HBM 포함한 반도체 분야와 AI 비서 서비스 협력 등 논의한 것으로 알려져 최태원 SK그룹 회장이 챗GPT 개발사 오픈AI 창업자 샘 올트먼 최고경영자(CEO)와 만나 인공지능(AI) 협력을 논의했다. 최 회장은 4일 오전 9시 40분께 서울 중구 더 플라자호텔에서 오픈AI가 한국에서 처음으로 개최하는 비공개 워크숍 '빌더 랩' 행사에 앞서 올트먼 CEO와 회동했다. 이날 면담에는 유영상 SK텔레콤 대표이사 사장, 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장, 김주선 SK하이닉스 AI인프라 사장 등도 동석했다. 최 회장과 올트먼 CEO는 SK하이닉스의 고대역폭 메모리(HBM)를 포함한 반도체 분야와 AI 비서 서비스 협력 등에 대한 폭넓은 논의를 한 것으로 보인다. 최근 올트먼은 일본 니혼게이자이신문과 인터뷰에서 스마트폰을 대신하는 AI 전용 단말기와 독자 반도체 개발에 나서겠다는 입장을 밝힌 바 있다. 앞서 최 회장은 지난해 1월 방한한 올트먼과 만난 데 이어 같은 해 6월 미국 출장 당시 샌프란시스코 오픈AI 본사에서 또다시 만나 급변하는 AI 기술, AI 산업의 미래 등에 의견을 나눴다. 올트먼 CEO는 이날 오후 서울 서초구 삼성전자 서초사옥에서 전영현 삼성전
올해 초 메모리의 공급 과잉과 수요 둔화로 반도체 업황이 다소 주춤할 전망이다. 이에 삼성전자와 SK하이닉스 등 주요 업체들은 낸드 등 일부 제품 감산에 나서는 한편, 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 고부가 제품을 중심으로 시장 상황에 대응한다는 전략이다. 31일 삼성전자는 4분기 실적발표 후 콘퍼런스콜에서 "메모리 업황은 단기적으로 약세가 전망된다"며 "모바일과 PC 모두 고객사 재고 조정이 1분기까지 이어지고, 서버도 그래픽처리장치(GPU) 제약으로 메모리 수요가 이연되는 현상이 발생할 것"이라고 말했다. 지난해 4분기 삼성전자 반도체 사업을 담당하는 DS 부문의 매출은 30조1000억 원이었으며 이 중 메모리 매출은 23조 원이었다. 증권가에 따르면 올해 1분기 삼성전자 DS 부문 내 메모리 사업 매출은 20조 원 안팎으로 추정된다. 올 초 메모리 업황의 약세는 메모리의 공급 과잉과 고객사들의 재고 조정이 맞물렸기 때문으로 풀이된다. 이달 초 시장조사업체 트렌드포스는 올해 1분기 D램 가격은 8∼13%, 낸드 가격은 10∼15%가량 떨어질 것으로 예상했다. 특히 주요 업체들은 2023년 3분기부터 이어진 가격 하락으로 수익성이 악화된 낸드의 감산에 돌입
지난해 매출은 300조8709억 원, 영업이익은 32조7260억 원 달성해 삼성전자가 지난해 4분기 반도체 사업에서 2조9000억 원의 영업이익을 내는 데 그쳤다. PC와 모바일 등의 수요 침체와 중국발 저가 물량 공세로 주력인 범용 메모리 반도체가 부진했고, 인공지능(AI) 시장 확대로 수요가 급증한 고대역폭 메모리(HBM)에서는 기대만큼 성과를 내지 못한 탓이다. 다만 사상 최대 규모의 연구개발비와 시설 투자를 기록하는 등 미래 경쟁력 확보를 위한 준비는 이어갔다. 올해 상반기에도 반도체 분야의 약세가 이어질 것으로 예상되는 만큼 중장기 경쟁력 강화와 고용량·고사양 제품의 포트폴리오 구축을 추진해 나간다는 계획이다. 삼성전자는 연결 기준 작년 한 해 영업이익이 32조7260억 원으로 전년보다 398.34% 증가한 것으로 잠정 집계됐다고 31일 공시했다. 매출은 300조8709억 원으로 전년 대비 16.2% 증가했다. 삼성전자의 연간 매출이 300조 원대를 기록한 것은 2022년(302조2314억 원)에 이어 이번이 두 번째다. 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문의 연간 매출은 111조1000억 원으로, 사상 처음으로 100조를 넘었다. 연간
