기사 1편을 보시고 오면 좋습니다. [헬로AX] 자동화는 이미 '끝났다'...아이브이웍스가 '자율공정'을 말하는 이유 제조 현장에 AI를 적용하려면 AI가 무엇을 정상으로 보고 어떤 상황을 이상으로 판단해야 하는지 학습할 데이터가 필요하다. 화합물 반도체 소재 전문기업 아이브이웍스가 2019년 생산 현장에 AI를 도입할 당시 택한 방법도 데이터에서 출발하는 것이었다. 외부의 범용 AI 솔루션을 생산라인에 적용하는 대신, 질화갈륨(GaN) 에피웨이퍼 생산 과정에서 나오는 데이터를 직접 모으고 이를 분석하는 AI 모델과 자동화 시스템도 자체 개발했다. 현재 아이브이웍스가 보유한 생산 시계열 데이터는 3억 3000만 건 이상, 반도체 결정이 성장하는 상태를 실시간으로 보여주는 RHEED(반사 고에너지 전자회절) 데이터는 30TB를 넘는다. 회사는 이를 기반으로 AI 에피택시 플랫폼 ‘DOMM’을 고도화하고 실제 양산라인의 분석과 자동화에 활용하고 있다. 실제 양산라인에 적용하는 과정에서는 시행착오도 있었다. 연구 단계에서 성능이 좋았던 AI도 실제 생산라인에 들어가자 정상적인 상황을 이상으로 판단하는 오탐이나 예상하지 못한 예외 상황에 부딪혔다. 같은 종류의 생산
생산설비가 사람이 미리 정해둔 순서대로 움직이는 것과, 생산 중 발생하는 상황을 파악해 다음에 무엇을 해야 할지 시스템이 스스로 판단하는 것은 완전히 다르다. 전자가 ‘자동화’라면, 후자는 ‘자율공정’이다. 화합물 반도체 소재 전문기업 아이브이웍스(IVWorks)의 생산라인에서는 이미 웨이퍼를 로딩(장비 내부에 투입)한 뒤 성장공정(기판 위에 질화갈륨 결정층을 형성하는 과정)을 수행하고, 이후 언로딩(공정이 끝난 웨이퍼를 장비 밖으로 꺼내는 작업)하는 등의 주요 공정이 대부분 자동화돼 있다. 회사의 설명에 따르면 생산 조건과 입력값을 엔지니어가 직접 승인하는 비율도 현재 3% 미만이다. 하지만 예상하지 못한 문제가 발생하면 얘기가 달라진다. AI가 이상을 발견하더라도 어떤 조치를 취할지는 여전히 사람이 판단해야 하는 경우가 있고, 일부 주변 설비는 작업자가 직접 조작해야 한다. 사람이 현장에 올 때까지 생산이 멈출 수도 있다는 의미다. 아이브이웍스가 이 간극을 AI 에이전트와 추가 설비 자동화로 줄이는 작업에 나섰다. 회사는 최근 중소벤처기업부의 ‘제조AI특화 스마트공장 구축지원사업’ 도입 기업으로 선정됐다. 향후 9개월간 국비를 포함해 약 29억원을 투입해
화합물 반도체 소재 전문기업 아이브이웍스가 중소벤처기업부 주관 ‘제조AI특화 스마트공장 구축지원사업’ 도입 기업으로 최종 선정돼 설비 가동률을 기존 84%에서 89%까지 높이는 공정 완전 자율화에 나선다. 아이브이웍스는 이번 선정에 따라 향후 9개월간 국비 지원을 포함해 약 29억 원을 투입하고, 현재 추진 중인 ‘AI 기반 스마트공장 시스템 고도화’ 작업에 속도를 낼 예정이라고 14일 밝혔다. 제조AI특화 스마트공장 구축지원사업은 제조 현장의 업종과 공정에 특화된 맞춤형 AI 지원을 통해 기업 경쟁력을 강화하는 것을 목적으로 한다. 아이브이웍스는 지난 7년간 AI 기반 스마트공장 시스템 ‘DOMM(돔)’을 독자적으로 구축해왔다. RHEED 수집 파이프라인과 분석 모델 6종, XRD 측정 자동화, MRA(MBE Run Automation) 등 핵심 기술을 기반으로 AI 정량 계측(Lv.1~2), AI 판정 기반 공정(Lv.3), AI 기반 자동생산(Lv.3)까지 단계별 시스템을 완성했다. 현재는 다음 단계인 ‘자율 공정 운영(Lv.4)’을 추진하고 있다. 이번 지원을 통해 해당 단계에서 발생하는 구조적 한계를 해결하고 AI 에이전트 개발과 설비 자동화를 추진
