일반뉴스 ST, 최신 SiC 모스펫 기술 공개 “EV 트랙션 인버터 최적화”

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 4세대 STPOWER SiC(Silicon Carbide) MOSFET 기술을 공개했다. 이 최첨단 기술은 자동차 및 산업 시장의 요구를 모두 충족하는 동시에 특히 전기차 파워트레인의 핵심 구성요소인 트랙션 인버터에 최적화돼 있다. 또한 ST는 혁신을 위한 노력의 일환으로 2027년까지 한층 발전된 SiC 혁신 기술을 발표할 계획이라고 전했다. 마르코 카시스 ST 아날로그, 전력 및 디스크리트, MEMS, 센서 그룹 사장은 “ST는 최첨단 실리콘 카바이드 기술을 통해 미래의 전기 모빌리티와 산업 효율성을 선도하는 데 주력하고 있다”며 “또한 ST는 디바이스와 첨단 패키지, 전력 모듈을 혁신하면서 SiC MOSFET 기술을 지속적으로 발전시키고 있다”고 강조했다. 그는 이어 “수직 통합 제조 전략과 더불어 업계를 선도하는 SiC 기술 성능과 탄력적인 공급망을 제공하면서 증가하는 고객 수요에 대응하고 보다 지속 가능한 미래에 기여하고 있다”고 덧붙였다. ST는 실리콘 디바이스 대비 SiC의 탁월한 전력 밀도와 높은 효율성을 활용할 수 있도록 혁신을 한층 더 추진하고 있다. 최신 세대 SiC 디바이스는 크기 및 에너지 절감 잠

• 이창현 기자
• 2024-10-04 13:24