로옴은 마쯔다(Mazda)와 차세대 반도체로 주목을 받는 질화 갈륨(GaN) 파워 반도체를 사용한 자동차 부품의 공동 개발을 개시했다고 27일 밝혔다. 마쯔다와 로옴은 2022년부터 ‘전동 구동 유닛의 개발 및 생산을 위한 협업 체제’를 통해 실리콘 카바이드(SiC) 파워 반도체를 탑재한 인버터의 공동 개발을 추진하고 있다. 이번에 새롭게 GaN 파워 반도체를 사용한 자동차 부품의 개발에도 착수해 차세대 전동차를 위한 혁신적인 자동차 부품을 창출하고자 한다. GaN은 파워 반도체의 차세대 재료로서 주목받고 있다. 기존의 실리콘(Si) 파워 반도체에 비해 전력 변환으로 인한 손실을 억제함과 동시에, 고주파 구동을 통해 부품 사이즈의 소형화에 기여한다. 이러한 특징을 활용해 차량 전체를 고려한 패키지, 경량화, 디자인 혁신에 기여하는 솔루션으로의 전환을 위해 양사가 공동 개발을 추진하고 있다. 2025년 내에 이러한 콘셉트의 구현화 및 데모기를 통한 트라이얼을 거쳐, 2027년 실용화로 전개해 나갈 예정이다. Ichiro Hirose 마쯔다 전무 집행 임원 겸 CTO는 “반도체 기술과 고도의 시스템 솔루션 구축 능력으로 지속 가능한 모빌리티 사회의 창조를 지향하
로옴(ROHM)은 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q100에 준거하는 고정밀도 전류 검출 앰프 ‘D1423xFVJ-C’ 및 ‘BD1422xG-C’를 개발했다고 25일 밝혔다. TSSOP-B8J 패키지를 채용한 BD1423xFVJ-C는 ＋80V의 입력전압에 대응해 48V 전원 구동의 DC-DC 컨버터, 이중화 전원, 보조기기 배터리, 전동 컴프레서 등의 고전압 환경용으로 적합하다. 게인 설정에 따라 BD14230FVJ-C, BD14231FVJ-C, BD14232FVJ-C의 3개 기종을 구비하고 있다. 소형 SSOP6 패키지를 채용한 BD1422xG-C는 ＋40V의 입력전압에 대응해 Body계 및 드라이브계 도메인에서 사용되는 5V/12V 구동의 전원 네트워크에서의 전류 모니터링이나 보호(과전류 검출) 등 스페이스 절약이 요구되는 자동차기기에 적합하다. 게인 설정에 따라 BD14220G-C, BD14221G-C, BD14222G-C의 3개 기종이 있다. 전류 검출 앰프는 회로에 흐르는 전류를 간접적으로 측정하기 위한 증폭기다. 션트 저항기에서 발생하는 미세한 전압 강하를 증폭시킴으로써 측정 가능한 전압 신호로 변환하는 역할을 담당해 시스템의 제어 및 모니터링 등에
로옴(ROHM)은 모터 등의 산업기기를 비롯해 모든 기기에서 센싱 데이터를 활용한 고장 징후 검출 및 열화 예측이 가능한 AI(인공지능) 기능 탑재 마이컴 ‘ML63Q253x-NNNxx/ML63Q255x-NNNxx’을 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 네트워크에 접속하지 않아도 학습과 추론을 독립적으로 실현하는 마이컴이다. 온 디바이스 AI 솔루션 ‘Solist-AI’를 실현하기 위해 심플한 3층 뉴럴 네트워크의 알고리즘을 채용했다. 클라우드 및 네트워크에 의존하지 않고 마이컴에서 학습과 추론이 가능하다. 현재 AI의 처리 모델은 클라우드 AI, 엣지 AI, 엔드 포인트 AI로 분류된다. 클라우드 AI는 클라우드 상에서, 엣지 AI는 클라우드 및 공장 설비나 PLC에 AI를 탑재하고 네트워크를 통해 학습과 추론을 실행한다. 일반적인 엔드 포인트 AI는 클라우드에서 학습하고 단말기에서 추론을 실행하기 때문에 네트워크 접속이 필요하다. 이러한 처리 모델의 경우 소프트웨어를 통해 추론을 실행하기 때문에 GPU나 고성능 CPU가 요구된다. 반면에 로옴의 AI 마이컴은 엔드 포인트 AI이지만, 온 디바이스 학습을 통해 학습과 추론을 모두 마이컴 단독으로 실행할 수 있어
