반도체 ST, 고효율 GaN 게이트 드라이버 출시 “전력 설계 혁신”

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 산업 및 통신용 버스 전압, 72V 배터리 시스템, 110V AC 라인 전원 장비 등에 최적화된 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 STDRIVEG210과 STDRIVEG211을 출시했다고 밝혔다. 신제품은 최대 220V의 레일 전압을 지원하며, 선형 레귤레이터를 내장해 하이사이드와 로우사이드 모두에서 6V 게이트 신호를 생성한다. 또한 분리된 싱크(Sink) 및 소스(Source) 경로를 통해 정밀한 제어와 최적의 구동 성능을 구현할 수 있다. STDRIVEG210은 서버 및 통신 전원공급장치, 배터리 충전기, 어댑터, 태양광 마이크로 인버터 및 옵티마이저, LED 조명, USB-C 전력 소스 등 다양한 전력 변환 애플리케이션에 적합하다. 공진형 및 하드 스위칭(Hard-Switching) 토폴로지 모두에 적용 가능하며, 300ns의 빠른 시동 시간으로 간헐 동작(버스트 모드) 시 웨이크업 지연을 최소화한다. STDRIVEG211은 과전류 감지 및 스마트 셧다운 기능을 갖춰 전원공급장치는 물론 전동 공구, 전기 자전거, 펌프, 서보 모터 드라이브, 클래스 D 오디오 증폭기 등 다양한 응용

• 이창현 기자
• 2025-10-23 11:54