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인피니언, 8인치 파운드리 공정 기반의 CoolGaN 트랜지스터 제품군 출시

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인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 새로운 세대의 고전압 및 중전압 CoolGaN 제품군을 출시한다고 밝혔다.


이제 고객들은 다양한 애플리케이션에 40V부터 700V에 이르는 갈륨 나이트라이드(GaN) 디바이스를 사용할 수 있게 됐다. 두 제품군은 쿨림(말레이시아)과 필라흐(오스트리아) 공장에서 고성능 8인치 인하우스 파운드리 공정으로 제조된다. 


이제 인피니언은 CoolGaN의 강점과 생산 용량을 더욱 확장해, 향후 5년간 46%의 연평균 성장률(Yole Group 전망)로 성장이 예상되는 GaN 디바이스 시장에서 공급 사슬을 견고히 할 것이다.


새로운 650V G5 제품군은 컨슈머, 데이터 센터, 산업용, 태양광 등의 애플리케이션에 적합하다. 이들 제품은 인피니언의 차세대 GIT(gate injection transistor) 기반 고전압 제품이다. 


8인치 프로세스로 제조되는 두 번째 새로운 제품군은 중전압 G3 디바이스로 60V, 80V, 100V, 120V CoolGaN 트랜지스터와 40V 양방향 스위치(BDS) 제품을 포함한다. 중전압 G3 제품은 모터 드라이브, 텔레콤, 데이터 센터, 태양광, 컨슈머 애플리케이션에 적합하다.

 

헬로티 김진희 기자 |









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