강유전체는 메모리 소자에서 전하를 잘 저장하기 때문에 ‘전기를 기억하는 소재’와 같다는 특성으로 차세대 반도체 기술 개발에 있어 핵심 소재로 부각되고 있다. KAIST 연구진이 이러한 강유전체 소재를 활용해 현재 메모리 반도체 산업의 양대 산맥인 디램(DRAM)과 낸드 플래시(NAND Flash) 메모리의 한계를 극복한 고성능, 고집적 차세대 메모리 소자를 개발하는데 성공했다. KAIST는 전상훈 교수 연구팀이 하프니아 강유전체 소재를 활용한 차세대 메모리 및 스토리지 메모리 기술을 개발했다고 6일 밝혔다. 하프니아 강유전체 소재는 비휘발성 절연막으로 CMOS 공정 호환성, 동작 속도, 내구성 등의 우수한 물리적 특성을 바탕으로 차세대 반도체의 핵심 소재로 활발하게 연구되고 있는 물질이다. 디램 메모리는 우리가 스마트폰, 컴퓨터, USB 등에서 사용하는 데이터를 저장하는 휘발성 메모리다. 휘발성 특성으로 인해 외부 전력이 끊어지면 저장된 데이터가 손실되지만, 공정 단가가 낮고 집적도가 높아 메인 메모리로 활용돼 왔다. 하지만 디램 메모리 기술은 소자의 크기가 작아질수록 디램 소자가 정보를 저장하는 저장 커패시터의 용량도 작아지게 되고 더 이상 메모리 동작을
세계 반도체 산업은 성장 곡선을 그리고 있다. 반면 2025년은 반도체 기술을 가운데 두고 주요 국가 간 경쟁이 과열될 것으로 점쳐진다. 미국은 도널드 트럼프 대통령이 당선됨에 따라 자국 우선주의가 강화할 것이며, 그에 대응하는 중국 역시 자국 내 반도체 산업 중흥을 위한 속도를 더욱 높일 것으로 보인다. 여기에 우리나라는 경제적으로 밀접한 관계를 맺은 양국과의 관계를 고려한 반도체 전략을 구사할 것으로 예상된다. 미국의 공세 ‘점점 높아지는 강도’ 도널드 트럼프 2기 행정부가 출범함에 따라, 미국과 중국의 반도체 경쟁은 예정된 수순이었다. 아직 임기가 남은 바이든 행정부는 그동안 중국에 대한 지속적인 견제를 이어왔으나, 새 정부는 그 수준을 더욱 높일 것으로 예상된다. 격화하는 기술 전쟁은 미국과 중국뿐 아니라 우리나라와 대만, 일본 등 주변 국가에도 영향을 미칠 것으로 보인다. 최근 미국은 고대역폭메모리(HBM)를 중국 수출통제 대상 품목에 추가한 것으로 알려졌다. 여기에 적용된 해외직접생산품규칙(FDPR)은 제품이 생산된 국가와 상관없이 미국의 기술이 사용됐을 시 수출통제를 준수해야 한다는 규칙이다. 물론 여기에는 삼성전자와 SK하이닉스도 포함된다. 이
도널드 트럼프 2기 행정부 출범을 앞두고, 우리나라 반도체 전략 수정이 불가피해졌다. 국내에서는 반도체산업지원법 보조금의 변화에 따른 경우의 수를 상정하고, 보다 장기적인 관점에서 유리한 협상을 끌어내는 방안을 구상하고 있다. 요동치는 불확실성, 반도체 전략 어떻게? 지난 11월, 정인교 산업통상자원부 통상교섭본부장은 서울 대한상의에서 미국 통상 현안 대응을 위한 산업부 부내 회의에서 “도널드 트럼프가 당선되고 공화당이 의회 상·하원 다수당이 된 만큼 우리나라의 전반적 대외 환경 변화가 불가피할 것으로 전망된다”고 말했다. 산업부는 트럼프 2기 행정부 출범 이후 반도체, 자동차, 이차전지 등 미국 정치 환경 변화로 영향이 클 것으로 예상된다고 밝혔다. 이에 미 정부에서 비롯되는 통상 환경 변화에 적극 대응하겠다고 강조했다. 같은 달 열린 ‘윤석열 정부 산업·통상·에너지 분야 주요 성과 및 향후 계획’ 브리핑에서도 국내 반도체 기업의 사업 환경 유지에 대한 의견이 언급됐다. 박성택 산업부 1차관은 “미국 차기 정부와의 협력 강화, 반도체 다자회의 개최 등으로 국내 기업의 글로벌 비즈니스 불확실성 최소화를 위한 노력을 하겠다”고 밝혔다. 정책 대응에 이어 국내
