차세대 프로세서 해상도와 기능 확장 획기적으로 개선하는 기능 갖춰 인텔 파운드리는 미국 오리건주 힐스보로 R&D 구역에 위치한 업계 최초 상업용 ‘고개구율(High Numerical Aperture, High NA) 극자외선(EUV)’ 노광장비 조립을 완료하며 첨단 반도체 제조 분야에서 중요한 이정표를 달성했다. ASML 제품인 인텔의 하이 NA EUV 장비 ‘트윈스캔 EXE:5000’은 인텔의 첨단 공정 로드맵 개발에 사용될 준비를 위해 여러 조정 단계를 진행 중이다. 이 신규 장비는 인쇄된 이미지를 실리콘 웨이퍼에 투사하기 위한 광학 설계 변경을 통해 차세대 프로세서의 해상도와 기능 확장을 획기적으로 개선하는 기능을 갖추고 있다. 마크 필립스(Mark Phillips) 인텔 펠로우 겸 인텔 파운드리 로직 기술 개발 부문 노광, 하드웨어 및 솔루션 담당 디렉터는 “하이 NA EUV 추가로, 인텔은 다방면의 노광 장비를 보유하게 됐으며, 2025년 이후 인텔 18A를 넘어 미래 공정을 추진할 역량을 갖추게 됐다”고 밝혔다. 하이 NA EUV 장비는 첨단 칩 개발과 인텔 18A 이후 차세대 프로세서 생산에서 핵심적인 역할을 할 예정이다. 업계 최초로 하
넥스버가 High NA, Ultra-high Resolution Telecentric lens와 360° Hole inspection lens 등 신제품 렌즈를 소개했다. High NA, Ultra-high Resolution Telecentric lens Max Image circle 44Ø로 35mm Full Frame sensor 카메라, 65MP Sensor 및 8K 5un line scan camera에 사용 가능한 High NA, Ultra-high resolution telecentric lens다. 이 렌즈는 5배 7.5배 모델의 경우 Objective lens 대비 같거나 높은 NA에 긴 WD 제공하며, 다양한 배율(1, 2, 3, 4, 5 and 7.5x) 및 High Uniformity 동축 조명 적용됐다. 색수차 보정(Achromatic 보다 색수차와 구면 수차 보정이 좋은 Apochromat 렌즈) 설계로 칼라 카메라에서도 뛰어난 해상도를 유지하며, 렌즈 밝기 및 피사계 심도를 조절할 수 있는 조리개(Iris) 장착된 제품이다. 360° Hole inspection lens 이 렌즈는 배부벽과 바닥을 동시에 이미지화해 검사가 가능한 제