일반뉴스 ST, SiC·IGBT 스위칭 회로 최적화 지원하는 듀얼 게이트 드라이버 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 IGBT 및 실리콘 카바이드 MOSFET을 위한 새로운 듀얼 채널 갈바닉 절연 게이트 드라이버 2종을 출시했다. ST는 새로 출시한 제품을 통해 고전압 전력변환 및 산업용 애플리케이션의 공간 절감과 간편한 회로 설계를 지원한다. IGBT를 위한 STGAP2HD와 SiC MOSFET을 위한 STGAP2SICD는 ST의 최신 갈바닉 절연 기술을 활용해 SO-36W 와이드 바디 패키지로 6kV의 과도전압을 제공한다. 또 ±100V/ns dv/dt에 이르는 과도 내성을 통해 전기적 노이즈가 많이 발생하는 동작 조건에서 스퓨리어스(spurious) 턴온을 방지한다. 디바이스는 최대 4A의 강력한 게이트 제어 신호를 제공할 수 있으며, 턴온 및 턴오프 시간을 독립적으로 조정하게 해주는 듀얼 출력핀을 통해 게이트 구동을 위한 유연성을 추가로 지원한다. 능동 밀러 클램프(Active Miller Clamp)로는 하프-브리지 토폴로지의 빠른 정류 시 게이트 스파이크를 방지한다. 회로 보호 기능에는 열 보호와 안전한 동작을 위한 워치독(Watchdog), 위험한 저효율 모드에서 시동을 방지하는 채널당 UVLO(Under-Voltage Lo

• 이동재 기자
• 2022-02-17 10:58