헬로티 김진희 기자 |
위성 통신 시스템은 동영상 및 광대역 데이터 전송에 필요한 매우 높은 데이터 전송 속도를 달성하기 위해 복잡한 변조 방식을 사용한다.
이를 위해서는 높은 RF(무선 주파수) 출력 파워를 제공하는 동시에 신호가 이상적인 특성을 유지하도록 해야 한다.
마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표 한병돈)는 RF 파워와 신호 충실성(signal fidelity)을 훼손하지 않으면서 이러한 요건을 충족하는 새로운 파워 증폭기 GMICP2731-10 GaN MMIC를 출시했다.
새로 출시된 이 디바이스는 마이크로칩 최초의 GaN(질화갈륨) MMIC(단일마이크로파집적회로)로, 상용 위성 및 방위 위성 통신, 5G 네트워크, 기타 항공우주 및 방위 시스템용으로 설계됐다.
GMICP2731-10은 GaN-on-SiC (Silicon Carbide) 기술을 사용해 제작됐다. 27.5~31GHz 범위에서 3.5GHz 대역폭으로 최대 10W의 포화 RF 출력 파워를 제공하는 것이 특징이다. 전력부가효율은 20%, 소신호이득은 22dB, 반사손실은 15dB다.
GMICP2731-10은 균형 잡힌 아키텍처를 사용하고 있어 50옴(ohm)에 잘 매칭되며, 설계 통합을 간소화하기 위해 출력단에 통합 DC 차단 커패시터가 포함되어 있다.
마이크로칩의 디스크리트 제품 부문 부사장인 레옹 그로스(Leon Gross)는 “통신 시스템이 128-QAM과 같은 복잡한 변조 방식을 도입하고 SSPA(Solid-State Power Amplifier) 파워가 상승 추세를 보이면서, RF 파워 증폭기 개발자는 고전력 솔루션을 모색하는 동시에 무게와 전력 소비도 줄여야 하는 어려움에 직면했다"며 "고전력 SSPA에 사용되는 GaN MMIC는 파워 및 무게를 GaAs 제품 대비 30% 이상 절감해 위성 OEM에 큰 이점을 제공한다. GMIC2731-10은 GaN의 가능성을 실현하며 OEM이 추구하는 크기, 무게, 파워 및 비용을 제공할 수 있다”고 말했다.
마이크로칩의 GMICP2731-10은 GaA MMIC RF 파워 증폭기, 스위치, 저소음 증폭기 및 Wi-Fi 프론트엔드 모듈(FEM)로 구성된 기존 포트폴리오와 GaN-on-SiC 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 드라이버 및 레이더 시스템용 증폭기 트랜지스터 제품을 보강한다.
