반도체·디스플레이 장비 전문기업 에스티아이가 차세대 전력반도체용 방열 부품 제조 장비 개발에 성공하며 글로벌 전력반도체 시장에 본격 진출한다. 에스티아이는 중국 주요 전력반도체 제조사와 약 6,650만 달러 규모의 생산라인 구축 계약을 체결하며 고부가가치 전력반도체 장비 사업을 새로운 성장 축으로 확대할 계획이다. 이번 신제품은 전력반도체 모듈의 신뢰성과 효율을 결정짓는 방열 공정을 고도화한 장비로, 고전압·고주파 환경에서 운영되는 전력반도체 특성에 최적화된 기술이 적용되었다. 발열 관리가 전력반도체 성능·수명·안정성의 핵심 요인으로 부상하면서 글로벌 제조사들은 방열 부품의 성능 향상과 생산 효율 개선에 대한 투자를 확대한 바 있다. 방열 부품은 열방출을 통해 성능 저하를 막고 장비 수명을 늘리는 동시에 화재·폭발 위험을 줄이는 필수 구성 요소로 주목받고 있다. AI 고도화, HBM·인터포저 패키징 확산, 데이터센터 증설, 전기차(EV) 고성능화, 신재생에너지 인프라 확대 등으로 고효율 전력반도체 시장은 구조적 성장 국면에 진입했다. 이러한 환경에서 에스티아이는 독자 공법 기반의 방열 부품 제조 공정을 수년간 개발해 왔으며, 이번 프로젝트를 통해 기술력을 공
온세미는 업계 표준 T2PAK 톱쿨 패키지의 엘리트 실리콘 카바이드 EliteSiC MOSFET을 출시했다고 9일 발표했다. 이번 신제품은 전기차, 태양광 인프라, 에너지 저장 시스템 등 고전력·고전압 애플리케이션 시장에서 요구하는 향상된 열 성능, 신뢰성, 설계 유연성을 제공한다. T2PAK 패키지를 도입한 온세미의 최신 650V, 950V EliteSiC MOSFET 포트폴리오는 실리콘 카바이드 기술과 톱쿨 패키징 형식을 결합했다. 초기 제품은 주요 고객사에 공급되고 있으며 추가 제품은 2025년 4분기 이후에 출시될 예정이다. 온세미는 EliteSiC 제품군 전반에 T2PAK 패키지를 도입함으로써 까다로운 고전압 애플리케이션에서 높은 효율성, 작은 크기, 내구성을 추구하는 자동차와 산업 분야에 새로운 옵션을 제공한다. 태양광 인버터, 전기차 충전기, 산업용 전원 공급 장치 등 애플리케이션의 전력 수요 증가에 따라 효과적인 열 관리는 중요한 엔지니어링 과제가 됐다. 기존 패키징 방식은 설계자들이 열 효율과 스위칭 성능 중 하나를 선택해야 하는 한계가 있었다. 온세미의 EliteSiC T2PAK 솔루션은 PCB에서 발생한 열을 시스템 냉각 인프라로 직접 전
파워큐브세미는 지난 11월 25일부터 28일까지 제주국제컨벤션센터에서 개최된 ICAE 2025 국제학술대회에 참가해 한·중·일 3국 간 산화갈륨 웨이퍼 공급망 및 기술 협력 확대 방안을 논의했다고 밝혔다. ICAE 2025는 전기·전자재료 분야의 산학 전문가들이 대규모로 참여하는 국제 학술대회로, 2023년 기준 27개국에서 1796명이 참석하고 1180편 이상의 논문이 발표될 정도로 국제적 위상이 높다. 파워큐브세미는 이번 학술대회에서 산화갈륨 웨이퍼 제작 기업인 중국 GARENSEMI, 일본 Novel Crystal Technology와 함께 산화갈륨 기반 전력반도체 및 아크감지센서 개발 협력 성과를 발표했다. 세 기업은 산화갈륨 웨이퍼 품질 개선, 결정 성장 기술 고도화, 공정 조건 최적화, 시제품 제작 등 전 단계에서 협력을 추진해왔다. 파워큐브세미는 산화갈륨 기반 전력반도체 및 아크감지센서의 설계, 소자 제작, 신뢰성 평가를 비롯해 제품 양산 및 고객사 평가를 진행하고 있으며, Novel Crystal Technology와 GARENSEMI로부터 산화갈륨 웨이퍼를 공급받아 협력 시너지를 강화할 계획이다. 이번 협력을 통해 산화갈륨 전력반도체 및 아크
