일반뉴스 TI, 전력밀도 개선한 저전력 질화갈륨 포트폴리오 발표

텍사스 인스트루먼트(이하 TI)는 금일 전력 밀도를 개선하고 시스템 효율성을 극대화하며 AC/DC 소비자 가전 및 산업용 시스템의 크기를 줄이도록 설계된 저전력 질화갈륨(GaN) 포트폴리오를 확장한다고 발표했다. 게이트 드라이버가 통합된 TI의 전체 GaN 전계 효과 트랜지스터(FET) 포트폴리오는 일반적인 열 설계 과제를 해결해 어댑터의 온도를 낮추면서 더 작은 풋프린트로 더 많은 전력을 공급할 수 있다. 캐넌 사운다라판디안(Kannan Soundarapandian) TI 고전압 제품 부문 부사장 겸 총괄 매니저는 "오늘날의 소비자는 빠르고 에너지 효율적으로 충전할 수 있고, 더 작고 가벼우며 휴대가 간편한 전원 어댑터를 원한다"고 말했다. 이어 그는 "포트폴리오 확장을 통해 설계 엔지니어들은 휴대폰 및 노트북 어댑터, TV 전원 공급 장치, USB 벽면 콘센트 등 소비자가 매일 사용하는 더 많은 애플리케이션에 저전력 GaN 기술의 전력 밀도가 가지는 이점을 제공하게 됐다. TI의 포트폴리오는 전동 공구 및 서버 보조 전원 공급 장치와 같은 산업용 시스템에서 고효율 및 소형 설계에 대한 증가하는 수요도 해결한다"고 말했다. 게이트 드라이버가 통합된 새로운

• 서재창 기자
• 2023-12-01 09:57