화웨이의 공급업체 일부에 대한 제재 내용 포함된 것으로 알려져 미국 조 바이든 행정부가 추진하는 대 중국 반도체 관련 추가 수출 규제안이 이르면 다음 주 발표될 것이라고 블룸버그 통신이 복수의 소식통을 인용해 27일(현지시간) 보도했다. 소식통들은 바이든 행정부가 반도체 장비 및 인공지능(AI) 메모리칩을 중국에 판매하는 데 대한 추가 제재 방침을 다음 주 발표할 것으로 예상된다고 전했다. 소식통들에 따르면 이번 제재안에는 중국 통신장비 기업 화웨이의 공급업체 일부에 대한 제재 내용을 담고 있다. 당초 초안 단계에서 화웨이의 공급업체 6곳을 제재하는 방안이 고려됐지만, 현재 방침으론 이들 중 일부만 거래 제한 명단에 추가될 계획이라고 블룸버그는 전했다. 이에 따라 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 제재 대상에서 제외될 것으로 알려졌다. 제재안에 따르면 화웨이의 주요 협력사인 SMIC가 운영하는 반도체 공장 두 곳도 제재 대상에 오를 것으로 보인다. 소식통들은 기업 100곳 이상이 추가 제재 명단에 오를 것이라며, 여기에는 반도체를 실제 제조하는 시설보다는 반도체 제조 장비를 만드는 기업들이 집중될 것이라고 설명했다. 이번 제재안에는 고대역폭 메모리칩에 대한 조
고성능 메모리 제품의 데이터 처리 개선 기술에 따른 양사 특허 소송 진행돼 삼성전자가 특허 침해 소송에서 미국 반도체 기업 넷리스트에 1억1800만 달러(약 1660억 원)의 배상금을 지급하라는 미 법원 배심원단 평결을 받았다고 로이터통신이 보도했다. 22일(현지시간) 로이터에 따르면, 미 텍사스주 마셜 소재 연방법원 배심원단은 이날 고성능 메모리 제품의 데이터 처리 개선 기술을 둘러싼 양사의 특허 소송과 관련해 이같이 평결했다. 배심원단은 삼성전자의 특허 침해가 고의적이라고 판단했으며, 판사가 지급액을 최대 3배까지 늘릴 가능성도 있다고 로이터는 전했다. 넷리스트는 삼성전자의 클라우드 컴퓨팅 서버에 들어가는 메모리 모듈 등이 자사 특허를 침해했다며 소송을 제기한 바 있다. 넷리스트는 자사의 기술 혁신으로 메모리 모듈의 전력 효율을 높였다는 입장인 반면, 삼성전자는 해당 특허는 무효며 자사 기술은 넷리스트 발명 기술과 다르게 작동한다고 맞서왔다. 삼성전자는 또 넷리스트가 국제표준을 따르는 데 필요한 기술에 대해 공정한 라이선스를 제공해야 하는 의무를 위반했다며 미 델라웨어주 연방법원에 소송을 제기한 상태다. 미국 캘리포니아주 어바인에 본사를 둔 넷리스트는 2
크리스토프 푸케 CEO, 2030년경 전체 시장 규모 1조 달러 돌파할 것으로 전망해 ASML이 14일(현지시간) AI 메모리칩 시장 성장세로 회사 매출도 수혜를 볼 것이라고 전망했다. 로이터 통신에 따르면, 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 이날 네덜란드 펠트호번에서 열린 'ASML 투자자의 날 2024' 행사에서 내년까지 AI 메모리칩 시장이 연간 9% 성장할 것으로 내다봤다. 이어 2030년께에는 전체 시장 규모가 1조 달러(약 1405조 원)를 넘어설 것으로 예상한다고 말했다. 그는 이같은 성장세로 ASML의 첨단 장비 판매가 늘어나는 데 도움이 될 것이라고 기대했다. 앞서 이날 ASML은 2030년까지 회사 매출이 연간 약 8∼14%씩 증가할 것으로 본다고 발표한 바 있다. ASML은 첨단 반도체 양산에 필수인 극자외선(EUV) 노광장비를 독점 생산한다. 한국의 삼성전자나 대만 TSMC 등 주요 반도체 제조업체가 애플의 스마트폰이나 엔비디아의 AI 가속기에 필요한 최첨단 반도체를 생산하는 데 ASML 장비를 쓴다. 이 회사는 미국, 네덜란드 정부의 대 중국 수출통제 여파 등으로 최근 시장 예상의 절반에도 못 미치는 예약실적을 기록하며 지
