산업동향 로옴 세미컨덕터 코리아, "스위칭 손실 크게 저감한 ‘SiC-MOSFET’ 본격 양산 시작"

로옴 세미컨덕터 코리아는 지난 8월 27일 쉐라톤 서울 디큐브시티 호텔에서 열린 간담회를 통해 로옴이 향후 계획 등을 발표하고 본격 양산 개시하는 신제품을 자세히 알렸다. 이 제품은 트렌치 구조를 채용해 기존의 Planar 타입 SiC-MOSFET에 비해 동일 칩 사이즈로 ON 저항을 50% 낮추었으며, 입력용량이 35% 저감됨에 따라 스위칭 성능 또한 향상시킨 것이 특징이다. 로옴 주식회사의 한국지사인 로옴 세미컨덕터 코리아(이하, 로옴)는 지난 8월 27일 쉐라톤 서울 디큐브시티 호텔에서 기자간담회를 갖고 세계 최초로 트렌치(Trench) 구조를 채용한 SiC-MOSFET(제품명, BSM180D12P3C007)을 개발하여, 올 4분기부터 양산한다고 밝혔다(그림 1). 그림 1. SiC Trench MOSFET 채용한 Full SiC 파워 모듈 이번 제품 발표회에는 로옴 한국지사의 권오주 대표와 로옴 본사의 나카무라 다카시( NAKAMURA TAKASHI) 부장이 참석해 로옴이 나아갈 길을 제시하고 양산에 들어갈 신제품의 특징을 설명했다. 트렌치 구조는 칩 표면에 홈을 형성해, 그 측벽에 MOSFET의 게이트를 형성한 것이다. Planar 타입 MOSFET

• 2015-10-06 17:01