기사 1편을 보시고 오면 좋습니다. [헬로AX] 자동화는 이미 '끝났다'...아이브이웍스가 '자율공정'을 말하는 이유 제조 현장에 AI를 적용하려면 AI가 무엇을 정상으로 보고 어떤 상황을 이상으로 판단해야 하는지 학습할 데이터가 필요하다. 화합물 반도체 소재 전문기업 아이브이웍스가 2019년 생산 현장에 AI를 도입할 당시 택한 방법도 데이터에서 출발하는 것이었다. 외부의 범용 AI 솔루션을 생산라인에 적용하는 대신, 질화갈륨(GaN) 에피웨이퍼 생산 과정에서 나오는 데이터를 직접 모으고 이를 분석하는 AI 모델과 자동화 시스템도 자체 개발했다. 현재 아이브이웍스가 보유한 생산 시계열 데이터는 3억 3000만 건 이상, 반도체 결정이 성장하는 상태를 실시간으로 보여주는 RHEED(반사 고에너지 전자회절) 데이터는 30TB를 넘는다. 회사는 이를 기반으로 AI 에피택시 플랫폼 ‘DOMM’을 고도화하고 실제 양산라인의 분석과 자동화에 활용하고 있다. 실제 양산라인에 적용하는 과정에서는 시행착오도 있었다. 연구 단계에서 성능이 좋았던 AI도 실제 생산라인에 들어가자 정상적인 상황을 이상으로 판단하는 오탐이나 예상하지 못한 예외 상황에 부딪혔다. 같은 종류의 생산
생산설비가 사람이 미리 정해둔 순서대로 움직이는 것과, 생산 중 발생하는 상황을 파악해 다음에 무엇을 해야 할지 시스템이 스스로 판단하는 것은 완전히 다르다. 전자가 ‘자동화’라면, 후자는 ‘자율공정’이다. 화합물 반도체 소재 전문기업 아이브이웍스(IVWorks)의 생산라인에서는 이미 웨이퍼를 로딩(장비 내부에 투입)한 뒤 성장공정(기판 위에 질화갈륨 결정층을 형성하는 과정)을 수행하고, 이후 언로딩(공정이 끝난 웨이퍼를 장비 밖으로 꺼내는 작업)하는 등의 주요 공정이 대부분 자동화돼 있다. 회사의 설명에 따르면 생산 조건과 입력값을 엔지니어가 직접 승인하는 비율도 현재 3% 미만이다. 하지만 예상하지 못한 문제가 발생하면 얘기가 달라진다. AI가 이상을 발견하더라도 어떤 조치를 취할지는 여전히 사람이 판단해야 하는 경우가 있고, 일부 주변 설비는 작업자가 직접 조작해야 한다. 사람이 현장에 올 때까지 생산이 멈출 수도 있다는 의미다. 아이브이웍스가 이 간극을 AI 에이전트와 추가 설비 자동화로 줄이는 작업에 나섰다. 회사는 최근 중소벤처기업부의 ‘제조AI특화 스마트공장 구축지원사업’ 도입 기업으로 선정됐다. 향후 9개월간 국비를 포함해 약 29억원을 투입해
지능형 전력 및 센싱 기술 기업 온세미(Nasdaq: ON)가 엔비디아 MGX(NVIDIA MGX) 생태계 내에서 전력 솔루션 지원을 대폭 강화하며 차세대 AI 팩토리 및 데이터센터 시장 공략에 나섰다. AI 인프라 전력 수요가 랙당 1MW를 넘어설 것으로 전망되는 가운데, 온세미가 공급망 안정성과 전력 변환 기술력을 바탕으로 AI 인프라의 핵심 병목을 해소하는 역할을 맡겠다는 포부다. 엔비디아 MGX는 OEM 업체와 시스템 구축 업체가 개발 복잡성을 줄이고 AI 인프라를 빠르게 구성·구축·확장할 수 있도록 설계된 모듈형 빌딩 블록 아키텍처다. 온세미는 이 생태계 내 전력 변환의 전 단계를 지원하는 기술을 공급하고 있으며, 실리콘·실리콘 카바이드(SiC)·질화갈륨(GaN) 기술의 자체 생산 능력과 전문성을 바탕으로 공급망 회복탄력성도 함께 확보하고 있다. 온세미의 기술 지원은 전원 공급 장치(PSU)부터 배터리 백업 장치(BBU) 공급업체, MGX 시스템의 모듈화를 지원하는 800 VDC PDB 공급업체에 이르기까지 광범위한 영역을 아우른다. 특히 새롭게 부상하는 800 VDC 고전압 전력 아키텍처는 랙당 전력 밀도를 1MW 이상으로 끌어올리는 동시에 효율성