로옴(ROHM)은 기업용 고성능 서버 및 AI 서버의 전원용으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항과 높은 SOA 내량을 실현한 Nch 파워 모스펫(MOSFET)을 개발했다고 26일 밝혔다. 신제품은 기업용 고성능 서버에 사용되는 12V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측 및 핫스왑 컨트롤러 (HSC) 회로에 최적인 ‘RS7E200BG(30V)’와 AI 서버에 사용되는 48V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측에 최적인 ‘RS7N200BH (80V)’, ‘RS7N160BH (80V)’의 총 3개 기종이다. 로옴은 DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm) 패키지를 새롭게 개발해 기존의 HSOP8(5.0mm×6.0mm) 패키지 대비, 패키지 내부의 칩 면적이 약 65％ 향상됐다. 이에 따라 5.0mm×6.0mm 패키지 사이즈로 ON 저항 특성을 30V 제품인 RS7E200BG는 0.53mΩ (Typ.), 80V 제품인 RS7N200BH는 1.7mΩ (Typ.)으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현해 서버 전원 회로의 고효율화에 크게 기여한다. 또한 패키지 내부의 클립 디자인 형상을 개선해 방열성을 향상시킴으로써 어플리케이션의 신뢰성 확보에
로옴(ROHM)은 650V 내압 GaN HEMT의 TOLL(TO-LeadLess) 패키지 제품 ‘GNP2070TD-Z’의 양산을 개시했다고 5일 밝혔다. TOLL 패키지는 소형, 고방열 특성과 동시에 전류 용량 및 스위칭 특성도 우수해 산업기기 및 자동차기기 중에서도 대전력 대응이 요구되는 어플리케이션에서 채용이 추진되고 있는 패키지다. 신제품은 TOLL 패키지에 제2세대 GaN on Si Chip을 탑재해 ON 저항과 입력 용량의 관계를 나타내는 디바이스 성능 지표(RDS(ON)×Qoss)에 있어서 업계 최고 수준의 수치를 실현했다. 이에 따라 고내압 및 고속 스위칭이 요구되는 전원 시스템의 한차원 높은 소형화와 저전력화에 기여한다. 신제품 양산에 있어 로옴은 베이스가 되는 일관 생산 체제에서 축적해온 디바이스 설계 기술 및 노하우를 활용하여 설계와 기획을 실시했다. 지난해 12월 10일에 발표한 TSMC와의 협업의 일환으로서 전공정은 TSMC, 후공정은 ATX에서 생산하고 있다. ATX와는 오토모티브용 GaN 디바이스의 생산에 있어서도 협업을 예정하고 있다. 오토모티브 분야에서 GaN 디바이스의 채용은 2026년부터 가속화될 것으로 예상하고 있다. 로옴은
로옴은 리튬이온 배터리 2셀 구동에 대응하는 8inch 서멀 프린트 헤드 ‘KA2008-B07N70A’를 개발했다고 23일 밝혔다. 신제품은 A4 사이즈(가로 폭 210mm)의 프린터에 대응하는 제품으로, 높이를 기존품의 14mm에서 업계 최소 수준인 11.67mm로 약 16％ 소형화해 프린터 전체의 스페이스 절약화에도 기여한다. 발열체 구조를 최적화한 드라이버 IC 및 배선 레이아웃을 개선함으로써 7.2V 구동에 대응해 기존의 12V 구동 대비, 인쇄를 위해 필요한 인가 에너지를 약 66％ 저감했다. 또한 발열체의 개별 배선 조정을 통해 발열량을 균일화함으로써 인쇄 품질을 안정화시켜, 최고 인쇄 속도 100mm/sec.의 고속 인쇄 시에도 해상도 203dpi로 선명한 인쇄 화질을 실현했다. 신제품은 감열 방식과 열전사 방식의 두가지 서멀 인쇄 방식에 대응해 다양한 용도에서의 인쇄가 가능하다. 온도 변화로 인한 팽창이나 수축의 영향을 경감할 수 있도록 구성함으로써, 기계적 강도와 내구성을 향상시켜 메인 타겟인 A4 사이즈 프린터에 요구되는 높은 내구성에 기여한다. 서멀 프린트 헤드는 커넥터나 방열판을 세트로 사용하는 것이 일반적이지만, 신제품은 기판 단품으로