SK하이닉스의 반도체 핵심 기술을 빼돌린 혐의로 기소된 중국인 직원이 1심에서 실형을 선고받았다. 수원지법 여주지원 형사1부(임대호 부장판사)는 7일 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 기소된 SK하이닉스 전 직원 A씨(36·여성·중국 국적)에게 징역 1년 6월과 벌금 2천만원을 선고했다. 재판부는 "피고인이 하이닉스에서 퇴사 직전 문서로 출력한 반도체 기술은 2022년 지정된 국가 핵심기술"이라며 "피고인은 공부와 업무 인수인계 목적으로 출력했다고 주장하나 수사기록 등으로 볼 때 납득되지 않아 공소사실 혐의 모두 유죄로 판단했다"고 판시했다. 이어 "퇴사 직전 보안이 허술한 중국 상해지사에서 4일간 A4용지 관련 기술자료를 문서로 4000여 장 출력한 것은 이례적이고, 퇴근하면서 하루 300여 장씩 백팩과 쇼핑백에 담아 들고 나갔을 것으로 합리적으로 의심할 수 있고, 이런 의심은 모두 정당한 것으로 판단된다"고 밝혔다. 유출 목적에 대해 "피고인이 하이닉스 퇴직 후 중국 화웨이에 취업한 점으로 미뤄 자신의 가치를 인정받으려고 유출한 것으로 합리적 추론을 할 수 있다"고 했다. 다만 "피고인이 유출한 기술을 활용했는지 불분명하고 피해사의
HBM(High Bandwidth Memory) 기술력이 고도화함에 따라, HBM 시장의 지형도가 변화하고 있다. 최근 HBM 상용화 과정을 살펴보면, HBM 5세대인 HBM3에서 HBM3E 8단 그리고 HBM3E 12단까지 도달했다. 현재 HBM 시장은 SK하이닉스를 선두로 삼성전자와 마이크론 테크놀로지(이하 마이크론) 등 기존 메모리 반도체 기업들의 삼파전 양상으로 굳어지고 있다. HBM 시장 확대가 예상되는 가운데, 이들의 주도권 싸움은 더욱 치열해질 것으로 보인다. HBM 시장이 확대될 수밖에 없는 이유 HBM은 최신 AI 알고리즘과 머신러닝 작업에서 데이터 전송 속도와 처리 효율성을 극대화하는 데 중요한 역할을 한다. HBM은 기존 D램 메모리와 비교할 때 현저하게 높은 대역폭을 제공하며, AI 모델 학습과 추론에 필수적인 고속 데이터 처리를 수행한다. 특히 AI 칩에 사용되는 그래픽처리장치(GPU)에 대거 탑재되면서, HBM은 상한가를 누리고 있다. 또한, 일반 D램에 비해 가격이 약 4배가량 높은 고부가 제품이이기에, 메모리 반도체 기업의 차세대 먹거리로 낙점됐다. 욜그룹의 조사에 따르면, 세계 HBM 시장 규모는 올해 141억 달러(약 19조
HBM(High Bandwidth Memory)은 AI 개발을 위한 컴퓨팅 요구사항을 충족시키는 핵심 기술로 자리잡고 있다. HBM이 가진 높은 잠재력과 함께 개발 선두에 선 SK하이닉스의 행보에 연일 관심이 쏠리는 이유다. 메모리 반도체 강자인 SK하이닉스는 확장하는 AI 시장을 주목하고, AI 인프라의 필수 품목인 GPU에 포함되는 HBM 개발 및 양산에 빠르게 착수했다. 이에 HBM 시장에서 경쟁 기업보다 한 걸음 빠르게 움직이게 됐고, 점차 격차를 벌리고 있다. ‘5조 원대 영업익’ 부활의 신호탄 된 HBM SK하이닉스가 올해 2분기를 기점으로 완전한 부활을 알렸다. SK하이닉스는 6년 만에 분기 영업이익 5조 원대를 기록하며, 지난 부진을 말끔히 씻었다. 이 과정에서 HBM이 톡톡히 자기 역할을 수행했다. 지난 7월 SK하이닉스는 연결 기준 올해 2분기 매출 16억4233억 원, 영업이익 5조4685억 원으로 전년 동기 대비 흑자 전환에 성공했음을 발표했다. 영업이익의 경우 반도체 슈퍼사이클이었던 2018년 2분기와 3분기 이후 6년 만에 5조 원대 진입이었다. 괄목할 성적을 기록한 SK하이닉스는 중국과 미국에서도 호실적을 기록했다. 지난 8월 SK