인피니언 테크놀로지스의 전력 시뮬레이션 플랫폼 IPOSIM(Infineon Power Simulation Platform)은 전력 모듈, 디스크리트 디바이스, 디스크 디바이스의 손실과 열 동작을 계산하는 데 널리 활용되고 있다. 이 플랫폼은 외부 회로 및 게이트 드라이버 선택을 시스템 레벨 시뮬레이션에 통합하는 SPICE 기반 모델 생성 툴을 새롭게 추가했다. 새로운 기능은 디바이스의 비선형 반도체 물리 특성을 고려해 정적·동적·열 성능을 더욱 정밀하게 계산하며, 다양한 동작 조건에서 디바이스를 비교해 설계 결정을 신속하게 내릴 수 있도록 지원한다. 개발자가 실제 동작 조건을 워크플로우에 직접 반영해 애플리케이션 환경을 맞춤 설정할 수 있으며 이를 통해 애플리케이션 성능 최적화, 시장 출시 기간 단축, 비용이 큰 설계 반복 감소 효과를 기대할 수 있다. IPOSIM은 SPICE를 통합하면서 EV 충전, 태양광, 모터 드라이브, 에너지 저장 시스템(ESS), 산업용 전원 공급 장치 등 스위칭 전력과 열 성능이 중요한 애플리케이션 전반을 지원한다. 탈탄소 전환이 가속화되는 가운데 전력 전자 기술은 청정 에너지 시스템 구축과 지속 가능한 교통, 효율적 산업 프로세
NXP 반도체가 하드웨어 기반의 전기화학 임피던스 분광법(EIS, Electrochemical Impedance Spectroscopy)을 내장한 배터리 관리 칩셋을 발표했다. 이번 신제품은 전기차(EV) 및 에너지 저장 시스템(ESS)의 안전성, 수명, 성능을 혁신적으로 개선하기 위해 설계됐다. 새로운 EIS 칩셋은 모든 구성요소에서 나노초(ns) 수준의 정밀 동기화를 제공하며, 배터리 상태를 정밀하게 분석해 OEM 제조사가 충전 안전성과 수명 예측 정확도를 높일 수 있도록 지원한다. 이번에 발표된 솔루션은 세 가지 배터리 관리 시스템(BMS) 유닛으로 구성돼 있다. ▲BMA7418 셀 감지 장치 ▲BMA6402 게이트웨이 ▲BMA8420 배터리 정션 박스 컨트롤러로, 추가 부품이나 복잡한 재설계 없이 EIS 측정을 직접 수행할 수 있다. 하드웨어 내장형 이산 푸리에 변환(DFT) 기능이 포함돼 있어 정밀한 주파수 응답 분석이 가능하며 실시간 고주파 모니터링을 통해 배터리 상태를 즉각적으로 진단할 수 있다. 기존의 소프트웨어 기반 배터리 모니터링은 밀리초 단위의 동적 이벤트 감지에 한계가 있었지만 NXP의 하드웨어 통합형 EIS 시스템은 고장의 초기 징후를
마이크로칩테크놀로지는 우주 산업용 고신뢰성 통신 인터페이스 솔루션인 ‘ATA6571RT’ CAN FD 트랜시버를 출시했다고 밝혔다. 이번 신제품은 위성, 우주선 등 극한의 우주 환경에서도 안정적인 통신을 보장하기 위해 내방사선 설계를 적용했으며, 최대 5Mbps의 데이터 속도를 지원한다. 또한 기존 CAN 시스템과 하위 호환되어 기존 플랫폼에 원활히 통합할 수 있다. ATA6571RT는 기존 CAN의 1Mbps 대역폭 한계를 극복하고, 프레임당 최대 64바이트의 페이로드를 처리할 수 있어 통신 효율성을 높이고 버스 부하를 줄인다. CRC(주기적 이중화 검사) 기반의 향상된 오류 감지 기능을 통해 안전성이 중요한(security-critical) 애플리케이션에서 통신 신뢰성을 강화했다. 이 트랜시버는 위성 추진 시스템 제어, 로보틱스, 나노위성 온보드 컴퓨터, 센서 네트워크 등 다양한 우주 시스템에서 활용 가능하다. 또한 기존 상용 플라스틱 및 세라믹 패키지와 동일한 핀 배열을 지원해 설계 변경 없이 적용할 수 있어 개발 편의성이 높다. ATA6571RT는 단일 이벤트 효과(SEE)와 총 이온화 선량(TID)에 대한 내성을 갖춰 방사선이 강한 우주 환경에서도
