ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 EEPROM의 전력 효율성 및 내구성과 플래시 메모리의 용량 및 속도를 결합한 하이브리드 메모리 Page EEPROM을 출시했다고 8일 밝혔다.
새로운 Page EEPROM은 점점 더 정교해지는 기능을 지원하고 데이터 집약적인 엣지 AI 알고리즘을 실행하기 위해 필요한 임베디드 애플리케이션의 증가하는 스토리지 요구를 충족한다.
예를 들어 귀걸이형 보청기에서는 Page EEPROM을 사용해 자재비를 절감하고 더욱 슬림하면서도 편안한 제품을 만들 수 있다. Page EEPROM은 웨어러블 기기 외에도 헬스케어 기기, 자산 추적기, 전기 자전거를 포함한 다양한 산업 및 소비자 제품에 적합하다.
필리페 가니벳 ST EEPROM 제품군 부장은 “지능형 엣지가 빠르게 진화하면서 임베디드 메모리의 스토리지 밀도, 성능 및 전력 소모에 대한 요구사항이 급격하게 변화하고 있다”며 “새로운 Page EEPROM은 배터리 기반 원격 IoT 모듈을 위한 마이크로컨트롤러를 보완하는 완벽한 초저전력 메모리”라고 말했다.
새로운 메모리 IC를 최초 사용한 고객사 중 하나인 비트플립 엔지니어링 소유주 패트릭 쿠스벨은 “ST의 Page EEPROM은 비휘발성 메무리의 완벽한 솔루션으로 고성능, 고신뢰성, 소형, 저전력이 요구되는 GPS 추적기, IoT 장치 및 기타 모든 설계에서 우리가 설정한 목표를 달성할 수 있었다”고 전했다.
이어 “M95P는 이전에 사용한 부품들에 비해 최대 50배 더 빠르면서도 소비 전력은 10분의 1에 불과하고, 쓰기 횟수는 이전 부품의 평균 10만회에 비해 50만회를 지원하면서도 신뢰성은 5배나 더 높았다”고 설명했다.
ST의 Page EEPROM 제품군은 표준 EEPROM 디바이스에 비해 저장용량이 크게 증가해 8Mbit, 16Mbit, 32Mbit의 밀도를 제공한다. 내장된 스마트 페이지 관리 기능을 통해 데이터 로깅과 같은 프로세스에서 바이트 단위의 쓰기 동작이 가능하며 페이지/섹터/블록 단위의 지우기와 함께 최대 512byte의 페이지 프로그램 기능을 지원해 펌웨어 무선(OTA) 업데이트를 효율적으로 처리한다.
또한 이 디바이스들은 버퍼 로딩이 가능해 여러 페이지를 동시에 프로그래밍해 생산 시 소프트웨어 로딩 시간을 단축한다. 데이터 읽기 속도는 표준 EEPROM보다 약 16배 빠른 320Mbit/s이며 쓰기 사이클 내구성은 기존 시리얼 플래시보다 몇 배 더 높은 50만회에 이른다.
또한 Page EEPROM은 새로운 피크 전류 제어 기능을 갖춰 전원 공급 노이즈를 최소화하고 배터리로 작동하는 장비의 사용 시간을 연장한다. 쓰기 전류는 대부분의 일반적인 EERPOM보다 낮으며, 고속 웨이크업 기능이 있는 딥 파워-다운(Deep Power-Down) 모드를 통해 전류를 1µA 미만으로 줄일 수 있다.
아울러 사용자들이 페이지 EEPROM과 상호작용하고 애플리케이션 설계에 새로운 디바이스를 통합하는 방법을 학습할 수 있도록 X-NUCLEO-PGEEZ1 확장 보드와 X-CUBE-EEPRMA1 소프트웨어 패키지도 제공 중이다. 이 소프트웨어에는 메모리의 하이브리드 아키텍처를 테스트하고 신속하게 개념 증명을 구현하는 방법을 보여주는 데모 애플리케이션도 포함돼 있다.
헬로티 이창현 기자 |
