일반뉴스 인피니언, 전력반도체 향한 300mm 파워 GaN 웨이퍼 개발

효율적인 성능, 더 작은 크기, 더 가벼운 무게, 전체 비용 절감 등의 이점 제공 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 오늘 업계 최초로 300mm 파워 GaN(갈륨 나이트라이드) 웨이퍼 기술 개발에 성공했다고 발표했다. 이 획기적인 기술은 GaN 기반 전력 반도체 시장을 크게 성장시키는 데 기여할 것으로 예상된다. 300mm 웨이퍼는 200mm 웨이퍼에 비해 웨이퍼 당 2.3배 더 많은 칩을 생산할 수 있기에 생산성과 효율성이 크게 향상된다. GaN 기반 전력 반도체는 AI 시스템용 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 충전기 및 어댑터, 모터 제어 시스템 등 산업, 자동차, 컨슈머, 컴퓨팅 및 통신 애플리케이션에서 빠르게 채택되고 있다. 최첨단 GaN 제조 공정은 디바이스 성능 향상으로 이어져 고객의 애플리케이션에서 효율적인 성능, 더 작은 크기, 더 가벼운 무게, 전체 비용 절감 등의 이점을 제공한다. 요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 "이 놀라운 성공은 인피니언의 혁신 역량과 글로벌 팀의 헌신적인 노력의 결과로, GaN 및 전력 시스템 분야의 혁신 리더인 인피니언의 입지를 입증하는 것이다. 이 기술 혁신은 업계를 변화시키고 G

• 서재창 기자
• 2024-09-12 09:02