로옴(ROHM)은 모터 등의 산업기기를 비롯해 모든 기기에서 센싱 데이터를 활용한 고장 징후 검출 및 열화 예측이 가능한 AI(인공지능) 기능 탑재 마이컴 ‘ML63Q253x-NNNxx/ML63Q255x-NNNxx’을 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 네트워크에 접속하지 않아도 학습과 추론을 독립적으로 실현하는 마이컴이다. 온 디바이스 AI 솔루션 ‘Solist-AI’를 실현하기 위해 심플한 3층 뉴럴 네트워크의 알고리즘을 채용했다. 클라우드 및 네트워크에 의존하지 않고 마이컴에서 학습과 추론이 가능하다. 현재 AI의 처리 모델은 클라우드 AI, 엣지 AI, 엔드 포인트 AI로 분류된다. 클라우드 AI는 클라우드 상에서, 엣지 AI는 클라우드 및 공장 설비나 PLC에 AI를 탑재하고 네트워크를 통해 학습과 추론을 실행한다. 일반적인 엔드 포인트 AI는 클라우드에서 학습하고 단말기에서 추론을 실행하기 때문에 네트워크 접속이 필요하다. 이러한 처리 모델의 경우 소프트웨어를 통해 추론을 실행하기 때문에 GPU나 고성능 CPU가 요구된다. 반면에 로옴의 AI 마이컴은 엔드 포인트 AI이지만, 온 디바이스 학습을 통해 학습과 추론을 모두 마이컴 단독으로 실행할 수 있어
로옴(ROHM)은 기업용 고성능 서버 및 AI 서버의 전원용으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항과 높은 SOA 내량을 실현한 Nch 파워 모스펫(MOSFET)을 개발했다고 26일 밝혔다. 신제품은 기업용 고성능 서버에 사용되는 12V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측 및 핫스왑 컨트롤러 (HSC) 회로에 최적인 ‘RS7E200BG(30V)’와 AI 서버에 사용되는 48V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측에 최적인 ‘RS7N200BH (80V)’, ‘RS7N160BH (80V)’의 총 3개 기종이다. 로옴은 DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm) 패키지를 새롭게 개발해 기존의 HSOP8(5.0mm×6.0mm) 패키지 대비, 패키지 내부의 칩 면적이 약 65％ 향상됐다. 이에 따라 5.0mm×6.0mm 패키지 사이즈로 ON 저항 특성을 30V 제품인 RS7E200BG는 0.53mΩ (Typ.), 80V 제품인 RS7N200BH는 1.7mΩ (Typ.)으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현해 서버 전원 회로의 고효율화에 크게 기여한다. 또한 패키지 내부의 클립 디자인 형상을 개선해 방열성을 향상시킴으로써 어플리케이션의 신뢰성 확보에
로옴(ROHM)은 650V 내압 GaN HEMT의 TOLL(TO-LeadLess) 패키지 제품 ‘GNP2070TD-Z’의 양산을 개시했다고 5일 밝혔다. TOLL 패키지는 소형, 고방열 특성과 동시에 전류 용량 및 스위칭 특성도 우수해 산업기기 및 자동차기기 중에서도 대전력 대응이 요구되는 어플리케이션에서 채용이 추진되고 있는 패키지다. 신제품은 TOLL 패키지에 제2세대 GaN on Si Chip을 탑재해 ON 저항과 입력 용량의 관계를 나타내는 디바이스 성능 지표(RDS(ON)×Qoss)에 있어서 업계 최고 수준의 수치를 실현했다. 이에 따라 고내압 및 고속 스위칭이 요구되는 전원 시스템의 한차원 높은 소형화와 저전력화에 기여한다. 신제품 양산에 있어 로옴은 베이스가 되는 일관 생산 체제에서 축적해온 디바이스 설계 기술 및 노하우를 활용하여 설계와 기획을 실시했다. 지난해 12월 10일에 발표한 TSMC와의 협업의 일환으로서 전공정은 TSMC, 후공정은 ATX에서 생산하고 있다. ATX와는 오토모티브용 GaN 디바이스의 생산에 있어서도 협업을 예정하고 있다. 오토모티브 분야에서 GaN 디바이스의 채용은 2026년부터 가속화될 것으로 예상하고 있다. 로옴은
