일반뉴스 HBM4 준비하는 SK하이닉스, 차세대 패키징 기술 적용한다

어드밴스드 MR-MUF, 하이브리드 본딩 기술 모두 검토해 적용할 예정 SK하이닉스가 맞춤형 고대역폭 메모리(HBM)인 6세대 제품 HBM4에 맞춰 차세대 패키징 기술 개발에 속도를 낸다. HBM4 16단부터는 어드밴스드 MR-MUF, 하이브리드 본딩 기술을 모두 검토해 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 쓰겠다는 계획이다. 이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장은 자사 뉴스룸에 공개된 인터뷰에서 "커스텀 HBM에 맞춰 차세대 패키징 기술을 개발하겠다"며 "방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 하이브리드 본딩 등 새로운 기술을 확보할 계획"이라고 밝혔다. HBM은 D램을 여러 개를 쌓아 만든다. 적층 수가 많아질수록 방열, 휨 현상 등이 발생해 이를 해결할 패키징 기술이 필수적이다. 특히 하이브리드 본딩 기술은 16단 이상 HBM 제품에서 필요성이 커지고 있다. 하이브리드 본딩은 칩을 적층할 때 칩과 칩 사이에 범프를 형성하지 않고 직접 접합시키는 기술이다. 이 기술을 활용하면 칩 전체 두께가 얇아져 고단 적층이 가능해진다는 강점이 있다. 이 부사장은 "표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을

• 서재창 기자
• 2024-08-05 15:55