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프로덕트 마이크로칩, 3.3kV Plug&Play mSiC 게이트 드라이버 출시

즉시 동작하도록 다양한 모듈 설정을 사전에 구성해 설계 및 평가 시간 단축 마이크로칩테크놀로지(이하 마이크로칩)는 개발자가 SiC 솔루션 구현과 이러한 개발 프로세스를 단축하도록 3.3kV XIFM 플러그 앤 플레이 mSiC 게이트 드라이버를 출시했다. 모든 것이 전기로 작동하게 되면서 운송, 전력망, 대형 차량과 같은 중-고전압 애플리케이션에서도 실리콘 카바이드(SiC) 기술이 광범위하게 채택되고 있다. 특허 받은 어그멘티드 스위칭 기술을 탑재한 이 게이트 드라이버는 즉시 동작하도록 다양한 모듈 설정을 사전에 구성해 설계 및 평가 시간을 단축시킨다. 이 플러그 앤 플레이 솔루션은 시장에 출시되기까지의 시간을 단축하기 위해 게이트 드라이버 회로의 설계, 테스트 및 인증 등 복잡한 개발 작업을 이미 완료했다. XIFM 디지털 게이트 드라이버는 디지털 제어, 통합 전원 공급 장치, 그리고 노이즈에 대한 내성을 향상시키는 견고한 광섬유 인터페이스를 갖춘 컴팩트한 솔루션이다. 이 게이트 드라이버는 모듈 성능 최적화를 위해 미리 맞춤형으로 설정된 ‘턴 온·오프’ 게이트 드라이브 프로파일을 제공한다. 이 게이트 드라이버는 주 변압기와 보조 변압기 사이에 10.2kV의

서재창 기자

2024-02-23 15:17

일반뉴스 온세미, 고효율 실리콘 카바이드 제품군 공개

지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미는 실리콘 카바이드(SiC) 제품군으로 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC)를 4일 공개했다. 온세미는 미국 라스베가스에서 열리는 소비자 전자제품 박람회(CES)에서 새로운 제품 3가지인 1700 V EliteSiC MOSFET 및 1700V 급의 EliteSiC 쇼트키 다이오드(Schottky diode) 2개를 선보일 예정이다. 온세미는 1700 V EliteSiC MOSFET(NTH4L028N170M1)을 통해 고전력 산업용 응용 시스템에 필요한 더 높은 항복 전압(BV) SiC 솔루션을 제공한다. 또한 1700 V 급의 EliteSiC 쇼트키 다이오드(NDSH25170A, NDSH10170A) 2개를 통해 설계자는 SiC로 고효율을 제공하면서 고온에서 안정적인 고전압 작동을 달성할 수 있다. 온세미 파워 솔루션 그룹의 부사장 겸 총괄인 사이먼 키튼은 "새로운 1700 V EliteSiC 디바이스는 전력 손실을 줄이고 동급 최고의 효율성을 제공함으로써 EliteSiC 제품군의 우수한 성능 및 품질의 높은 표준을 강화할 뿐만 아니라 온세미의 EliteSiC의 깊이와 폭을 더욱 확장한다"고 말했다. 그

이창현 기자

2023-01-04 10:41