GaN 소자 기술 협력으로 제품 개발과 세계 시장 확대 겨냥
알에프세미가 5일 캐나다 GaN Systems과 GaN(질화갈륨) 전력반도체 제품 개발과 시장 확대를 위한 MOU를 체결했다고 밝혔다.
GaN Systems는 650V급 GaN 전력반도체 기술을 보유하고 있으며 이 분야에서 세계 선두 기업으로 시장을 주도하고 있다. 이번 협약은 알에프세미의 패키지 기술과 GaN Systems의 GaN 소자 기술 협력을 통한 제품 개발과 세계 시장 확대를 위한 것으로 보인다.
알에프세미는 전략반도체 패키지를 위해 최근 개발해 특허 등록한 '가변 적층형 방열판 패키지' 기술을 제품 개발에 적용할 예정이다. 이 기술은 기존 패키지 대비 열 방출이 뛰어나 고온에서도 안정적인 동작을 지원한다.
차세대 전력반도체로 주목받는 GaN 전력반도체는 실리콘에 질화갈륨을 입혀 제작돼 SiC(실리콘카바이드) 전력반도체 대비 가격 경쟁력을 가졌으며 사용 전압이 낮지만 고속 스위칭이 가능해 소형 가전에 주로 사용되고 있다.
1000V 이상 높은 전압에서 잘 견디는 SiC 전력반도체는 전기차 분야의 충전 및 모터구동 분야에서, 650V급에서 빠른 동작 속도를 갖는 GaN 전력반도체는 휴대폰, 노트북, 가전제품 전원장치, 충전기 등에 사용된다. 최근 전기차 내부 전원장치, 자율주행용 라이다 센서에 적용이 확대되고 있다.
알에프세미 이진효 대표는 "SiC 전력반도체 파운드리 생산에 이어 GaN 전력반도체 제품 개발을 기반으로 복합모듈 제품을 개발해 회사 성장에 기여할 것"이라고 밝혔다.
시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면, GaN 전력반도체 시장은 지난해 7800만 달러에서 2026년 연평균 70%씩 성장해 11억 달러를 기록할 것으로 전망된다.
헬로티 서재창술 기자 |
