어플라이드 머티어리얼즈가 실리콘밸리에 조성 중인 50억 달러 규모의 EPIC 센터에 삼성전자가 합류한다고 발표했다. 이번 협력은 첨단 노드 스케일링과 차세대 메모리 아키텍처, 초고도 3D 집적 구현을 위한 공동 연구개발(R&D)을 가속하기 위한 전략적 파트너십이다. EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터는 반도체 공정 기술과 제조 장비 협력 R&D를 위한 세계 최대 규모의 최첨단 시설로, 2026년 가동을 목표로 구축되고 있다. 미국 내 역대 최대 규모의 첨단 반도체 장비 R&D 투자 사례로 평가된다. 초기 연구 단계부터 대규모 양산까지의 상용화 기간을 획기적으로 단축하는 것을 목표로 설계됐다. EPIC 공동 개발 프로그램은 ‘고속 공동 혁신(High-velocity co-innovation)’ 모델을 기반으로 차세대 칩 개발을 병렬 방식으로 추진한다. 현 세대보다 수 노드 앞선 반도체를 위한 신소재 및 공정 기술을 목표로 하며, 첨단 패터닝과 식각, 증착 공정에서의 원자 수준 혁신을 통해 차세대 로직 및 메모리 반도체 구현에 집중한다. 게리 디커슨 어플라이드 머
KAIST 연구진이 차세대 메모리로 주목받는 산화물 기반 저항 메모리(ReRAM)의 작동 원리를 세계 최초로 정밀 규명했다. 이번 연구 성과는 향후 고성능·고신뢰성 차세대 비휘발성 메모리 개발에 중요한 단서를 제공할 것으로 기대된다. KAIST 홍승범 신소재공학과 교수 연구팀은 박상희 신소재공학과 교수 연구팀과 협업해, 산화물 기반 메모리의 동작 원리를 다중모드 주사 탐침 현미경(Multi-modal SPM)을 활용해 규명했다고 밝혔다. 연구팀은 산화물 박막 내부의 전자 이동 경로, 산소 이온 움직임, 표면 전위 변화를 동시에 관찰하는 데 성공했다. 연구에서는 이산화티타늄(TiO₂) 박막에 전기 신호를 인가해 메모리의 기록과 소거 과정을 직접 구현했다. 그 결과 전류의 흐름이 산소 결함의 양과 분포에 따라 달라지며, 산화물 내 산소 결함 분포가 메모리의 켜짐(on)/꺼짐(off) 상태를 결정한다는 사실을 나노 수준에서 시각적으로 입증했다. 이번 성과는 특정 지점의 국소 관찰에 그치지 않고, 수 마이크로미터(㎛²) 크기의 넓은 영역에서 변화된 전류 흐름, 산소 이온 이동, 표면 전위 분포를 종합적으로 분석했다는 점에서 의미가 크다. 이를 통해 메모리 저항 변화