중국이 4개월간 중단했던 일본 대상 갈륨 수출을 재개했다. 다만 게르마늄과 일부 희토류 공급은 여전히 제한되면서 일본 첨단 산업 공급망의 불확실성은 이어지고 있다. 로이터에 따르면 중국 세관 데이터에서 중국은 지난 5월 일본에 갈륨 6000kg을 수출한 것으로 나타났다. 일본은 해당 월 중국산 갈륨을 수입한 유일한 해외 국가였다. 이번 선적은 중국이 올해 초 일본에 대한 갈륨 수출을 사실상 중단한 이후 처음 재개된 물량으로 파악된다. 갈륨은 반도체, 전기차 급속충전기, 신재생에너지 기술, 레이더 등 첨단 산업과 군사 분야에 쓰이는 전략 금속이다. 특히 질화갈륨(GaN)과 갈륨비소(GaAs) 기반 반도체는 고주파·고출력 전자장비와 통신 장비, 방산 시스템 등에 활용된다. 그러나 게르마늄 수출은 여전히 재개되지 않았다. 게르마늄은 광섬유, 적외선 광학장비, 위성·군사 감시 시스템, 태양전지 등에서 쓰이는 핵심 소재다. 로이터는 중국의 일본 대상 게르마늄 수출이 계속 보류된 상태라고 전했다. 중국은 갈륨과 게르마늄을 포함한 전략 광물 공급망에서 큰 영향력을 갖고 있다. 이들 금속은 민간 산업뿐 아니라 군사적 활용도 가능해 주요국의 기술 안보와 직결된다. 중국은 2
지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업 온세미(onsemi, 나스닥: ON)가 차세대 질화갈륨(GaN) 전력 제품군 'GaNEXUS™'를 출시하고 40V~650V 전압 범위의 GaNEXUS FET와 GaNEXUS 스마트 650V GaN FET의 초기 샘플 공급을 시작했다고 밝혔다. 이번 신제품은 AI 데이터센터 전원 공급, 48V 시스템, 로보틱스, 산업 자동화, 에너지 인프라 등 전력 소모가 높은 애플리케이션을 주요 타깃으로 한다. GaNEXUS 제품군은 기존 실리콘 기반 솔루션 대비 더 빠른 스위칭 속도, 낮은 스위칭 손실, 높은 전력 밀도, 향상된 열 성능을 핵심 특성으로 갖췄다. 이를 통해 고객은 자기 부품(magnetics) 및 냉각 시스템의 크기를 줄이는 동시에 전체 시스템의 효율성과 응답성을 높이고 시스템 비용을 절감할 수 있다. AI 데이터센터 전력 공급, 전기차 충전부터 로보틱스, 산업용 전력 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 폭넓게 적용 가능하다. GaNEXUS는 온세미의 기존 실리콘 및 엘리트 실리콘카바이드(EliteSiC) 기술과 함께 온세미의 전력 포트폴리오를 구성하며, 고객이 전력 공급 아키텍처 전반에서 성능과 효율성, 열 특
질화갈륨(GaN) 기반 전력증폭기 기술 연구로 한국대드론산업협회(KADIA) 우수기술상 수상 고출력마이크로파(HPM) 무기 소형·경량화 구현 기술 방법론 제시 “기존 HPM 장비의 부피·무게 최대 60% 절감”...드론에 탑재 가능한 실전적 대안 평가 본에이아이가 ‘대드론(c-UAS) 전용 지향성 고출력마이크로파(HPM) 무기 기술’ 관련 연구로 기술력을 인정받았다. 사측은 한국대드론산업협회(KADIA) 주관 ‘KADIA 학술대상’에서 우수기술상을 받았다. 이번 시상식은 KADIA가 주최한 대드론 산업 기술 컨퍼런스 및 정기총회의 부대 행사로 열렸다. 본에이아이 연구팀은 협회 공식 학술지 ‘대드론산업기술’에 등재된 논문 중, 전장 운용의 핵심인 HPM 무기 체계 소형화 기술을 제시한 공로를 인정받아 이번 성과를 달성했다. 해당 수상은 HPM 무기 체계의 실전 배치 가능성을 구체화했다는 점에서 업계에 주목받고 있다. 회사는 이를 기점으로, 차세대 전자전 무기 시장의 주도권을 확보하기 위한 토대를 마련했다고 평가했다. 수상 논문인 ‘지향성 HPM 무기의 드론 탑재를 위한 소형·경량화 기술’은 질화갈륨(GaN) 기반 고출력 전력증폭기를 활용한 점이 특징이다. 이를
