로옴(ROHM)의 SoC용 PMIC가 차량용 종합 반도체 팹리스 기업 텔레칩스(Telechips)의 차세대 콕핏용 SoC ‘Dolphin3’ 및 ‘Dolphin5’를 중심으로 하는 전원 레퍼런스 디자인에 채용됐다. 이 레퍼런스 디자인은 유럽 자동차 메이커의 콕핏에 탑재될 예정이며 2025년부터 양산을 개시한다. 인포테인먼트용 애플리케이션 프로세서(AP) Dolphin3의 전원 레퍼런스 디자인에는 SoC용 메인 PMIC ‘BD96801Qxx-C’가 탑재됐다. 차세대 디지털 콕핏용 AP Dolphin5의 전원 레퍼런스 디자인에는 SoC용 메인 PMIC ‘BD96805Qxx-C’, ‘BD96811Fxx-C’와 더불어 SoC용 서브 PMIC ‘BD96806Qxx-C’가 탑재됐다. 로옴은 Dolphin3의 전원 레퍼런스 디자인 ‘REF67003’ 및 Dolphin5의 전원 레퍼런스 디자인 ‘REF67005’를 로옴 공식 웹에서 공개함과 동시에, 레퍼런스 디자인을 베이스로 하는 레퍼런스 보드도 구비하고 있다. 레퍼런스 보드는 담당 영업 또는 로옴 Web 문의 양식을 통해 별도 문의가 필요하며 보드는 텔레칩스에서 제공한다. 한편 텔레칩스와 로옴은 2021년부터 기술 교류
로옴(ROHM)은 차량용 전동 컴프레서 및 HV 히터, 산업기기 인버터 등을 타겟으로 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하고, 1200V 내압으로 업계 최고 수준의 저손실 특성과 높은 단락 내량을 실현한 4세대 IGBT를 개발했다고 7일 밝혔다. 이번에 판매하는 제품은 디스크리트 패키지(TO-247-4L 및 TO-247N) 2종의 총 4개 기종 RGA80TRX2HR, RGA80TRX2EHR, RGA80TSX2HR, RGA80TSX2EHR과 베어칩 11개 기종 SG84xxWN이며 향후 라인업을 한층 더 확충할 예정이다. 1200V IGBT는 외부 구조를 포함한 디바이스 구조를 개선함으로써 1200V의 고내압과 자동차기기 규격의 신뢰성을 확보함과 동시에 업계 최고 수준의 단락 내량 10µsec.(Tj＝25℃ 시) 및 낮은 스위칭 손실 특성, 낮은 도통 손실 특성을 달성했다. 또한 4단자를 채용한 TO-247-4L 패키지 제품은 단자간 연면 거리를 확보함으로써 오염도 2의 환경에서 실효 전압 1100V에 대응할 수 있어 기존품 대비 고전압 용도에 대응 가능하다. 연면 거리 대책을 디바이스 측에서 실시함으로써 메이커의 설계 부하 경감에도 기여할 수 있다.
로옴(ROHM)은 조명의 소형 전원, 펌프, 모터 등에 최적인 소형 SOT-223-3 패키지의 600V 내압 Super Junction MOSFET(R6004END4, R6003KND4, R6006KND4, R6002JND4, R6003JND4)의 5개 기종을 개발했다고 30일 밝혔다. 이 제품은 기존의 TO-252 패키지(6.60mm×10.00mm×2.30mm) 대비 면적 약 31％, 두께 약 27％를 삭감할 수 있어 어플리케이션의 소형화 및 박형화에 기여한다. 또한 TO-252 패키지의 기판 상의 배선 패턴(랜드 패턴)을 사용할 수 있어 기존의 회로 기판을 그대로 사용할 수 있다. 신제품은 소형 전원용과 모터용으로 구비했다. 소형 전원용은 3개 기종으로 Low Noise가 특징인 'R6004END4'는 노이즈 대책이 필요한 용도에 알맞다. 고속 스위칭이 특징인 'R6003KND4' 및 'R6006KND4'는 저손실 및 고효율 동작이 필요한 어플리케이션을 지원한다. 'R6002JND4' 및 'R6003JND4'는 독자적인 기술을 통해 역회복 시간을 고속화해 스위칭 손실의 대폭적인 저감을 실현한 '프레스토모스(PrestoMOS)'로 모터용에 적합하다. 신제품
절연 게이트 드라이버 IC 중심으로 아날로그 IC 생산 능력 강화 로옴 주식회사(ROHM)가 아날로그 IC의 생산 능력 강화를 위해, 말레이시아의 제조 자회사인 ROHM-Wako Electronics(Malaysia) Sdn. Bhd.(이하 RWEM)에 건설한 신규 생산동이 완성돼 준공식을 열었다. RWEM은 지금까지 다이오드, LED 등 소신호 디바이스를 중심으로 생산해왔지만, 신규 생산동에서는 아날로그 IC의 주력 상품 중 하나인 절연 게이트 드라이버의 생산을 예정하고 있다. 절연 게이트 드라이버는 IGBT나 SiC와 같은 파워 반도체를 최적으로 구동시키기 위한 IC로, 전기자동차 및 산업기기의 저전력화와 소형화를 실현함에 있어서 중요한 역할을 담당하기 때문에 수요의 확대가 기대되는 제품이다. 이번에 생산 능력 강화를 도모함과 동시에 BCM (사업 계속 매니지먼트)의 관점에서 아날로그 IC 생산 공장의 다거점화를 추진하기 위해 RWEM에서 처음으로 IC의 생산을 개시한다. 신규 생산동은 다양한 에너지 절약 기술을 활용한 설비를 도입하여, 환경 부하 경감 (기존 대비 CO2 약 15% 삭감 전망)을 위해 노력함과 동시에, 최신의 각종 재해 대책을 도입함으로
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UPDATE: 2024년 11월 21일 19시 33분