질화갈륨(GaN) 기반 전력증폭기 기술 연구로 한국대드론산업협회(KADIA) 우수기술상 수상 고출력마이크로파(HPM) 무기 소형·경량화 구현 기술 방법론 제시 “기존 HPM 장비의 부피·무게 최대 60% 절감”...드론에 탑재 가능한 실전적 대안 평가 본에이아이가 ‘대드론(c-UAS) 전용 지향성 고출력마이크로파(HPM) 무기 기술’ 관련 연구로 기술력을 인정받았다. 사측은 한국대드론산업협회(KADIA) 주관 ‘KADIA 학술대상’에서 우수기술상을 받았다. 이번 시상식은 KADIA가 주최한 대드론 산업 기술 컨퍼런스 및 정기총회의 부대 행사로 열렸다. 본에이아이 연구팀은 협회 공식 학술지 ‘대드론산업기술’에 등재된 논문 중, 전장 운용의 핵심인 HPM 무기 체계 소형화 기술을 제시한 공로를 인정받아 이번 성과를 달성했다. 해당 수상은 HPM 무기 체계의 실전 배치 가능성을 구체화했다는 점에서 업계에 주목받고 있다. 회사는 이를 기점으로, 차세대 전자전 무기 시장의 주도권을 확보하기 위한 토대를 마련했다고 평가했다. 수상 논문인 ‘지향성 HPM 무기의 드론 탑재를 위한 소형·경량화 기술’은 질화갈륨(GaN) 기반 고출력 전력증폭기를 활용한 점이 특징이다. 이를
ST마이크로일렉트로닉스가 공진형 컨버터 토폴로지에 최적화된 위상변이 제어(PSC) 기능을 탑재한 ‘STNRG599A’와 ‘STNRG599B’ 컨트롤러를 출시했다. 전원공급장치의 무부하 효율을 높이고, 조명 애플리케이션에서 깜박임 없는 딥 디밍을 구현할 수 있도록 설계된 것이 특징이다. 이번에 공개된 두 제품은 최대 750kHz 주파수에서 동작하며, 넓은 입력 전압 범위를 지원해 90W급 어댑터부터 수백 와트급 산업용 전원공급장치까지 대응한다. STNRG599A는 어댑터, 충전기, TV 전원공급장치, 산업용 전원공급장치용으로 설계됐으며 X-커패시터 방전 회로를 내장했다. 반면 STNRG599B는 조명 드라이버에 최적화돼 있으며 방전 회로는 포함되지 않았다. 각 IC는 180° 위상차를 갖는 두 개의 상보 출력을 통해 외부 하이사이드 및 로우사이드 스위치를 구동하며, 전체 동작 범위에서 ZVS(Zero-Voltage Switching)를 유지한다. 위상변이 제어 기술은 하프 브리지 전압과 공진 탱크 전류 간 위상차를 직접 제어해 출력을 조절함으로써 LLC/LCC 구성요소 허용오차에 대한 제어 안정성을 높이고, 입력 전압 리플 내성을 강화한다. 또한 버스트 모드
ST마이크로일렉트로닉스가 가전제품과 산업용 드라이브의 에너지 효율과 성능을 높이면서 비용 절감까지 가능하게 하는 최신 질화갈륨(GaN) 기반 모션 제어용 스마트 전력 부품을 공개했다. 현재 GaN 기술은 노트북 전원 어댑터와 USB-C 고속 충전기 분야에서 이미 높은 효율성과 전력 밀도를 입증하며, 강화되는 친환경 설계 기준을 충족하는 핵심 기술로 자리 잡고 있다. ST는 이러한 GaN 기술을 세탁기, 헤어드라이어, 전동 공구, 공장 자동화 설비 등 모터 구동이 필요한 가전·산업 제품 영역으로 확장했다. 이번에 공개된 ST의 신규 GaN IC는 모터 드라이브에 적용될 수 있도록 설계돼, 기존 실리콘 기반 솔루션 대비 높은 전력 효율과 컴팩트한 설계를 동시에 구현할 수 있도록 지원한다. 이를 통해 제품의 에너지 소비를 줄이는 동시에, 더 작은 제어 모듈과 경량 폼팩터 설계가 가능해진다. 도메니코 아리고 ST 애플리케이션별 제품 사업부 사업본부장은 “새로운 GaNSPIN 시스템인패키지(SiP) 플랫폼은 모션 제어 애플리케이션에서 와이드밴드갭 기술의 장점을 극대화하도록 설계됐다”며 “시스템 성능 최적화와 신뢰성을 동시에 확보해, 차세대 가전제품이 더 높은 회전 속