로옴(ROHM)은 TSMC와 오토모티브용 GaN 파워 디바이스의 개발과 양산에 관한 전략적 파트너십을 체결했다고 10일 밝혔다. 로옴은 이번 파트너십을 바탕으로 자사의 GaN 디바이스 개발 기술과 TSMC의 최첨단 GaN-on-Silicon 프로세스 기술을 융합함으로써, 고전압 및 고주파 특성이 우수한 파워 디바이스에 대한 수요 증가에 대응해 나갈 것이라고 설명했다. GaN 파워 디바이스는 현재 AC 어댑터 및 서버 전원 등의 민생기기 및 산업기기에서 사용되고 있다. TSMC는 전기자동차(EV)의 온보드 차저 (OBC)나 인버터 등의 오토모티브 용도에서 앞으로의 환경 효과를 전망해 한층 더 GaN 테크놀로지를 강화하고 있다. 로옴 이사 전무 집행 임원인 Katsumi Azuma는 “세계 최고의 최첨단 제조 기술을 보유한 TSMC와 협력할 수 있어 매우 기쁘게 생각한다”며 “GaN의 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 제어 IC를 포함해 사용이 편리한 GaN 솔루션을 제공함으로써 오토모티브 분야에서 GaN의 보급을 촉진해 나갈 것”이라고 말했다. TSMC 시니어 디렉터 Chien-Hsin Lee는 “GaN 프로세스 기술의 차세대화를 추진함에 있어서 TSMC와
로옴(ROHM)의 SoC용 PMIC가 차량용 종합 반도체 팹리스 기업 텔레칩스(Telechips)의 차세대 콕핏용 SoC ‘Dolphin3’ 및 ‘Dolphin5’를 중심으로 하는 전원 레퍼런스 디자인에 채용됐다. 이 레퍼런스 디자인은 유럽 자동차 메이커의 콕핏에 탑재될 예정이며 2025년부터 양산을 개시한다. 인포테인먼트용 애플리케이션 프로세서(AP) Dolphin3의 전원 레퍼런스 디자인에는 SoC용 메인 PMIC ‘BD96801Qxx-C’가 탑재됐다. 차세대 디지털 콕핏용 AP Dolphin5의 전원 레퍼런스 디자인에는 SoC용 메인 PMIC ‘BD96805Qxx-C’, ‘BD96811Fxx-C’와 더불어 SoC용 서브 PMIC ‘BD96806Qxx-C’가 탑재됐다. 로옴은 Dolphin3의 전원 레퍼런스 디자인 ‘REF67003’ 및 Dolphin5의 전원 레퍼런스 디자인 ‘REF67005’를 로옴 공식 웹에서 공개함과 동시에, 레퍼런스 디자인을 베이스로 하는 레퍼런스 보드도 구비하고 있다. 레퍼런스 보드는 담당 영업 또는 로옴 Web 문의 양식을 통해 별도 문의가 필요하며 보드는 텔레칩스에서 제공한다. 한편 텔레칩스와 로옴은 2021년부터 기술 교류
로옴(ROHM)은 차량용 전동 컴프레서 및 HV 히터, 산업기기 인버터 등을 타겟으로 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하고, 1200V 내압으로 업계 최고 수준의 저손실 특성과 높은 단락 내량을 실현한 4세대 IGBT를 개발했다고 7일 밝혔다. 이번에 판매하는 제품은 디스크리트 패키지(TO-247-4L 및 TO-247N) 2종의 총 4개 기종 RGA80TRX2HR, RGA80TRX2EHR, RGA80TSX2HR, RGA80TSX2EHR과 베어칩 11개 기종 SG84xxWN이며 향후 라인업을 한층 더 확충할 예정이다. 1200V IGBT는 외부 구조를 포함한 디바이스 구조를 개선함으로써 1200V의 고내압과 자동차기기 규격의 신뢰성을 확보함과 동시에 업계 최고 수준의 단락 내량 10µsec.(Tj＝25℃ 시) 및 낮은 스위칭 손실 특성, 낮은 도통 손실 특성을 달성했다. 또한 4단자를 채용한 TO-247-4L 패키지 제품은 단자간 연면 거리를 확보함으로써 오염도 2의 환경에서 실효 전압 1100V에 대응할 수 있어 기존품 대비 고전압 용도에 대응 가능하다. 연면 거리 대책을 디바이스 측에서 실시함으로써 메이커의 설계 부하 경감에도 기여할 수 있다.
