25밀리옴의 온저항을 제공하는 MOSFET, 90암페어의 정격 전류를 제공하는 SBD
TPU, APU, SST, 산업용 모터 드라이브 및 에너지 인프라 솔루션의 시스템 개발자는 효율성 증대 및 시스템 크기 및 무게 절감, 신뢰성 향상을 위해 고전압 스위칭 기술을 필요로 한다.
마이크로칩테크놀로지(이하 마이크로칩)는 업계 최저 온저항을 제공하는 3.3kV SiC MOSFET과 고성능 정격 전류를 제공하는 SiC SBD를 출시해 SiC 포트폴리오를 확장했다. 해당 디바이스는 견고성, 신뢰성 및 성능 면에서 개발자에게 이점을 제공한다.
마이크로칩은 이번 SiC 포트폴리오 확장으로 전기 운송, 재생 에너지, 항공우주 및 산업 애플리케이션을 위한 더 작고 가벼운 솔루션을 개발하는 툴을 개발자에게 제공한다.
오늘날 많은 실리콘 기반의 디자인이 효율성 향상, 시스템 비용 절감 및 애플리케이션 혁신의 한계에 다다랐다. 고전압 SiC는 이러한 문제를 해결하는 검증된 대안이지만, 지금까지 3.3kV SiC 전력 디바이스의 가용성은 제한적이었다.
마이크로칩의 3.3kV MOSFET 및 SBD는 700V, 1200V 및 1700V 다이, 디스크리트, 모듈 및 디지털 게이트 드라이버를 포함하는 마이크로칩의 포괄적인 SiC 솔루션 포트폴리오의 일부다.
마이크로칩의 3.3kV SiC 전력 디바이스는 25밀리옴의 업계 최저 온저항을 제공하는 MOSFET과 90암페어의 업계 최고 정격 전류를 제공하는 SBD를 포함한다. 해당 MOSFET 및 SBD는 모두 다이 또는 패키지 폼으로 제공된다. 개발자는 해당 디바이스의 탁월한 성능으로 디자인을 단순화하고 고출력 시스템을 개발하며, 병렬 구성 요소를 적게 사용함으로써 효율적인 전력 솔루션을 구현한다.
마이크로칩의 디스크리트 제품 부문 부사장인 레옹 그로스(Leon Gross)는 “마이크로칩은 시스템 혁신을 가속화하고 신속하게 최종 제품의 경쟁 우위를 확보하는 역량을 고객에게 제공하고자 개발에 박차를 가하고 있다"고 밝혔다.
이어 그는 "고객은 마이크로칩의 새로운 3.3kV SiC 전력 제품군을 사용해 쉽고 빠르며 안정적으로 고전압 SiC로 전환한다. 실리콘 기반 디자인에 비해 우월한 해당 기술이 제공하는 많은 이점을 누린다”고 말했다.
한편, 마이크로칩은 지난 3년간 수백 개의 SiC 전력 디바이스 및 솔루션을 출시 및 생산하며 개발자가 애플리케이션 요건을 충족하는 전압, 전류 및 패키지를 찾을 수 있도록 지원해왔다.
마이크로칩의 모든 SiC MOSFET 및 SBD는 고객 신뢰도를 염두에 두고 설계됐으며, 업계 최고 수준의 견고성과 신뢰성을 자랑한다. 마이크로칩의 디바이스에는 고객 중심의 제품 단종 정책이 적용돼 고객이 필요로 하는 한 해당 제품의 생산을 보장한다.
고객은 마이크로칩의 SiC 제품을 8비트, 16비트 및 32비트 마이크로컨트롤러(MCU), 전력 관리 디바이스, 아날로그 센서, 터치 및 제스처 컨트롤러, 무선 커넥티비티 솔루션 등 마이크로칩의 여타 디바이스와 결합해 낮은 전체 시스템 비용으로 완벽한 시스템 솔루션을 구현한다.
마이크로칩의 확장된 SiC 포트폴리오는 마이크로칩의 MPLAB Mindi 아날로그 시뮬레이터 모듈 및 드라이버 보드 레퍼런스 디자인과 호환 가능한 광범위한 SiC SPICE 모델의 지원을 받는다. 인텔리전트 컨피규레이션 툴(은 개발자가 마이크로칩의 AgileSwitch 제품군의 구성 가능한 디지털 게이트 드라이버를 위한 효율적인 SiC 게이트 드라이버 설정을 효율적으로 모델링하도록 지원한다.
헬로티 서재창 기자 |