온세미는 글로벌파운드리와 최첨단 200mm eMode GaN-on-silicon 공정을 기반으로 질화갈륨(GaN) 전력 제품을 개발하고 제조 협력을 추진할 계획이라고 발표했다. 이번 협력을 통해 온세미는 고성능 GaN 디바이스와 통합 파워 스테이지 로드맵을 가속화하고, 고전압 제품으로 포트폴리오를 확장해 AI 데이터센터, 전기차, 재생에너지, 산업 시스템, 항공우주, 보안 분야에서 증가하는 전력 수요에 대응할 방침이다. 디네시 라마나선 온세미 기업 전략 부문 수석 부사장은 “이번 협력은 온세미의 시스템 및 제품 전문성과 글로벌파운드리의 첨단 GaN 공정을 결합해 고성장 시장을 위한 새로운 650V 전력 디바이스를 제공하는 데 의미가 있다”고 전했다. 그는 “해당 GaN 제품은 온세미의 실리콘 드라이버와 컨트롤러와 결합돼, 고객이 AI 데이터센터, 전기차, 항공우주 등 다양한 분야에서 더 작고 효율적인 전력 시스템을 구축할 수 있도록 지원할 것”이라며 “온세미는 2026년 상반기부터 고객 샘플 공급을 시작하고, 이후 신속하게 양산 규모로 확대해 나갈 계획”이라고 덧붙였다. 마이크 호건 글로벌파운드리 최고사업책임자는 “글로벌파운드리의 200mm GaN-on-Si
ST마이크로일렉트로닉스가 소형·고효율 USB-PD 충전기, 고속 배터리 충전기, 보조 전원공급장치의 설계와 구현을 간소화하는 GaN(갈륨 나이트라이드) 플라이백 컨버터 시리즈를 출시했다. 이번 신제품은 ST의 독보적 전력 관리 기술을 기반으로, 부하가 줄어든 상태에서도 충전기와 전원공급장치가 무소음으로 작동하도록 지원해 사용자 경험을 향상시킨다. 신제품 라인업은 700V GaN 전력 트랜지스터가 내장된 VIPerGaN50W를 중심으로 구성되며, 플라이백 컨트롤러와 최적화된 게이트 드라이버를 하나의 소형 전력 패키지에 통합했다. 통합 게이트 드라이버는 게이트 저항 및 인덕턴스 보정을 위한 별도 설계 작업이 필요하지 않아 제품 출시 기간을 단축하고, 전력 밀도를 향상시키며 부품원가(BOM)도 줄일 수 있다. 50W급 플라이백 컨트롤러는 최대 부하까지 제로 전압 스위칭(ZVS, Zero-Voltage Switching) 기반 준공진(Quasi-Resonant) 모드로 동작한다. 경부하에서는 주파수 폴드백(Frequency Foldback) 기능을, 중부하에서 고부하까지는 밸리 스키핑(Valley Skipping) 방식을 적용해 스위칭 주파수를 제어함으로써 최적의
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 산업 및 통신용 버스 전압, 72V 배터리 시스템, 110V AC 라인 전원 장비 등에 최적화된 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 STDRIVEG210과 STDRIVEG211을 출시했다고 밝혔다. 신제품은 최대 220V의 레일 전압을 지원하며, 선형 레귤레이터를 내장해 하이사이드와 로우사이드 모두에서 6V 게이트 신호를 생성한다. 또한 분리된 싱크(Sink) 및 소스(Source) 경로를 통해 정밀한 제어와 최적의 구동 성능을 구현할 수 있다. STDRIVEG210은 서버 및 통신 전원공급장치, 배터리 충전기, 어댑터, 태양광 마이크로 인버터 및 옵티마이저, LED 조명, USB-C 전력 소스 등 다양한 전력 변환 애플리케이션에 적합하다. 공진형 및 하드 스위칭(Hard-Switching) 토폴로지 모두에 적용 가능하며, 300ns의 빠른 시동 시간으로 간헐 동작(버스트 모드) 시 웨이크업 지연을 최소화한다. STDRIVEG211은 과전류 감지 및 스마트 셧다운 기능을 갖춰 전원공급장치는 물론 전동 공구, 전기 자전거, 펌프, 서보 모터 드라이브, 클래스 D 오디오 증폭기 등 다양한 응용