세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 질화갈륨(GaN) 기술의 정수를 담은 하프 브리지 전력 IC인 ‘MasterGaN6’를 출시하며 전력 관리 시장의 세대교체를 예고했다. 이번 신제품은 높은 집적도와 설계 유연성을 결합해 컨슈머 기기부터 산업용 전원 공급 장치까지 폭넓은 애플리케이션에 최적화된 성능을 제공한다. MasterGaN6의 가장 큰 특징은 단 140mΩ의 낮은 온저항($R_{DS(on)}$)을 제공하는 고성능 GaN 전력 트랜지스터와 고도화된 BCD 드라이버를 단일 패키지에 통합한 ‘시스템 인 패키지(SiP)’ 구조다. 이를 통해 기존 실리콘 기반 솔루션보다 훨씬 빠른 스위칭 속도와 높은 에너지 효율을 구현했으며, 전력 손실을 획기적으로 줄였다. 특히 이번 2세대 제품에는 결함 표시(Fault) 및 스탠바이 기능을 위한 전용 핀이 추가되어 더욱 스마트한 시스템 관리가 가능해졌다. 저부하 효율을 극대화하는 초고속 웨이크업 기능과 고주파수 동작을 지원하는 첨단 드라이버 기술은 제조사가 PCB(인쇄회로기판) 크기를 대폭 줄이고 부품 원가(BOM)를 절감할 수 있도록 돕는다. MasterGaN6은 최대 10A의 전류를 처리할 수 있어
반도체 소재 스타트업 아이브이웍스(대표 노영균)가 전력반도체 원천 소재인 ‘질화갈륨(GaN) 단결정 웨이퍼 제조기술’로 녹색기술 인증을 취득했다고 12일 밝혔다. 녹색 인증은 ‘탄소중립기본법’에 의거해 유망한 녹색기술을 인증하고 지원하는 제도로 산업자원부, 중소벤처기업부 등 8개 부처가 전담해 평가한다. 이번에 인증받은 기술은 질화갈륨 전력반도체 응용제품의 원천 소재인 ‘질화갈륨 단결정 웨이퍼’를 제조하는 기술이다. 전통적인 잉곳 제조 방식 대신 HVPE(수소화물 기상 증착법)와 In-situ separation 특화 방식을 통해 웨이퍼의 수율 향상 및 대구경화가 가능하다. 여기에 이를 기반한 수직 구조 전력반도체용 GaN on GaN 에피웨이퍼를 사용하여 EV 인버터, AI 데이터센터 전원공급기, 신재생 에너지 전력변환 등 1kV 급 고전압 전력반도체의 특성을 충족시킨다. 실리콘 반도체의 3배에 달하는 전자적 특성 덕분에 전력 변환 효율을 극대화하고 에너지 낭비를 최소화하여 녹색기술 구현에 기여할 수 있다. 아이브이웍스는 질화갈륨 단결정 기술을 통해 전기차 배터리 성능을 약 20% 개선해 EV 보급 확대에 기여하고, 태양광 PV 인버터 효율 향상으로 실리콘
ST마이크로일렉트로닉스가 가전제품과 산업용 드라이브의 에너지 효율과 성능을 높이면서 비용 절감까지 가능하게 하는 최신 질화갈륨(GaN) 기반 모션 제어용 스마트 전력 부품을 공개했다. 현재 GaN 기술은 노트북 전원 어댑터와 USB-C 고속 충전기 분야에서 이미 높은 효율성과 전력 밀도를 입증하며, 강화되는 친환경 설계 기준을 충족하는 핵심 기술로 자리 잡고 있다. ST는 이러한 GaN 기술을 세탁기, 헤어드라이어, 전동 공구, 공장 자동화 설비 등 모터 구동이 필요한 가전·산업 제품 영역으로 확장했다. 이번에 공개된 ST의 신규 GaN IC는 모터 드라이브에 적용될 수 있도록 설계돼, 기존 실리콘 기반 솔루션 대비 높은 전력 효율과 컴팩트한 설계를 동시에 구현할 수 있도록 지원한다. 이를 통해 제품의 에너지 소비를 줄이는 동시에, 더 작은 제어 모듈과 경량 폼팩터 설계가 가능해진다. 도메니코 아리고 ST 애플리케이션별 제품 사업부 사업본부장은 “새로운 GaNSPIN 시스템인패키지(SiP) 플랫폼은 모션 제어 애플리케이션에서 와이드밴드갭 기술의 장점을 극대화하도록 설계됐다”며 “시스템 성능 최적화와 신뢰성을 동시에 확보해, 차세대 가전제품이 더 높은 회전 속