3분기 매출 15억5090만 달러·잉여현금흐름 22% 증가 온세미가 2025년 3분기 실적을 발표했다. 이번 실적에서 온세미는 시장 기대를 상회하는 성과를 기록하며, 핵심 산업 전반에서의 안정세와 AI 분야의 성장세를 동시에 입증했다. 온세미의 3분기 매출은 15억5090만 달러를 기록했다. 일반회계기준(GAAP) 총이익률은 37.9%, 비일반회계기준(non-GAAP) 기준으로는 38%를 달성했다. 영업이익률은 각각 17%, 19.2%를 기록했으며, 희석주당이익(EPS)은 GAAP 및 비GAAP 기준 모두 0.63달러를 기록했다. 영업활동 현금흐름은 4억1870만 달러, 잉여현금흐름은 3억7240만 달러로 전년 대비 22% 증가하며 매출의 24%에 달했다. 온세미는 올해 들어 9억2500만 달러 규모의 자사주를 매입했으며, 이는 잉여현금흐름의 약 100%에 해당한다. 하산 엘 코우리 온세미 CEO는 “온세미의 3분기 실적은 시장의 기대를 상회했으며 이는 당사의 전략적 실행력과 비즈니스 모델의 견고함을 보여주는 결과”라고 평가했다. 그는 “자동차, 산업, AI 플랫폼 전반에서 에너지 효율성이 핵심 요건으로 부상하고 있으며. 온세미는 고객이 적은 전력으로 더 높
AI, 자율주행, 5G 통신 등 고성능 시스템이 확산되면서 전력 밀도와 효율이 반도체 산업의 핵심 지표로 부상하고 있다. 이번 ‘고효율 전원 공급 장치를 위한 향상된 파워 반도체 패키지 알아보기’ 웨비나는 마우저가 주최하며 차세대 전력 반도체 패키징 기술을 중심으로 SiC(실리콘 카바이드) 기반 고전력 애플리케이션의 설계 혁신 방안을 다룬다. SMPD(Surface Mount Power Device) 패키지는 기존의 TO(Transistor Outline) 패키지와 달리 표면 실장(SMD) 방식을 채택해 자동화된 PCB 조립 공정에 최적화됐다. 열 방출을 위한 대형 핀(Fin) 구조를 통해 고전력 밀도에서도 안정적인 온도 제어가 가능하며 부품 소형화와 비용 절감 효과를 동시에 실현한다. 이러한 구조적 특성 덕분에 SMPD 패키지는 인버터, 충전기, 전원 공급 장치 등 고효율이 요구되는 응용 분야에서 주목받고 있다. 특히 SMPD 패키지는 실리콘(Si)과 실리콘 카바이드(SiC) 기반의 MOSFET을 모두 적용할 수 있는 유연한 설계를 제공한다. SiC MOSFET은 높은 항복 전압과 낮은 온 저항(RDS(on)), 고온 안정성을 갖춰 고전압·고전력 환경에서도
AI, 자율주행, 5G 통신 등 고성능 시스템이 확산되면서 전력 밀도와 효율이 반도체 산업의 핵심 지표로 부상하고 있다. 이번 ‘고효율 전원 공급 장치를 위한 향상된 파워 반도체 패키지 알아보기’ 웨비나는 마우저가 주최하며 차세대 전력 반도체 패키징 기술을 중심으로 SiC(실리콘 카바이드) 기반 고전력 애플리케이션의 설계 혁신 방안을 다룬다. SMPD(Surface Mount Power Device) 패키지는 기존의 TO(Transistor Outline) 패키지와 달리 표면 실장(SMD) 방식을 채택해 자동화된 PCB 조립 공정에 최적화됐다. 열 방출을 위한 대형 핀(Fin) 구조를 통해 고전력 밀도에서도 안정적인 온도 제어가 가능하며 부품 소형화와 비용 절감 효과를 동시에 실현한다. 이러한 구조적 특성 덕분에 SMPD 패키지는 인버터, 충전기, 전원 공급 장치 등 고효율이 요구되는 응용 분야에서 주목받고 있다. 특히 SMPD 패키지는 실리콘(Si)과 실리콘 카바이드(SiC) 기반의 MOSFET을 모두 적용할 수 있는 유연한 설계를 제공한다. SiC MOSFET은 높은 항복 전압과 낮은 온 저항(RDS(on)), 고온 안정성을 갖춰 고전압·고전력 환경에서도