인피니언 테크놀로지스는 AEC(자동차용 전자부품협회) 표준 인증을 받은 업계 최초의 자동차 등급 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 제품군을 출시했다고 밝혔다. 인피니언은 이번 제품을 통해 GaN 및 차량용 반도체 분야에서의 리더십을 더욱 강화하고 있다. 이번에 양산을 시작한 CoolGaN 자동차용 트랜지스터 100V G1 제품군은 고전압(HV) CoolGaN 트랜지스터와 양방향 스위치를 포함해 AEC-Q101 인증을 받은 시제품의 샘플 공급도 시작됐다. 인피니언은 저전압 인포테인먼트 시스템부터 온보드 충전기(OBC) 및 트랙션 인버터의 고전압 솔루션에 이르기까지 자동차 산업의 변화하는 요구를 충족하는 혁신적 솔루션을 제공하고 있다. 인피니언 GaN 사업부 책임자인 요하네스 쇼이스볼은 “인피니언은 성장하는 소프트웨어 정의 차량(SDV) 및 전기차 시장에 GaN 전력 기술을 도입함으로써 차량용 반도체 솔루션 분야의 리더로서 입지를 더욱 공고히 할 것”이라며 “100V GaN 차량용 트랜지스터와 고전압 범위로의 포트폴리오 확장은 자동차 애플리케이션에 최적화된 에너지 효율적이고 신뢰성 높은 전력 트랜지스터 개발의 중요한 이정표”라고 말했다. 첨단 운전자 보조 시스템(AD
텍사스 인스트루먼트(TI)는 증가하는 인공지능(AI) 연산 수요에 대응하기 위해 12V에서 48V, 800VDC까지 확장 가능한 새로운 전력 관리 아키텍처와 반도체 솔루션을 발표했다. 이번 솔루션은 10월 13일부터 16일까지 미국 캘리포니아 새너제이에서 열리는 오픈 컴퓨트 서밋(OCP)에서 공개된다. TI는 첨단 AI 데이터센터의 성장을 지원하기 위한 새로운 전력 공급 프레임워크를 제시하며, 백서 ‘첨단 AI 컴퓨팅 성장을 대비한 전력 공급의 트레이드오프’를 통해 엔비디아와 협력한 800VDC 전력 인프라 지원 방향을 공개했다. 향후 2~3년 내 IT 랙 전력이 1MW를 초과할 것으로 전망되는 가운데, TI는 고효율·고전력 밀도 에너지 변환을 실현하기 위한 새로운 시스템 수준의 전력 공급 구조와 설계 과제를 제시했다. 또한 TI는 이번 발표에서 고부하 AI 워크로드를 위한 30kW AI 서버 전원 공급 유닛(PSU) 설계를 함께 선보였다. 듀얼 스테이지 전원 공급장치 레퍼런스 설계는 3상 3레벨 플라잉 커패시터 역률 보정(PFC) 컨버터와 듀얼 델타-델타 3상 인덕터-인덕터-커패시터(LLC) 컨버터로 구성돼 있으며, 단일 800V 출력은 물론 분리형 출력
아이멕(Imec)이 전력 반도체의 대형화와 제조 효율 향상을 위한 300mm(밀리미터) GaN(질화갈륨) 오픈 이노베이션 프로그램 트랙을 출범했다. 이번 프로그램은 GaN 전력 전자 기술에 관한 imec 산업 제휴 프로그램(IIAP)의 일환으로, 엑시트론(AIXTRON), 글로벌파운드리(GlobalFoundries), KLA 코퍼레이션, 시놉시스(Synopsys), 비코(Veeco) 등 글로벌 반도체 장비 및 설계 기업이 첫 파트너로 참여했다. Imec은 이번 트랙을 통해 300mm GaN 에피택셜 성장(Epitaxy)과 저·고전압용 GaN HEMT(고전자이동도 트랜지스터) 공정 플로우를 개발한다. 300mm 기판을 적용하면 생산 단가를 낮추고, CPU·GPU용 고효율 저전압 POL(Point-Of-Load) 컨버터 등 차세대 전력 전자 소자 개발이 가능해진다. 이미 시장에서는 GaN 기반 초고속 충전기가 상용화되며 GaN의 잠재력을 입증했다. 실리콘(Si) 기반 솔루션 대비 소형·경량·고효율을 갖춘 GaN 기술은 자동차용 온보드 충전기(OBC), 태양광 인버터, AI 데이터센터 전력 분배 시스템 등 고효율·저전력 산업의 핵심으로 부상하고 있다. 현재 대부분
