비테스코, 온세미 생산 영역에 2억 5000만 달러 투자...‘핵심 반도체 기술 접근성 확보로 전기화 성장 뒷받침’
SiC는 실리콘·탄소로 구성된 반도체 재료로, SiC반도체는 동력장치에 스위치 역할을 하는 전력반도체다. SiC반도체는 결국 모터 동력을 관장하는 인버터 핵심부품이다. 실리콘반도체 대비 약 10배가량 내구성이 강해 에너지 효율이 높고, 10배에 해당하는 만큼 공간 효율성도 갖춰 전기차 분야 최적 기술로 부상했다.
이에 온세미와 비테스코 테크놀로지스(이하 비테스코)가 실리콘 카바이드(SiC) 장기 공급 계약을 체결했다. 10년간 총 19억 달러 규모다.
하산 엘 코우리(Hassane El-Khoury) 온세미 CEO는 “이번 협력으로 전기차 주행거리 연장 및 고성능에 대한 비테스코 고객 요구를 충족할 수 있을 것”이라고 말했다.
한편, 비테스코는 온세미에 SiC 기판(Boule) 성장·웨이퍼 생산 신규 장비 도입·에피택시 생산 신규 장비 도입 등에 2억 5000만 달러를 투자해 SiC 용량 확보를 도모했다. 해당 장비는 SiC의 글로벌 수요 증가에 대비 전략인 SiC 웨이퍼 생산에 활용될 예정이다.
비테스코는 이번 계약을 통해 향후 트랙션 인버터 및 전기차 드라이브용 프로젝트에 온세미 엘리트 실리콘 카바이드(EliteSiC) MOSFET도 활용하기로 했다.
안드레아스 볼프(Andreas Wolf) 비테스코 테크놀로지스 CEO는 “SiC 전력 반도체는 글로벌 수요 급증 시작 단계에 있다”며 “온세미와의 이번 계약을 통해 양사가 SiC 가치 사슬에 접근하고, 향후 10년 이상 핵심 기술을 안정적으로 공급하게 됐다”고 전했다.
헬로티 최재규 기자 |