인피니언 테크놀로지스는 AEC(자동차용 전자부품협회) 표준 인증을 받은 업계 최초의 자동차 등급 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 제품군을 출시했다고 밝혔다. 인피니언은 이번 제품을 통해 GaN 및 차량용 반도체 분야에서의 리더십을 더욱 강화하고 있다. 이번에 양산을 시작한 CoolGaN 자동차용 트랜지스터 100V G1 제품군은 고전압(HV) CoolGaN 트랜지스터와 양방향 스위치를 포함해 AEC-Q101 인증을 받은 시제품의 샘플 공급도 시작됐다. 인피니언은 저전압 인포테인먼트 시스템부터 온보드 충전기(OBC) 및 트랙션 인버터의 고전압 솔루션에 이르기까지 자동차 산업의 변화하는 요구를 충족하는 혁신적 솔루션을 제공하고 있다. 인피니언 GaN 사업부 책임자인 요하네스 쇼이스볼은 “인피니언은 성장하는 소프트웨어 정의 차량(SDV) 및 전기차 시장에 GaN 전력 기술을 도입함으로써 차량용 반도체 솔루션 분야의 리더로서 입지를 더욱 공고히 할 것”이라며 “100V GaN 차량용 트랜지스터와 고전압 범위로의 포트폴리오 확장은 자동차 애플리케이션에 최적화된 에너지 효율적이고 신뢰성 높은 전력 트랜지스터 개발의 중요한 이정표”라고 말했다. 첨단 운전자 보조 시스템(AD
아이멕(Imec)이 전력 반도체의 대형화와 제조 효율 향상을 위한 300mm(밀리미터) GaN(질화갈륨) 오픈 이노베이션 프로그램 트랙을 출범했다. 이번 프로그램은 GaN 전력 전자 기술에 관한 imec 산업 제휴 프로그램(IIAP)의 일환으로, 엑시트론(AIXTRON), 글로벌파운드리(GlobalFoundries), KLA 코퍼레이션, 시놉시스(Synopsys), 비코(Veeco) 등 글로벌 반도체 장비 및 설계 기업이 첫 파트너로 참여했다. Imec은 이번 트랙을 통해 300mm GaN 에피택셜 성장(Epitaxy)과 저·고전압용 GaN HEMT(고전자이동도 트랜지스터) 공정 플로우를 개발한다. 300mm 기판을 적용하면 생산 단가를 낮추고, CPU·GPU용 고효율 저전압 POL(Point-Of-Load) 컨버터 등 차세대 전력 전자 소자 개발이 가능해진다. 이미 시장에서는 GaN 기반 초고속 충전기가 상용화되며 GaN의 잠재력을 입증했다. 실리콘(Si) 기반 솔루션 대비 소형·경량·고효율을 갖춘 GaN 기술은 자동차용 온보드 충전기(OBC), 태양광 인버터, AI 데이터센터 전력 분배 시스템 등 고효율·저전력 산업의 핵심으로 부상하고 있다. 현재 대부분
웨이비스는 천안테크노파크 내 9398㎡(2843평) 규모 부지를 생산 시설 용도로 67억 원에 매입하는 계약을 체결했다고 공시했다. 이는 상장 이후 첫 대규모 생산 인프라 투자로, 생산 안정성과 납기 경쟁력 강화는 물론 향후 초고주파 대역 사업 확장을 위한 선제적 조치다. 확보한 부지는 반도체 기업 집적지인 천안에 위치해 산업 인프라와 지원 혜택을 활용할 수 있고, 북천안IC에서 2km 거리에 있어 물류 조건도 우수하다. 기존 평택 생산 시설과의 접근성으로 인력과 자원 활용 시너지도 기대된다. 웨이비스는 이번 투자를 통해 최근 상용화를 마친 X-밴드(812㎓) 질화갈륨 RF 반도체 파운드리 사업을 본격 확장하고 향후 Ku-밴드(12~18㎓) 등 초고주파 기술 개발에도 속도를 높일 계획이다. X-밴드는 6G 위성통신, 안티드론, 첨단 무기체계 등에 활용되며 Ku-밴드는 고정밀 요격무기체계 등 차세대 방산 분야의 필수 기술로 꼽힌다. 웨이비스는 국내 최초로 GaN RF 반도체 칩 국산화와 양산 체계를 구축했으며 최근 글로벌 고객으로부터 고출력 GaN 파운드리 수주를 시작했다. 또한 고주파 집적회로 MMIC와 FEM용 파운드리 서비스로 시장 공략을 확대하고 있다.