아이언디바이스가 전략기획그룹을 신설하고 선정현 전 DB하이텍 상무를 부사장으로 선임했다고 밝혔다. 아이언디바이스는 30년 이상 반도체 산업에서 영업, 마케팅, 품질 등 핵심 직무를 맡아온 선정현 부사장 영입을 통해 중장기 비전 달성을 위한 핵심 전략 수립, 사업 포트폴리오 최적화, 신규 사업 발굴 등을 본격 추진할 계획이다. 선 부사장은 1992년 삼성전자 메모리사업부 상품기획 및 응용기술팀에 입사해 경력을 시작했다. 당시 엔비디아(NVIDIA) 대상 신제품 프로모션과 디자인-윈(Design-win) 확보 등의 주요 성과를 거뒀다. 이후 DB하이텍에서 약 18년간 재직하며 영업팀과 마케팅팀을 총괄했으며, 전력반도체 개발 로드맵과 중장기 사업 전략을 주도했다. 특히 전력반도체(600V/650V/700V) 초도 양산을 성공적으로 이끌고, 전기차·고속 충전기 시장을 겨냥한 GaN(질화갈륨) 및 SiC(탄화규소) 사업을 적극적으로 개발했다. 또한 고수익 파워 제품과 전력반도체 파운드리 분야에서 고부가가치 포트폴리오를 구축하는 데 기여했다. 아이언디바이스 관계자는 “반도체 영업·마케팅 분야 최고의 전문가인 선정현 부사장이 합류해 전력반도체 사업을 강화하고 글로벌 기업
인피니언 테크놀로지스는 엔비디아와 협력해 휴머노이드 로봇 개발을 가속화하고 있다고 26일 밝혔다. 인피니언은 마이크로컨트롤러, 센서, 스마트 액추에이터 기술과 엔비디아 젯슨 토르(NVIDIA Jetson Thor) 모듈을 결합해 OEM과 ODM이 확장 가능한 모터 제어 솔루션을 개발하도록 지원한다. 제조, 물류, 의료 등에서 활용되는 휴머노이드 로봇은 정밀한 동작과 높은 효율성을 요구하고 있다. 요흔 하나벡 인피니언 CEO는 “인피니언과 엔비디아의 협력을 통해 고객들이 빠르게 시장에 진입할 수 있다”며 “마이크로컨트롤러, 센서, 액추에이터와 같은 핵심 기술 포트폴리오로 휴머노이드 로봇의 감지, 이동, 동작, 연결을 지원하겠다”고 말했다. 디푸 탈라 엔비디아 부사장은 “젯슨 토르는 로보틱스와 피지컬 AI 가속화를 위해 설계됐다”며 “인피니언의 기술 통합이 고객의 제품 개발 기간을 단축하고 더 강력한 로봇 개발을 가능하게 할 것”이라고 말했다. 인피니언은 PSOC 및 AURIX 마이크로컨트롤러 제품군으로 휴머노이드 로봇 보안을 강화하고, 고속 이더넷 기능을 제공하는 BRIGHTLANE 시리즈를 포트폴리오에 포함했다. 또한 엔비디아 홀로스캔 센서 브리지와 호환되는
로옴은 마쯔다(Mazda)와 차세대 반도체로 주목을 받는 질화 갈륨(GaN) 파워 반도체를 사용한 자동차 부품의 공동 개발을 개시했다고 27일 밝혔다. 마쯔다와 로옴은 2022년부터 ‘전동 구동 유닛의 개발 및 생산을 위한 협업 체제’를 통해 실리콘 카바이드(SiC) 파워 반도체를 탑재한 인버터의 공동 개발을 추진하고 있다. 이번에 새롭게 GaN 파워 반도체를 사용한 자동차 부품의 개발에도 착수해 차세대 전동차를 위한 혁신적인 자동차 부품을 창출하고자 한다. GaN은 파워 반도체의 차세대 재료로서 주목받고 있다. 기존의 실리콘(Si) 파워 반도체에 비해 전력 변환으로 인한 손실을 억제함과 동시에, 고주파 구동을 통해 부품 사이즈의 소형화에 기여한다. 이러한 특징을 활용해 차량 전체를 고려한 패키지, 경량화, 디자인 혁신에 기여하는 솔루션으로의 전환을 위해 양사가 공동 개발을 추진하고 있다. 2025년 내에 이러한 콘셉트의 구현화 및 데모기를 통한 트라이얼을 거쳐, 2027년 실용화로 전개해 나갈 예정이다. Ichiro Hirose 마쯔다 전무 집행 임원 겸 CTO는 “반도체 기술과 고도의 시스템 솔루션 구축 능력으로 지속 가능한 모빌리티 사회의 창조를 지향하
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