일반뉴스 온세미컨덕터, APEC 2021에서 1200V SiC MOSFET 하프브리지 모듈 공개

헬로티 함수미 기자 | 온세미컨덕터가 APEC 2021서 1200V 풀 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 하프브리지 모듈을 발표했다. 6월 14일부터 17일까지 진행되는 세계 최대 응용전력전자 행사인 APEC 2021서 온세미컨덕터는 하프브리지 모듈 발표와 전기차 시장의 요구에 적합한 제품을 더욱 넓혀 나가겠다고 밝혔다. 전기차 판매량이 지속해서 증가함에 따라, 운전자의 요구를 충족시킬 수 있는 인프라 구축에 대한 중요성이 높아졌다. 또한, 이를 통해 주행거리 불안 없이 신속하게 목적지까지 도착하도록 돕는 급속 충전소 네트워크에 대한 필요성이 커지고 있다. 전기차 관련 요구사항이 빠르게 변화해, 350kW 이상의 전력을 95%가 넘는 효율로 공급하는 것이 표준이 되고 있다. 충전기가 배치되는 다양한 환경과 위치를 고려할 때, 소형화, 견고성, 그리고 향상된 신뢰성 등이 설계자가 직면하게 되는 도전과제가 된다. 새로운 1200V M1 풀 SiC MOSFET 하프 브리지 모듈은 플라나(Planar) 기술을 기반으로 하고, 18-20V 범위의 드라이브 전압을 네거티브 게이트 전압으로 인가해 간단하게 구동된다. 해당 제품은 트렌치 MOSFET에 비해서 더 큰 크

• 함수미 기자
• 2021-06-08 09:48