일반뉴스 인텔, 고개구율 EUV 노광장비 조립 완료 “18A 시대 주도“

차세대 프로세서 해상도와 기능 확장 획기적으로 개선하는 기능 갖춰 인텔 파운드리는 미국 오리건주 힐스보로 R&D 구역에 위치한 업계 최초 상업용 ‘고개구율(High Numerical Aperture, High NA) 극자외선(EUV)’ 노광장비 조립을 완료하며 첨단 반도체 제조 분야에서 중요한 이정표를 달성했다. ASML 제품인 인텔의 하이 NA EUV 장비 ‘트윈스캔 EXE:5000’은 인텔의 첨단 공정 로드맵 개발에 사용될 준비를 위해 여러 조정 단계를 진행 중이다. 이 신규 장비는 인쇄된 이미지를 실리콘 웨이퍼에 투사하기 위한 광학 설계 변경을 통해 차세대 프로세서의 해상도와 기능 확장을 획기적으로 개선하는 기능을 갖추고 있다. 마크 필립스(Mark Phillips) 인텔 펠로우 겸 인텔 파운드리 로직 기술 개발 부문 노광, 하드웨어 및 솔루션 담당 디렉터는 “하이 NA EUV 추가로, 인텔은 다방면의 노광 장비를 보유하게 됐으며, 2025년 이후 인텔 18A를 넘어 미래 공정을 추진할 역량을 갖추게 됐다”고 밝혔다. 하이 NA EUV 장비는 첨단 칩 개발과 인텔 18A 이후 차세대 프로세서 생산에서 핵심적인 역할을 할 예정이다. 업계 최초로 하

• 서재창 기자
• 2024-04-22 19:17