삼성전자가 실적 둔화에도 연구개발(R&D) 투자를 지속 확대하며 미래 준비에 속도를 내고 있다. 31일 삼성전자에 따르면 지난해 4분기 R&D 비용 집행 규모는 10조3천억원으로 역대 분기 최대를 기록했다. 작년 들어 역대 분기 최대였던 3분기의 8조8천700억원의 연구개발 투자 기록을 갈아치웠다. 연간으로도 최대 규모인 35조원의 연구개발 투자가 이뤄지면서 기술 중심 투자를 이어갔다. 삼성전자는 인공지능(AI) 반도체, 고성능 메모리, 서버 관련 제품 등 미래 지향적인 기술에 계속 투자하고 있다. 이를 위해 기흥사업장에 짓는 차세대 반도체 R&D 단지에 2030년까지 약 20조원을 투입, 미래 기술을 선도하는 핵심 연구기지로 자리 잡게 할 계획이다. 지난해 11월 설비반입식을 진행한 기흥 최첨단 복합 연구개발 단지 ‘NRD-K’(New Research & Development - K)는 올해 중순부터 본격적인 R&D 가동에 나설 것으로 알려졌다. 삼성전자는 최근 7년간 실적에 부침이 있어도 R&D 투자는 매년 늘려왔다. 연간 전사 영업이익이 6조5천700억원에 그친 지난 2023년에도 R&D에는 역대 최대인
SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고 올해 3분기 매출 9조662억 원, 영업손실 1조7920억 원(영업손실률 20%), 순손실 2조1847억 원(순손실률 24%)의 경영실적을 달성했다고 발표했다. SK하이닉스는 "고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다"며 "특히 대표적인 AI용 메모리인 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이며 전분기 대비 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다"고 설명했다. 회사는 또 "무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 두고 있다"고 강조했다. 매출 증가 추세에 대해 SK하이닉스는 D램과 낸드 모두 판매량이 늘어난 것은 물론, D램 평균판매가격(ASP, Average Selling Price) 상승이 큰 영향을 미쳤다고 분석했다. 제품별로 보면, D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났고, ASP 또한 약 10% 상승했다. 낸드도 고용량 모바일 제품과 SSD(Solid State Drive) 중심으
[헬로티] 서린씨앤아이(대표 전덕규)는 자사가 유통 중인 지스킬(G.SKILL)이 4000MHz 이상의 동작 속도를 갖는 고성능 메모리 라인업을 발표했다고 밝혔다. 이번에 발표한 라인업은 트라이던트 Z(TRIDENT Z) 로얄(ROYAL) RGB 시리즈다. ▲ 서린씨앤아이가 4000MHz 이상의 동작 속도를 갖는 지스킬의 고성능 메모리 라인업을 발표했다. (사진 : 서린씨앤아이) 새롭게 발표된 이번 4000MHz 이상 고클럭 라인업은 4,133MHz, 4266MHz, 클럭을 비롯해 최대 4400MHz 에 이르는 초고속의 제품이 준비돼 있다. 용량은 현재까지도 가장 많이 사용되고 있는 8GB 와 16GB 로 구성된 듀얼, 쿼드 킷 등이 발표됐다. 이번 4000MHz 이상 고클럭 라인업은 인텔의 최신 10세대 프로세서를 위한 Z490 플랫폼을 위해 설계했다. 보다 나은 게임 및 콘텐츠, 작업 환경을 위한 보다 높은 성능 달성을 위해 고효율의 삼성 B-다이(Die) IC 칩을 기반으로 만들어졌다. 서린씨앤아이 관계자는 “실제 개발된 초기 대응 모델은 16GB 용량 듀얼 구성의 32GB 듀얼 킷이 인텔의 i9-10900K 프로세서와 ASUS 사의 Z490