웨이비스가 한화시스템과 75억 원 규모의 ‘천마(K-31)’ 고주파 신호발생 모듈 결합체 공급 계약을 체결했다고 2일 밝혔다. 이번 계약으로 웨이비스는 향후 천마 체계의 MRO(유지·보수·정비) 사업에서 장기적이고 안정적인 추가 매출을 확보할 수 있는 기반을 마련했다. 무기체계의 총 운용 비용에서 초기 도입가는 20~30% 수준에 불과하며, MRO 부문이 70~80%를 차지하는 만큼 체계 운용 전 주기에 걸쳐 누적 매출이 크게 확대될 것으로 기대된다고 회사는 설명했다. 웨이비스가 국산화에 성공한 고주파 신호발생 모듈 결합체는 천마의 교전 능력과 직결되는 핵심 부품으로, 기존 수입 의존 부품을 대체해 공급망 안정성과 정비 효율성을 높였다. 이번 성과는 정부가 강조하는 방산 육성 3대 축(핵심 부품 국산화, 수명주기 기반 MRO 전환, 방산 수출 확대)과도 맞닿아 있다. 천마는 단거리 지대공 무기체계로 1999년부터 100여 기 이상 육군에 배치돼 왔으며, 향후 전량에 대한 순차적 성능 개량과 정비 수요가 꾸준히 발생할 전망이다. 웨이비스의 이번 계약 물량은 약 20여 기분의 유지보수 규모로, 장기적으로 상당한 누적 매출을 기대할 수 있다. 최윤호 웨이비스 CT
웨이비스가 20일부터 23일까지 평창 알펜시아리조트에서 열린 ‘2025년 한국전자파학회 하계종합학술대회’에 참가해 최신 질화갈륨(GaN) 반도체 연구 성과와 국내 최초 X-밴드 MMIC 파운드리 서비스를 공개했다. 올해로 13회를 맞은 한국전자파학회 하계종합학술대회는 국내 최대 규모 ICT 학술 교류의 장으로, 매년 산·학·연·관에서 1700명 이상이 참석해 700편 이상의 논문을 발표한다. 1989년 창립된 학회는 현재 누적 회원 수 1만3000여 명을 기록하며 국내 ICT 4대 학회로 자리잡았다. 웨이비스는 이번 학술대회 홍보 부스를 통해 올해 핵심 과제로 추진 중인 0.2㎛ 공정 기반 X-밴드 질화갈륨 반도체 고주파 집적회로(MMIC) 파운드리 서비스를 선보였다. X-밴드(8~12㎓) 주파수 대역은 첨단 무기체계와 안티드론 솔루션, 차세대 6G 위성통신 등 활용 범위가 넓어 관련 산업 확장성이 크다는 평가를 받고 있다. 웨이비스는 지난 6월 한국군사과학기술학회에서 X-밴드 고출력 전력증폭기(HPA) MMIC 시연에 이어 이번 학술대회에서는 X-밴드 스위치 MMIC까지 선보이며 국방 반도체 국산화 성과를 강조했다. 동시에 연구기관과 학계에 파운드리 서비스
함정 건조 일정에 맞춰 후속 호위함에도 추가 모듈 공급 이어질 것으로 보여 웨이비스가 대한민국 해군의 차세대 호위함 사업인 FFX Batch-IV(울산급 배치-IV) 양산 프로젝트에 본격 참여한다. 회사는 한화시스템과 130억 원 규모의 다기능 레이더용 송신 모듈 공급 계약을 체결했다고 9일 밝혔다. FFX Batch-IV 사업은 포항급 초계함과 울산급 호위함의 교체는 물론, 과거 해역함대 기함이었던 광개토대왕급 구축함 대체까지 아우르는 대형 국방 프로젝트다. 이번 계약에 따라 웨이비스는 향후 함정 건조 일정에 맞춰 후속 호위함에도 추가 모듈 공급이 이어질 것으로 기대하고 있다. 웨이비스는 이미 FFX Batch-III(충남급 호위함) 사업에 참여해 다기능 레이더 송신 모듈의 성능과 신뢰성을 입증한 바 있다. 2023년 7월에는 344억 원 규모의 질화갈륨(GaN) RF 모듈 양산 계약을 수주하며 대량 생산 역량까지 확보했다. 이번 FFX Batch-IV 수주도 이러한 기술력과 생산력을 인정받은 결과로 평가된다. 최윤호 웨이비스 CTO는 “웨이비스 송신 모듈은 고출력과 고신뢰성이 요구되는 다기능 레이더 분야에서 실전 적용을 통해 기술력을 검증받았다”며, “이
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