많은 양의 데이터 구조화해 트랜지스터 모델 추출에 소요되는 시간 절약
키사이트테크놀로지스(이하 키사이트)가 삼성전자 파운드리사업부에서 RF(초고주파) 첨단 공정과 관련해 PDK의 핵심 요소인 회로 라이브러리의 생성 속도를 높이기 위해 새로운 키사이트 IC-CAP 모델 생성기를 채택했다고 발표했다.
업계 표준이 된 RF FinFET(Fin Field-Effect Transistors)를 모델링하는 것은 방대한 양의 데이터가 존재해 복잡하면서 많은 시간이 소요되는 과정이다. IC-CAP 모델생성기(MG) 소프트웨어를 활용하면, RF 모델링 엔지니어가 효율적으로 많은 양의 데이터를 구조화해 트랜지스터 모델 추출에 소요되는 시간을 절약한다. MG가 데이터 관리 작업과 다중 디바이스 시뮬레이션 및 결과 표시에 대한 모든 세부 사항을 처리하므로 엔지니어가 맞춤형 흐름을 생성하고 자동화하는 데 집중한다.
파이썬 3 기반의 MG 소프트웨어는 키사이트의 대표적인 모델링 플랫폼 PathWave Device Modeling(IC-CAP)에 속한다. 이 소프트웨어는 다양한 구조과 온도에 대해 측정된 데이터와 회로 넷리스트를 가져오고 구조화한다. 또한, 소프트웨어가 사용자 입력을 기반으로 주요 성능 지수의 RF 트렌드 플롯을 효율적으로 시뮬레이션하고 자동으로 생성한다.
트렌드 플롯을 포함하는 모든 데이터의 경우, 직관적이고 사용법이 간단한 인터페이스를 통해 맞춤형 파라미터 추출 과정을 구축할 수 있다. 이 제품의 경우 레이아웃 기생 추출 파일을 사용해 넷리스트를 포함해 복잡한 RF 부회로를 갖는 다중 디바이스를 실시간으로 조율하고 효율적으로 시뮬레이션을 진행할 수 있다. ICCAP MG 소프트웨어 프레임워크에는 모델 검증 및 보고서 생성 기능이 포함된다.
삼성전자 파운드리사업부 DP팀 계종욱 부사장은 “지난 몇 년간 우리는 RF 디바이스 모델링 작업의 효율성과 정확성을 개선할 목적으로 키사이트 EDA와 긴밀하게 협력해왔다. 키사이트 ICCAP 모델생성기(MG)를 삼성의 워크플로에 적용한 이후, 효율성이 30% 이상 개선됐다"고 말했다.
이어 그는 "복잡한 넷리스트와 S-파라미터, 저주파, 고주파 노이즈를 포함해 다양한 측정 데이터를 처리하는 모델 생성기의 역량은 우리에게 있어 중요하다. 이 모델 생성기의 우수한 유연성과 강력한 성능은 모델의 정확성을 개선하는 데 도움이 된다. 또한, 파이썬 덕분에 파라미터를 맞춤화하고 모델 생성기를 필요에 맞게 조정할 수 있다”고 설명했다.
키사이트 EDA 총괄 관리자 겸 부사장 닐 파세(Niels Faché)는 “현재의 RF FinFET 기술과 미래의 혁신적인 디바이스를 모델링하는 작업은 굉장히 복잡하며 많은 시간이 소요되는 작업이다. 다양한 크기와 온도를 기준으로 디바이스의 RF 동작을 정확하게 모델링하기 위해서는 엔지니어들이 수백 개의 파라미터를 추출해야 한다”고 말했다.
이어 그는 “ICCAP 모델 생성기는 워크플로의 치명적인 장애물을 제거하여 삼성 엔지니어들이 프로그래밍보다 모델링에 더 집중할 수 있도록 지원한다. 이 새로운 솔루션을 통해 삼성이 모델링 워크플로를 더 잘 관리하고 PDK 개발 주기를 단축시키고 제품을 빠르게 출시하게 돼 감회가 새롭다”고 소감을 밝혔다.
헬로티 서재창 기자 |