로옴은 고해상도 오디오 음원의 재생에 적합한 MUS-IC 시리즈의 플래그십 모델용 32bit D/A 컨버터 IC(이하 DAC 칩) ‘BD34302EKV’를 개발하고 평가 보드 ‘BD34302EKV-EVK-001’과 함께 판매를 시작한다고 31일 밝혔다. MUS-IC 시리즈의 제1세대 오디오 DAC 칩 ‘BD34301EKV’는 음질에 있어서 높은 평가를 받아 여러 메이커의 플래그십 모델에 채용됐다. BD34302EKV는 제2세대 제품으로서 로옴 DAC 칩의 기본 콘셉트인 ‘자연스럽고 평탄한 음질’을 계승함과 동시에, MUS-IC 시리즈의 3요소인 공간의 울림, 정숙성, 스케일감과 더불어 악기의 질감을 리얼하게 표현했다. BD34302EKV는 DWA(Data Weighted Averaging)의 새로운 알고리즘을 탑재해 대표적인 수치 성능인 THD+N 특성에서 -117dB (THD : -127dB)을 달성, 한층 더 리얼한 질감을 느낄 수 있는 음질을 실현했다. 노이즈 성능을 나타내는 SNR에서도 130dB로 플래그십 모델용 DAC 칩에 적합한 성능을 구현했다. 또한 재생 가능한 샘플링 주파수도 1536kHz까지 대응해 고객이 설계한 디지털 시그널 프로세서 (D
로옴(ROHM)은 조명의 소형 전원, 펌프, 모터 등에 최적인 소형 SOT-223-3 패키지의 600V 내압 Super Junction MOSFET(R6004END4, R6003KND4, R6006KND4, R6002JND4, R6003JND4)의 5개 기종을 개발했다고 30일 밝혔다. 이 제품은 기존의 TO-252 패키지(6.60mm×10.00mm×2.30mm) 대비 면적 약 31％, 두께 약 27％를 삭감할 수 있어 어플리케이션의 소형화 및 박형화에 기여한다. 또한 TO-252 패키지의 기판 상의 배선 패턴(랜드 패턴)을 사용할 수 있어 기존의 회로 기판을 그대로 사용할 수 있다. 신제품은 소형 전원용과 모터용으로 구비했다. 소형 전원용은 3개 기종으로 Low Noise가 특징인 'R6004END4'는 노이즈 대책이 필요한 용도에 알맞다. 고속 스위칭이 특징인 'R6003KND4' 및 'R6006KND4'는 저손실 및 고효율 동작이 필요한 어플리케이션을 지원한다. 'R6002JND4' 및 'R6003JND4'는 독자적인 기술을 통해 역회복 시간을 고속화해 스위칭 손실의 대폭적인 저감을 실현한 '프레스토모스(PrestoMOS)'로 모터용에 적합하다. 신제품
SiC 파워 반도체 주력 생산 거점으로서 2024년 내 가동 예정 로옴 주식회사(이하 로옴)이 솔라 프론티어 주식회사와 체결한 기본합의에 입각해 11월 7일자로 솔라 프론티어의 (구)쿠니토미 공장 자산을 취득했다고 밝혔다. 본 공장은 로옴의 제조 자회사인 라피스 세미컨덕터 주식회사의 미야자키 제2공장으로서 정비 및 운영하여, SiC 파워 반도체의 주력 생산 거점으로서 2024년 내에 가동을 예정하고 있다. 로옴 그룹은 앞으로 시장 상황을 신속하게 파악하고, 중기 경영 계획을 바탕으로 생산 능력 강화를 추진함과 동시에, BCM 대책을 철저히 실시해 고객에 대한 안정 공급을 위해 노력할 것이라고 밝혔다. 미야자키현 Shunji Kono 지사는 "로옴과 라피스 세미컨덕터의 이번 계획은 미야자키현의 경제 발전에 크게 기여할 것으로 기대한다. 앞으로도 쿠니토미 지역과 연계해 인재의 육성과 확보를 비롯해 최대한 지원할 예정이다"고 말했다. 미야자키현 히가시모로카타군 쿠니토미초 Naofumi Nakabeppu 지방자치장 역시 "로옴과 라피스 세미컨덕터가 SiC 파워 반도체의 새로운 생산 거점으로서 대규모 사업을 전개하는 것은 쿠니토미 지역의 경제를 비롯해 다양한 분야에서
