반도체 TI, 최적 위성전력 시스템 지원하는 FET 게이트 드라이버 발표

다양한 우주 항공 미션에 적합한 위성 전력 시스템 설계 가능해져 텍사스 인스트루먼트(TI)가 방사능 내성과 방사능 경화 기능을 갖춘 하프 브리지 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버 신제품군을 발표했다. 이번 제품군에는 업계 최초로 최대 200V 작동을 지원하는 우주 등급 GaN FET 게이트 드라이버가 포함됐다. 새롭게 출시된 제품들은 핀 투 핀 호환이 가능한 세라믹 및 플라스틱 패키징 옵션을 제공하며, 22V, 60V, 200V 세 가지 전압 레벨을 지원한다. 이를 통해 TI는 엔지니어가 저궤도, 중간 궤도, 정지궤도 등 다양한 우주 항공 미션에 적합한 위성 전력 시스템을 설계할 수 있다고 밝혔다. 최근 위성 시스템은 데이터 처리 및 전송량 증가, 고해상도 이미징, 정밀한 센싱 기술을 필요로 하면서 복잡해지고 있다. 이에 엔지니어는 시스템의 전력 효율성을 향상시키는 데 집중하는 추세다. TI의 새로운 GaN FET 게이트 드라이버는 짧은 상승 및 하강 시간을 제공해 GaN FET을 정밀하게 구동하도록 설계됐다. 이를 통해 전원 공급 장치의 크기와 밀도를 줄이고, 태양광 패널에서 생산된 전력을 효과적으로 활용하도록 지원한다. T

• 서재창 기자
• 2025-02-25 13:24