온세미가 독자 기술을 적용한 수직 구조의 질화갈륨(Vertical GaN, 이하 vGaN) 전력반도체 신제품을 공개했다. 온세미는 자사 차세대 전력반도체를 공개하고, 제품이 화합물 반도체 내 전류를 수직 방향으로 흐르게 하는 구조를 통해 더 높은 동작 전압과 빠른 스위칭 주파수를 구현할 수 있다고 밝혔다. 온세미에 따르면 AI 데이터센터, 전기차, 재생에너지, 항공우주 등 에너지 집약적 산업의 전력 수요가 급증하는 현재와 같은 상황에서 해당 신제품은 다양한 분야에서 더 작고 가벼우며 효율적인 시스템 설계를 가능하게 한다. 미국 뉴욕주 시러큐스(Syracuse) 팹에서 개발되었으며, 공정, 디바이스 설계, 제조, 시스템 혁신과 관련된 130건 이상의 글로벌 특허를 기반으로 하는 vGaN 기술은 단일 다이에서 1200V 이상의 고전압을 처리하고, 고주파에서 고전류를 고효율적으로 스위칭할 수 있도록 설계됐다. 이를 통해 전력 손실을 최대 50%까지 줄이고, 고주파 동작 시 인덕터와 커패시터 등 수동 부품의 크기를 대폭 줄일 수 있다. 또한 기존 수평형 GaN 대비 약 3분의 1 크기로 구현이 가능해 전력 밀도, 열 성능, 신뢰성이 중요한 고출력 응용 분야에 최적화
ST마이크로일렉트로닉스가 소형·고효율 USB-PD 충전기, 고속 배터리 충전기, 보조 전원공급장치의 설계와 구현을 간소화하는 GaN(갈륨 나이트라이드) 플라이백 컨버터 시리즈를 출시했다. 이번 신제품은 ST의 독보적 전력 관리 기술을 기반으로, 부하가 줄어든 상태에서도 충전기와 전원공급장치가 무소음으로 작동하도록 지원해 사용자 경험을 향상시킨다. 신제품 라인업은 700V GaN 전력 트랜지스터가 내장된 VIPerGaN50W를 중심으로 구성되며, 플라이백 컨트롤러와 최적화된 게이트 드라이버를 하나의 소형 전력 패키지에 통합했다. 통합 게이트 드라이버는 게이트 저항 및 인덕턴스 보정을 위한 별도 설계 작업이 필요하지 않아 제품 출시 기간을 단축하고, 전력 밀도를 향상시키며 부품원가(BOM)도 줄일 수 있다. 50W급 플라이백 컨트롤러는 최대 부하까지 제로 전압 스위칭(ZVS, Zero-Voltage Switching) 기반 준공진(Quasi-Resonant) 모드로 동작한다. 경부하에서는 주파수 폴드백(Frequency Foldback) 기능을, 중부하에서 고부하까지는 밸리 스키핑(Valley Skipping) 방식을 적용해 스위칭 주파수를 제어함으로써 최적의
파워큐브세미는 10월 22일부터 24일까지 서울 코엑스에서 열린 ‘SEDEX 2025(반도체 대전)’에 참가해 자사의 센서 및 파워 소자 기술력을 선보였다고 밝혔다. ‘SEDEX 2025’는 한국반도체산업협회가 주최하는 국내 최대 규모의 반도체 전문 전시회로, 시스템 반도체, 장비 및 부품, 재료, 설비, 센서 등 다양한 반도체 산업 분야의 주요 기업과 기관이 참여했다. 올해 행사에는 삼성전자, SK하이닉스, 샤오미, 화웨이 등 280개 기업이 700여 개 부스를 운영하며 반도체 산업의 최신 기술 트렌드와 협력 기회를 공유했다. 파워큐브세미는 이번 전시회에서 센서와 파워 소자 제품군을 중심으로 자사의 핵심 기술 경쟁력을 집중 홍보했다. 특히 산화갈륨(Ga₂O₃) 기반의 아크 감지 센서(Arc Detection Sensor) 를 공개해 주목을 받았다. 이 센서는 배전반이나 데이터센터 내부에서 발생할 수 있는 전기 아크 현상을 사전에 감지해 화재 위험을 예방할 수 있으며, 전력 인프라의 안전성을 크게 높인다. 산화갈륨 포토다이오드 구조를 채택한 이 센서는 극한의 산업 환경에서도 안정적인 감지 성능을 유지하며, 산업 설비, 전기차, 국방, 항공우주 등 고신뢰성이
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 산업 및 통신용 버스 전압, 72V 배터리 시스템, 110V AC 라인 전원 장비 등에 최적화된 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 STDRIVEG210과 STDRIVEG211을 출시했다고 밝혔다. 신제품은 최대 220V의 레일 전압을 지원하며, 선형 레귤레이터를 내장해 하이사이드와 로우사이드 모두에서 6V 게이트 신호를 생성한다. 