심포지엄서 최첨단 핀펫 기반 노드인 인텔 3 공정 노드에 대한 세부 정보 밝혀 인텔은 연례 VLSI 심포지엄에서 인텔 3 기술로 최첨단 파운드리 노드를 제공함으로써 공정 리더십을 회복하고 있다고 밝혔다. 인텔 파운드리는 혁신적인 기술을 활용해 무어의 법칙을 계승하며 고객이 새로운 애플리케이션 개발을 위해 역량을 발휘하고 있다고 강조했다. 인텔은 2005년 스트레인드 실리콘, 2009년 하이케이 메탈 게이트, 2011년 핀펫 아키텍처로 트랜지스터를 3차원으로 구현하는 등 수십 년 동안 주요 전환점에서 트랜지스터 기술을 통해 업계를 선도해 왔다. 또한, 현재 AI 및 슈퍼컴퓨터와 같은 미래를 뒷받침할 새로운 트랜지스터 혁신을 지속하고 있다. 인텔은 연례 VLSI 심포지엄에서 최첨단 핀펫 기반 노드인 인텔 3 공정 노드에 대한 세부 정보를 밝혔다. 기본 인텔 3 공정 노드는 전체 프로세서 코어에서 동일한 전력으로 최대 18% 나은 성능을 제공하며, 유연한 메탈 인터커넥트 옵션 세트와 이전 세대인 인텔 4 노드에 비해 최대 10% 높은 집적도를 제공한다. 인텔은 한 세대 전체에 걸친 성능 개선이 이뤄진 것으로, 불과 1년 만에 놀라운 진전을 이뤘다고 언급했다. 트랜
헬로티 서재창 기자 | 최시영 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부 사장이 세계적인 반도체 학회 행사에서 "어떤 도전에도 대응할 준비가 돼 있다"며 자신감을 드러냈다. 최 사장은 16일 온라인으로 열린 'VLSI 심포지엄'에서 '팬데믹의 도전, 기술이 답하다'는 주제로 기조연설하며 이같이 밝혔다. 최 사장은 "핀펫(FinFET) 기술이 모바일 시스템온칩 시대를 열었던 것처럼, MBCFET 기술은 고성능·저전력 컴퓨팅, 인공지능, 5G 확산 가속화를 통해 '데이터 기반 사회'를 열 것으로 기대한다"고 말했다. MBCFET은 삼성전자의 독자적인 차세대 트렌지스터 공정 기술이다. 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트(Nano Sheet)를 적층해 트렌지스터 성능과 전력효율을 높였다. MBCFET 공정은 기존 7나노 핀펫 트랜지스터보다 차지하는 공간을 45%가량 줄이면서 소비전력 50% 절감과 35%의 성능 개선 효과가 있을 것으로 삼성전자는 기대하고 있다. 최시영 사장은 "삼성의 파운드리 비전은 기술 경쟁력을 기반으로 고객에게 공정·설계 유연성을 제공하는 것"이라며, "어떤 도전에도 대응할 준비가 돼 있다"고 강조했다. 오하이오주립대 전자재료 박사 출신인 최 사