SiC 와이드 밴드갭 반도체 효율 개선으로 고효율 전력 반도체 수요 대응
넥스페리아가 14일 미쓰비시 전기와 전략적 파트너십을 체결해 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET을 공동 개발한다고 발표했다.
반도체 분야에서 각각의 전문성을 가진 양사는 이번 협력으로 실리콘 카바이드 와이드 밴드갭 반도체의 에너지 효율성과 성능을 한 단계 끌어올리게 된다. 양사는 이를 통해 고효율 전력 반도체의 급증하는 수요에 대응할 것으로 보인다.
미쓰비시 전기의 전력 반도체 제품군은 고객사가 자동차, 가전 제품, 산업용 장비 및 트랙션 모터 등 다양한 부문에서 에너지를 상당히 절감하도록 해준다. 고신뢰도, 고성능 실리콘 카바이드 모듈 업계에서 기술력을 인정받은 미쓰비시 전기의 제품들은 대표적으로 일본의 신칸센 고속 열차에 채용되고 있다.
넥스페리아는 부품 개발, 생산 및 적격성 평가 분야에서 수십 년의 경험을 보유한 회사다. 넥스페리아는 고효율 및 신뢰성 전력 반도체의 급증하는 수요를 충족하도록 설계된 고품질 와이드 밴드갭 소자를 제공하고 있다. 유럽에 본거지를 두고 자동차 및 산업에서 모바일 및 소비 가전에 이르기까지 다양한 영역의 글로벌 고객사를 확보한 넥스페리아는 특히 개별 소자 패키징 분야에서 탁월한 전문성을 확보했다.
넥스페리아의 바이폴라 소자 사업부 수석 부사장 겸 총괄 책임자인 마크 로엘로프젠(Mark Roeloffzen)은 "당사는 미쓰비시 전기와 상호 이익이 되는 전략적 파트너십을 통해 실리콘 카바이드 기술 분야에서 새로운 진전을 이루게 됐다”고 말했다.
이어 그는 “기술적으로 입증된 실리콘 카바이드 소자 및 모듈 공급업체로서의 탄탄한 실적을 보유한 미쓰비시 전기와 이 분야 개별 소자 및 패키징 기술의 고품질 표준 및 전문성을 가진 넥스페리아는 상호 협력을 통해 긍정적인 시너지 효과를 창출해 대고객 서비스를 확대해 산업용, 자동차 및 소비자 제품 시장에서 더욱 고 에너지 효율 제품을 제공할것”이라고 소감을 피력했다.
미쓰비시 전기의 반도체 및 소자 부문 그룹 사장 겸 임원인 마사요시 타케미 (Masayoshi Takemi) 박사는 "넥스페리아는 고품질 이산 반도체 분야에서 입증된 기술을 보유한 업계 선두 기업이다. 양사의 탁월한 반도체 기술을 활용한 공동 개발 파트너십에 합의하게 돼 감회가 새롭다"고 언급했다.
헬로티 서재창 기자 |