또한 분리된 싱크(Sink) 및 소스(Source) 경로를 통해 정밀한 제어와 최적의 구동 성능을 구현할 수 있다. STDRIVEG210은 서버 및 통신 전원공급장치, 배터리 충전기, 어댑터, 태양광 마이크로 인버터 및 옵티마이저, LED 조명, USB-C 전력 소스 등 다양한 전력 변환 애플리케이션에 적합하다. 공진형 및 하드 스위칭(Hard-Switching) 토폴로지 모두에 적용 가능하며, 300ns의 빠른 시동 시간으로 간헐 동작(버스트 모드) 시 웨이크업 지연을 최소화한다. STDRIVEG211은 과전류 감지 및 스마트 셧다운 기능을 갖춰 전원공급장치는 물론 전동 공구, 전기 자전거, 펌프, 서보 모터 드라이브, 클래스 D 오디오 증폭기 등 다양한 응용
인피니언 테크놀로지스는 AEC(자동차용 전자부품협회) 표준 인증을 받은 업계 최초의 자동차 등급 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 제품군을 출시했다고 밝혔다. 인피니언은 이번 제품을 통해 GaN 및 차량용 반도체 분야에서의 리더십을 더욱 강화하고 있다. 이번에 양산을 시작한 CoolGaN 자동차용 트랜지스터 100V G1 제품군은 고전압(HV) CoolGaN 트랜지스터와 양방향 스위치를 포함해 AEC-Q101 인증을 받은 시제품의 샘플 공급도 시작됐다. 인피니언은 저전압 인포테인먼트 시스템부터 온보드 충전기(OBC) 및 트랙션 인버터의 고전압 솔루션에 이르기까지 자동차 산업의 변화하는 요구를 충족하는 혁신적 솔루션을 제공하고 있다. 인피니언 GaN 사업부 책임자인 요하네스 쇼이스볼은 “인피니언은 성장하는 소프트웨어 정의 차량(SDV) 및 전기차 시장에 GaN 전력 기술을 도입함으로써 차량용 반도체 솔루션 분야의 리더로서 입지를 더욱 공고히 할 것”이라며 “100V GaN 차량용 트랜지스터와 고전압 범위로의 포트폴리오 확장은 자동차 애플리케이션에 최적화된 에너지 효율적이고 신뢰성 높은 전력 트랜지스터 개발의 중요한 이정표”라고 말했다. 첨단 운전자 보조 시스템(AD
아이멕(Imec)이 전력 반도체의 대형화와 제조 효율 향상을 위한 300mm(밀리미터) GaN(질화갈륨) 오픈 이노베이션 프로그램 트랙을 출범했다. 이번 프로그램은 GaN 전력 전자 기술에 관한 imec 산업 제휴 프로그램(IIAP)의 일환으로, 엑시트론(AIXTRON), 글로벌파운드리(GlobalFoundries), KLA 코퍼레이션, 시놉시스(Synopsys), 비코(Veeco) 등 글로벌 반도체 장비 및 설계 기업이 첫 파트너로 참여했다. Imec은 이번 트랙을 통해 300mm GaN 에피택셜 성장(Epitaxy)과 저·고전압용 GaN HEMT(고전자이동도 트랜지스터) 공정 플로우를 개발한다. 300mm 기판을 적용하면 생산 단가를 낮추고, CPU·GPU용 고효율 저전압 POL(Point-Of-Load) 컨버터 등 차세대 전력 전자 소자 개발이 가능해진다. 이미 시장에서는 GaN 기반 초고속 충전기가 상용화되며 GaN의 잠재력을 입증했다. 실리콘(Si) 기반 솔루션 대비 소형·경량·고효율을 갖춘 GaN 기술은 자동차용 온보드 충전기(OBC), 태양광 인버터, AI 데이터센터 전력 분배 시스템 등 고효율·저전력 산업의 핵심으로 부상하고 있다. 현재 대부분
상호명(명칭) : (주)첨단 | 등록번호 : 서울,자00420 | 등록일자 : 2013년05월15일 | 제호 :헬로티(helloT) | 발행인 : 이종춘 | 편집인 : 김진희 |
본점 : 서울시 마포구 양화로 127, 3층, 지점 : 경기도 파주시 심학산로 10, 3층 | 발행일자 : 2012년 4월1일 | 청소년보호책임자 : 김유활 | 대표이사 : 이준원 | 사업자등록번호 : 118-81-03520 | 전화 : 02-3142-4151 | 팩스 : 02-338-3453 | 통신판매번호 : 제 2013-서울마포-1032호
copyright(c) HelloT all right reserved
UPDATE: 2025년 12월 13일 12시 11분