로옴(ROHM)은 TSMC와 오토모티브용 GaN 파워 디바이스의 개발과 양산에 관한 전략적 파트너십을 체결했다고 10일 밝혔다. 로옴은 이번 파트너십을 바탕으로 자사의 GaN 디바이스 개발 기술과 TSMC의 최첨단 GaN-on-Silicon 프로세스 기술을 융합함으로써, 고전압 및 고주파 특성이 우수한 파워 디바이스에 대한 수요 증가에 대응해 나갈 것이라고 설명했다. GaN 파워 디바이스는 현재 AC 어댑터 및 서버 전원 등의 민생기기 및 산업기기에서 사용되고 있다. TSMC는 전기자동차(EV)의 온보드 차저 (OBC)나 인버터 등의 오토모티브 용도에서 앞으로의 환경 효과를 전망해 한층 더 GaN 테크놀로지를 강화하고 있다. 로옴 이사 전무 집행 임원인 Katsumi Azuma는 “세계 최고의 최첨단 제조 기술을 보유한 TSMC와 협력할 수 있어 매우 기쁘게 생각한다”며 “GaN의 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 제어 IC를 포함해 사용이 편리한 GaN 솔루션을 제공함으로써 오토모티브 분야에서 GaN의 보급을 촉진해 나갈 것”이라고 말했다. TSMC 시니어 디렉터 Chien-Hsin Lee는 “GaN 프로세스 기술의 차세대화를 추진함에 있어서 TSMC와
로옴(ROHM)의 SoC용 PMIC가 차량용 종합 반도체 팹리스 기업 텔레칩스(Telechips)의 차세대 콕핏용 SoC ‘Dolphin3’ 및 ‘Dolphin5’를 중심으로 하는 전원 레퍼런스 디자인에 채용됐다. 이 레퍼런스 디자인은 유럽 자동차 메이커의 콕핏에 탑재될 예정이며 2025년부터 양산을 개시한다. 인포테인먼트용 애플리케이션 프로세서(AP) Dolphin3의 전원 레퍼런스 디자인에는 SoC용 메인 PMIC ‘BD96801Qxx-C’가 탑재됐다. 차세대 디지털 콕핏용 AP Dolphin5의 전원 레퍼런스 디자인에는 SoC용 메인 PMIC ‘BD96805Qxx-C’, ‘BD96811Fxx-C’와 더불어 SoC용 서브 PMIC ‘BD96806Qxx-C’가 탑재됐다. 로옴은 Dolphin3의 전원 레퍼런스 디자인 ‘REF67003’ 및 Dolphin5의 전원 레퍼런스 디자인 ‘REF67005’를 로옴 공식 웹에서 공개함과 동시에, 레퍼런스 디자인을 베이스로 하는 레퍼런스 보드도 구비하고 있다. 레퍼런스 보드는 담당 영업 또는 로옴 Web 문의 양식을 통해 별도 문의가 필요하며 보드는 텔레칩스에서 제공한다. 한편 텔레칩스와 로옴은 2021년부터 기술 교류
로옴(ROHM)은 차량용 전동 컴프레서 및 HV 히터, 산업기기 인버터 등을 타겟으로 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하고, 1200V 내압으로 업계 최고 수준의 저손실 특성과 높은 단락 내량을 실현한 4세대 IGBT를 개발했다고 7일 밝혔다. 이번에 판매하는 제품은 디스크리트 패키지(TO-247-4L 및 TO-247N) 2종의 총 4개 기종 RGA80TRX2HR, RGA80TRX2EHR, RGA80TSX2HR, RGA80TSX2EHR과 베어칩 11개 기종 SG84xxWN이며 향후 라인업을 한층 더 확충할 예정이다. 1200V IGBT는 외부 구조를 포함한 디바이스 구조를 개선함으로써 1200V의 고내압과 자동차기기 규격의 신뢰성을 확보함과 동시에 업계 최고 수준의 단락 내량 10µsec.(Tj＝25℃ 시) 및 낮은 스위칭 손실 특성, 낮은 도통 손실 특성을 달성했다. 또한 4단자를 채용한 TO-247-4L 패키지 제품은 단자간 연면 거리를 확보함으로써 오염도 2의 환경에서 실효 전압 1100V에 대응할 수 있어 기존품 대비 고전압 용도에 대응 가능하다. 연면 거리 대책을 디바이스 측에서 실시함으로써 메이커의 설계 부하 경감에도 기여할 수 있다.
