인텔, 18A 공정으로 올해 하반기에 '팬서레이크' 출시 예정 계획 밝혀 인텔이 2025년 하반기 인텔의 새로운 PC용 프로세서인 팬서 레이크의 양산 일정에 맞춰 인텔 ‘18A(옹스트롬)’ 공정 기술이 순조롭게 진행 중이라고 밝혔다. 인텔은 최신 반도체 공정 18A가 단순한 기술적 진화를 넘어, 반도체 제조 역사에 중요한 전환점을 만들어낼 것이라고 자신했다. 또한, 인텔 파운드리가 지속해온 혁신의 결정체로, 고성능과 저전력, 고밀도 설계를 동시에 구현할 수 있는 기술적 기반을 제시한다. 인텔 18A의 핵심은 두 가지 기술, 즉 '리본펫(RibbonFET)'과 '파워비아(PowerVia)'다. 먼저 리본펫은 ‘게이트 올 어라운드(GAA)’ 구조를 기반으로 한 트랜지스터로, 채널을 리본처럼 수직으로 쌓는 방식이다. 이 구조는 공간 효율성을 극대화하고 전력 소비를 최소화하면서도 성능은 향상시키는 것이 특징이다. 인텔은 이를 자사 10년 내 최대 트랜지스터 구조 혁신으로 평가하고 있다. 파워비아는 반도체 업계 최초로 상용화된 ‘후면 전력 공급 기술’이다. 이는 기존 전면 배선 방식과 달리, 칩의 후면에서 전원을 공급하는 구조로 설계돼 데이터 흐름에 필요한 전면 공간
기존 박막 증착법 한계 넘어 텔레륨 원자 활용한 증착 방식 구현 미래 반도체 제조공정의 핵심 기술이 개발됐다. 차세대 반도체 소재를 원자층 수준에서 정밀하게 쌓는 기술이다. 낮은 온도에서도 나노 수준의 3차원 구조에 적용 가능해 다양한 전자 소자에 활용될 전망이다. UNIST 반도체 소재·부품 대학원 및 신소재공학과 서준기 교수팀은 홍익대학교 송봉근 교수, UNIST 정후영 교수 연구팀과 함께 원자층 증착법(ALD)으로 50도의 저온에서 텔레륨 원자가 규칙적으로 배열되는 박막 증착 공정법을 개발했다. 원자층 증착법은 낮은 공정온도에서 삼차원 구조의 표면에 얇고 균일한 막 코팅과 정교한 두께 조절이 가능한 차세대 박막 공정법이다. 하지만, 차세대 반도체인 원자층 반도체에 적용하기 위해서는 일반적으로 250도 이상의 공정온도와 450도 이상의 추가 열처리 작업이 요구된다. 연구팀은 전자소자, 열전소재 등의 다양한 분야에서 연구 중인 단일 원소 원자층 반도체 텔레륨에 원자층 증착법을 적용했다. 열처리 공정 없이도 50도의 저온에서 고품질의 박막을 성공적으로 제조했다. 제조된 박막은 원자가 규칙적으로 배열되고, 나노미터 이하의 두께 조절이 가능하며 모든 표면 위에서
메모리 내에서 연산까지 수행하는 차세대반도체 기술개발 과학기술정보통신부와 산업통상자원부는 지난달 29일 경기도 성남시 판교 스타트업 캠퍼스에서 범부처 'PIM인공지능반도체 사업단' 출범식을 열었다. PIM인공지능반도체는 '메모리·연산 통합 지능형 반도체'로, 데이터를 저장하는 메모리에서 연산까지 함께 수행해 효율을 높일 것으로 기대되는 차세대 반도체 기술이다. 'PIM'은 '메모리에서 연산 처리를 함'이라는 뜻인 'Processing-In-Memory'의 줄임말이다. 과기정통부와 산업부는 올해 'PIM인공지능반도체 핵심기술개발사업'에 착수하고 2028년까지 7년간 과기정통부 2천897억 원, 산업부 1천130억 원을 합해 총사업비 4천27억 원을 투입하기로 했다. 과기정통부 사업으로는 PIM 특화소자·집적기술 개발, 다양한 메모리 기반의 PIM 설계, PIM 반도체에 최적화된 시스템 소프트웨어 개발이, 산업부 사업으로는 비휘발성 메모리 기반 PIM 공정·장비 개발이 이뤄진다. 과기정통부는 사업 관리를 위해 올해 7월 정보통신기획평가원(IITP) 내에 전담 조직을 신설해 사업단 운영을 시작했다. 사업단은 사업 기간 사업 기획 뿐만 아니라 분야별 기술의 상호 연
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