1위 삼성전자, 전년 동기 대비 78.8% 상승한 수치 기록해 인공지능(AI) 시대 메모리 반도체 시장의 성장으로 올해 1분기 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 글로벌 메모리 3사의 매출 증가율이 전년 동기 대비 두 자릿수 이상 상승했다. 메모리 3사의 매출은 반도체 수요 회복과 고대역폭 메모리(HBM)에 힘입어 상위 10개 종합반도체 기업(IDM) 매출의 절반에 가까운 비중을 차지했다. IDC에 따르면, 올해 1분기 전 세계 상위 10위(매출 기준) IDM 가운데 1위는 삼성전자로, 148억7300만 달러(약 20조2987억 원)의 매출을 낸 것으로 조사됐다. 이는 지난해 같은 기간보다 78.8% 상승한 수치다. 2위는 인텔(121억3900만 달러)이었으며, SK하이닉스(90억7400만 달러)와 마이크론(58억2400만 달러)이 각각 3위, 4위로 뒤를 이었다. 특히 SK하이닉스의 전년 동기 대비 매출 증가율은 144.3%로 상위 10개 업체 중 가장 높았다. IDC는 "지난 1분기는 반도체 산업의 중요한 트렌드를 보여준다"며 "디바이스 시장의 안정화와 데이터 센터의 AI 학습 및 추론 수요에 힘입어 메모리 애플리케이션과 재고 수준이 정상화하고 있다"고
메모리 반도체 D램의 월평균 가격이 3개월 연속 보합세를 이어갔다. 2일 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8)의 7월 평균 고정거래가격은 전월과 같은 2.1달러로 집계됐다. D램 가격은 작년 10월부터 올해 1월까지 4개월 연속 오른 후 2개월간 보합세를 유지했다. 이어 4월에 16.67% 오르며 2022년 12월 이후 처음 2달러대를 회복해 유지 중이다. 메모리카드·USB용 낸드플래시 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 7월 평균 고정거래가격도 전월과 같은 4.9달러를 유지하며 5개월째 보합세를 유지했다. 앞서 낸드 가격은 작년 10월부터 올해 2월까지 5개월 연속 상승했다. 헬로티 김진희 기자 |
삼성전자, HBM3E 양산과 관련해 "확인할 수 없다" 입장 밝혀 삼성전자의 5세대 고대역폭 메모리 HBM3E의 엔비디아 품질 테스트 통과 가능성과 맞물려 올해 하반기 HBM3E 양산이 이뤄질 것이라는 전망이 제기됐다. 대만 시장조사업체 트렌드포스는 16일 "삼성의 공급망 파트너 중 일부는 최근 (HBM과 관련해) 가능한 한 빨리 주문하고 용량을 예약하라는 정보를 받은 것으로 알려졌다"며 "이는 HBM이 하반기에 원활하게 출하를 시작할 수 있다는 의미"라고 밝혔다. 앞서 이달 초 업계에서는 삼성전자가 HBM3E 제품에 대한 PRA(Production Readiness Approval)를 완료하고 양산을 앞두고 있다는 소식이 전해진 바 있다. PRA는 엔비디아와 무관하게 삼성전자 내부 HBM 기준을 충족했다는 것으로 통상 양산 직전 단계로 간주된다. 삼성전자 측은 HBM3E 양산과 관련해 "확인할 수 없다"는 입장이지만, 올해 안에 HBM3E 인증·양산이 이뤄질 것이라는 관측이 이어지고 있다. SK하이닉스와 마이크론이 엔비디아에 HBM3E 공급을 시작했지만, 삼성전자는 아직 시작도 못한 상태다. 이 때문에 실적 상승의 모멘텀이 될 수 있는 HBM3E의 품질 테
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