로옴(ROHM)은 조명의 소형 전원, 펌프, 모터 등에 최적인 소형 SOT-223-3 패키지의 600V 내압 Super Junction MOSFET(R6004END4, R6003KND4, R6006KND4, R6002JND4, R6003JND4)의 5개 기종을 개발했다고 30일 밝혔다. 이 제품은 기존의 TO-252 패키지(6.60mm×10.00mm×2.30mm) 대비 면적 약 31％, 두께 약 27％를 삭감할 수 있어 어플리케이션의 소형화 및 박형화에 기여한다. 또한 TO-252 패키지의 기판 상의 배선 패턴(랜드 패턴)을 사용할 수 있어 기존의 회로 기판을 그대로 사용할 수 있다. 신제품은 소형 전원용과 모터용으로 구비했다. 소형 전원용은 3개 기종으로 Low Noise가 특징인 'R6004END4'는 노이즈 대책이 필요한 용도에 알맞다. 고속 스위칭이 특징인 'R6003KND4' 및 'R6006KND4'는 저손실 및 고효율 동작이 필요한 어플리케이션을 지원한다. 'R6002JND4' 및 'R6003JND4'는 독자적인 기술을 통해 역회복 시간을 고속화해 스위칭 손실의 대폭적인 저감을 실현한 '프레스토모스(PrestoMOS)'로 모터용에 적합하다. 신제품
절연 게이트 드라이버 IC 중심으로 아날로그 IC 생산 능력 강화 로옴 주식회사(ROHM)가 아날로그 IC의 생산 능력 강화를 위해, 말레이시아의 제조 자회사인 ROHM-Wako Electronics(Malaysia) Sdn. Bhd.(이하 RWEM)에 건설한 신규 생산동이 완성돼 준공식을 열었다. RWEM은 지금까지 다이오드, LED 등 소신호 디바이스를 중심으로 생산해왔지만, 신규 생산동에서는 아날로그 IC의 주력 상품 중 하나인 절연 게이트 드라이버의 생산을 예정하고 있다. 절연 게이트 드라이버는 IGBT나 SiC와 같은 파워 반도체를 최적으로 구동시키기 위한 IC로, 전기자동차 및 산업기기의 저전력화와 소형화를 실현함에 있어서 중요한 역할을 담당하기 때문에 수요의 확대가 기대되는 제품이다. 이번에 생산 능력 강화를 도모함과 동시에 BCM (사업 계속 매니지먼트)의 관점에서 아날로그 IC 생산 공장의 다거점화를 추진하기 위해 RWEM에서 처음으로 IC의 생산을 개시한다. 신규 생산동은 다양한 에너지 절약 기술을 활용한 설비를 도입하여, 환경 부하 경감 (기존 대비 CO2 약 15% 삭감 전망)을 위해 노력함과 동시에, 최신의 각종 재해 대책을 도입함으로
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UPDATE: 2025년 04월 03일 18시 14분
