마우저 일렉트로닉스는 르네사스 일렉트로닉스의 최신 임베디드 및 전력 솔루션 제품을 공급하고 있다고 15일 밝혔다. 약 2만8000종 이상의 르네사스 부품과 주문 당일 선적 가능한 1만 종 제품을 포함해 광범위한 포트폴리오를 제공하며, 매일 새롭게 추가되는 최신 솔루션도 포함된다. RA8P1 마이크로컨트롤러(MCU)는 Arm Cortex-M85(CM85) 및 Cortex-M33(CM33) 기반의 AI 지원 싱글·듀얼 코어 MCU로, Arm Ethos-U55 신경망 프로세서를 탑재해 엣지, AI, IoT 애플리케이션에 적합하다. RAA48930x 3-레벨 동기식 벅 컨트롤러는 USB 타입-C(Type-C) 기반 멀티포트 충전기, 휴대용 전원 스테이션, 로봇, 드론 등에서 고효율 배터리 충전과 전압 레귤레이션을 지원하며, 시스템 크기와 전력 손실을 최소화한다. TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FET는 데이터센터, 산업, 전동 모빌리티 분야에서 고효율·고밀도 전력 변환을 제공하며, 다양한 패키지 옵션과 병렬 구성을 통해 1kW~10kW 이상 전원 아키텍처 설계에 최적화할 수 있다. RA4C1 MCU는 저전력 설계와 첨단 보안 기능을 갖춰 계량기 및
데이터 통신·전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 제품 등 전력 변환 효율 개선 넥스페리아가 오늘 저전압(100/150V) 및 고전압(650V) 애플리케이션을 위한 e-모드 구성의 전력용 GaN FET 첫 시리즈를 출시했다. 넥스페리아는 7개의 새로운 e-모드 소자로 캐스코드 제품을 보강함으로써 설계자에게 실리콘 기반 전력 전자 부품 포트폴리오와 함께 GaN FET를 최적으로 제공하는 단일 제조업체가 됐다. 넥스페리아가 이번에 출시한 새로운 포트폴리오에는 DFN 5mm x 6mm 및 DFN 8mm x 8mm 패키지로 선택할 수 있는 5개의 650V 정격 e-모드 GaN FET - 80mΩ에서 190mΩ 사이의 RDS(on) 값이 포함된다. 이 소자들은 고전압, 저전력(<650V) 데이터 통신/전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 응용 제품 등의 전력 변환 효율을 개선시킨다. 이 제품들은 또한 더 높은 토크와 더 높은 출력 값을 가지는 정밀도를 갖춘 브러시리스 DC 모터 및 마이크로 서버 드라이브 설계에도 사용된다. 이 제품들 중에는 WLCSP8 패키지로 제공되는 100V(3.2mΩ) GaN FET와 FCLGA 패키지로 제공되는 15
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UPDATE: 2025년 10월 15일 17시 58분
