실리콘 제품 검정에 대해 전문적인 지식을 갖고 있는 TI에서는 GaN 검정에 이를 활용하고 있다. 여기에는 실리콘 검정 절차의 기원을 이해하는 기본 원리로 돌아가 GaN 고유의 장애, 활성 에너지, 가속 계수에 기초해 테스트를 만들 필요가 있다. 그리고 특별한 인덕티브 스위칭 테스트 방식으로 스트레스 테스트를 실시하고, 실제 제품 구성으로 부품을 실행시킴으로써 관련 애플리케이션에 맞춰 GaN을 검정해야 한다. 질화갈륨(GaN) 소재는 흥미롭고 파격적이며 새로운 전원 스위치 및 전원 GaN HEMT(High-Electron Mobility Transistor)를 가능하게 한다. HEMT는 온 저항이 매우 낮은(On-Resistance) FET(Field-Effect Transistor)이다. 이것은 비슷한 크기의 실리콘 전력 트랜지스터보다 더 빠르게 전환할 수 있으며, 이러한 장점은 전력 전환을 에너지 효율적, 공간 효율적으로 만들어준다. 또한 GaN은 실리콘 기판에서 성장시킬 수 있는데, 이 경우 실리콘 제조 역량은 높아지고 비용은 낮아진다. 그러나 새로운 기술을 사용할 때는 신뢰성이 입증돼야 한다. 여기서는 GaN 디바이스의 조건에 대해 살펴본다. 업계에서
실리콘 제품 검정에 대해 전문적인 지식을 갖고 있는 TI에서는 GaN 검정에 이를 활용하고 있다. 여기에는 실리콘 검정 절차의 기원을 이해하는 기본 원리로 돌아가 GaN 고유의 장애, 활성 에너지, 가속 계수에 기초해 테스트를 만들 필요가 있다. 그리고 특별한 인덕티브 스위칭 테스트 방식으로 스트레스 테스트를 실시하고, 실제 제품 구성으로 부품을 실행시킴으로써 관련 애플리케이션에 맞춰 GaN을 검정해야 한다. 질화갈륨(GaN) 소재는 흥미롭고 파격적이며 새로운 전원 스위치 및 전원 GaN HEMT(High-Electron Mobility Transistor)를 가능하게 한다. HEMT는 온 저항이 매우 낮은(On-Resistance) FET(Field-Effect Transistor)이다. 이것은 비슷한 크기의 실리콘 전력 트랜지스터보다 더 빠르게 전환할 수 있으며, 이러한 장점은 전력 전환을 에너지 효율적, 공간 효율적으로 만들어준다. 또한 GaN은 실리콘 기판에서 성장시킬 수 있는데, 이 경우 실리콘 제조 역량은 높아지고 비용은 낮아진다. 그러나 새로운 기술을 사용할 때는 신뢰성이 입증돼야 한다. 여기서는 GaN 디바이스의 조건에 대해 살펴본다. 업계에서
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UPDATE: 2024년 06월 23일 11시 04분
