반도체 글로벌파운드리 손잡은 온세미, 차세대 GaN 전력 반도체 로드맵 가속

온세미는 글로벌파운드리와 최첨단 200mm eMode GaN-on-silicon 공정을 기반으로 질화갈륨(GaN) 전력 제품을 개발하고 제조 협력을 추진할 계획이라고 발표했다. 이번 협력을 통해 온세미는 고성능 GaN 디바이스와 통합 파워 스테이지 로드맵을 가속화하고, 고전압 제품으로 포트폴리오를 확장해 AI 데이터센터, 전기차, 재생에너지, 산업 시스템, 항공우주, 보안 분야에서 증가하는 전력 수요에 대응할 방침이다. 디네시 라마나선 온세미 기업 전략 부문 수석 부사장은 “이번 협력은 온세미의 시스템 및 제품 전문성과 글로벌파운드리의 첨단 GaN 공정을 결합해 고성장 시장을 위한 새로운 650V 전력 디바이스를 제공하는 데 의미가 있다”고 전했다. 그는 “해당 GaN 제품은 온세미의 실리콘 드라이버와 컨트롤러와 결합돼, 고객이 AI 데이터센터, 전기차, 항공우주 등 다양한 분야에서 더 작고 효율적인 전력 시스템을 구축할 수 있도록 지원할 것”이라며 “온세미는 2026년 상반기부터 고객 샘플 공급을 시작하고, 이후 신속하게 양산 규모로 확대해 나갈 계획”이라고 덧붙였다. 마이크 호건 글로벌파운드리 최고사업책임자는 “글로벌파운드리의 200mm GaN-on-Si

• 이창현 기자
• 2025-12-22 11:10