로옴, e-Axle 전체 고려한 인버터의 공동 개발 진행 로옴은 마쓰다(Mazda), 이마센(Imasen) 전기 제작소(이하 Imasen 전기)와 전동차의 전동 구동 유닛(이하 e-Axle)에 탑재되는 인버터 및 SiC 파워 모듈의 공동 개발 계약을 체결했다. e-Axle은 모터, 감속기, 인버터를 일체화한 ‘EV의 심장부’로, 전동차의 주행 성능이나 전력 변환 효율을 좌우하는 중요한 유닛이다. 이 가운데서도 구동의 중핵을 담당하는 인버터의 고효율화를 위해 SiC MOSFET가 큰 주목을 받고 있다. 로옴은 마쓰다를 중심으로 한 ‘전동 구동 유닛의 개발 및 생산을 위한 협업 체제’에 참여해 Imasen 전기 등 파트너 기업과의 공동 가치 창조를 통해 e-Axle 전체를 고려한 인버터의 공동 개발을 진행한다. 또한, 그 성능 향상을 서포트하는 첨단 SiC 파워 모듈을 개발·공급함으로써 전에 없던 새로운 소형·고효율 전동 유닛의 창출에 기여한다. 로옴은 이번 협업을 통해 파워 반도체에 요구되는 성능 및 최적의 구동 방법을 완성차 레벨에서 역산해 이해함으로써 경쟁력 있는 SiC MOSFET, 모듈 개발을 추진할 계획이다. 이와 함께 양사는 새로운 가치 창조를 지향
헬로티 서재창 기자 | 로옴 주식회사(이하 로옴) 및 로옴 와코 주식회사(이하 로옴 와코)는 수요가 확대되는 아날로그 LSI 및 트랜지스터의 생산 능력 강화를 위해 말레이시아의 제조 자회사인 로옴 와코 일렉트로닉스(이하 RWEM)에 신규 생산동을 건설하기로 결정했다. 로옴 그룹은 국내외 공장에서 신규 생산동 건설 이외에도 제조 장치의 개선을 통한 생산 능력의 강화를 지속적으로 전개하고 있다. RWEM에 있어서도 2016년에 신규 생산동을 건설해 다이오드 등 디스크리트 제품의 생산 능력을 증강해왔다. 로옴은 최근 왕성한 반도체 수요에 대응하기 위한 생산 능력 강화와 동시에 BCM의 관점에서 아날로그 LSI 및 트랜지스터 생산의 다거점화를 추진하기 위해 RWEM에 신규 생산동을 건설하게 됐다. 이로써, RWEM 전체의 생산 능력은 약 1.5배가 될 것으로 전망하고 있다. 신규 생산동은 지상 3층, 연면적 2만9580㎡로 2022년 1월에 착공, 2023년 8월에 준공 예정이다. 로옴은 다양한 에너지 절약 기술을 적용한 설비를 도입해 환경 부하 경감 효과와 최신 각종 재해 대책을 도입함으로써 체제를 한층 더 강화하기 위해 노력하고 있다. 앞으로도 로옴 그룹은 시장
헬로티 서재창 기자 | 로옴은 중국 자동차 기업 지리자동차(이하 지리)와 자동차 분야의 첨단 기술 개발에 대한 전략적 파트너십을 체결했다고 밝혔다. 로옴과 지리는 2018년부터 기술 교류를 시작해 각종 오토모티브 어플리케이션 개발에서 협력 관계를 구축해왔다. 이번 파트너십은 양사의 융합을 한층 더 촉진해 자동차 분야의 기술 혁신을 가속화할 것으로 보인다. 지리는 SiC 파워 디바이스를 중심으로 한 로옴의 첨단 파워 솔루션을 활용해 고효율 메인 인버터 및 차량용 충전 시스템을 개발함으로써 전동차의 항속 거리 연장 및 배터리 비용 저감, 충전 시간 단축을 지향한다. 또한, 통신 IC 및 각종 디스크리트 등 폭넓은 제품과 솔루션을 활용해 고성능 ADAS 및 인텔리전트 콕핏 시스템을 개발함으로써 UX 향상을 도모하고 있다. 그 첫번째 성과로, 지리가 현재 개발 중인 전기자동차용 플랫폼에 로옴의 SiC 파워 디바이스를 탑재한 메인 인버터가 채용됐다. 양사는 파트너십 체결을 통해 자동차 산업의 저탄소 기술 개발 및 안전한 모빌리티 사회를 실현하는 기술 개발을 촉진해 지속 가능한 사회의 실현에 기여해갈 것으로 보인다.
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