착·적층하는 장비다. 헬로티 서재창 기자 |
헬로티 조상록 기자 | SK하이닉스가 현존 최고 사양 D램인 ‘HBM3’를 개발했다고 10월 20일 밝혔다. HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 이번 HBM3는 HBM의 4세대 제품이다. HBM은 1세대(HBM) - 2세대(HBM2) - 3세대(HBM2E) 순으로 개발되어 왔다. SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2E(2세대 HBM에서 일부 성능을 개선한 확장 버전) D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3를 개발하며 이 시장의 주도권을 확고히 했다. SK하이닉스 관계자는 “이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론, 품질 수준도 크게 높였다”고 강조했다. 속도 측면에서 HBM3는 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다. 이와 함께 이 제품에는 오류정정코드(On Die - Error
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