[헬로티] 인피니언 테크놀로지스는 자사의 CoolGaN 제품이 통신용 전원장치 시스템에 효율과 신뢰성을 제공한다고 밝혔다. ▲CoolGaN_Delta_Banner(출처 : 인피니언) 인피니언에 따르면 GaN 디바이스는 JEDEC 표준을 충족하고, 15년 이상의 수명을 제공하며, 산업용 통신 및 서버 SMPS에 적합하다고 전했다. DFN8x8 패키지의 CoolGaN 600V e-모드 HEMT는 델타(Delta)의 DPR 3000E EnergE 정류기의 핵심 부품으로, 98퍼센트의 업계 최고의 에너지 효율을 가능하게 한다. 이제 델타의 정류기는 세계 주요 통신사들의 5G 통신 네트워크를 지원할 수 있게 됐다. 델타의 통신 및 정보 솔루션 사업부 총괄 책임자인 이튼 리 (Eton Lee)는 "델타의 통신용 전원 솔루션은 글로벌 시장에서 확고한 기반을 다지고 있으며, 특히 4G와 차세대 5G 통신에서 에너지 소비와 CO2 배출량을 줄일 수 있도록 한다. 인피니언의 CoolGaN 칩은 델타의 3000E 정류기가 뛰어난 98퍼센트의 효율과 56.8W/in3의 전력 밀도를 달성하는 데 큰 역할을 하고 있다"고 말했다. 슈테판 오버스리프니히 (Stefan Obersrieb
[헬로티] 인피니언 테크놀로지스는 650V CoolSiC Hybrid IGBT 디스크리트 제품군을 출시한다고 밝혔다. ▲출처 : 인피니언 CoolSiC Hybrid 제품군은 650V TRENCHSTOP 5 IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 결합했다. 우수한 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실로 DC-DC 파워 컨버터와 PFC (역률 보상)에 적합하다. 주요 애플리케이션은 배터리 충전 인프라, 에너지 저장 솔루션, 태양광 인버터, 무정전 전원장치 (UPS), 서버 및 텔레콤 SMPS 등이다. CoolSiC Hybrid IGBT는 IGBT와 프리휠링 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 패키지에 통합해, 동작 시 거의 일정한 dv/dt 및 di/dt 값으로 스위칭 손실을 크게 낮춘다. 표준 실리콘 다이오드 솔루션과 비교해서 Eon은 최대 60퍼센트, Eoff는 최대 30퍼센트까지 낮춘다. 또한 출력 전력 요구는 그대로이면서 스위칭 주파수를 40퍼센트까지 높일 수 있다. 스위칭 주파수를 높이면 수동 부품의 크기를 줄일 수 있으므로 BOM (bill of materials) 비용을 낮출 수 있다고 인피니언은 전했다. 또한 쇼트키 배리어
[헬로티] 인피니언 테크놀로지스는 자사의 CoolSiC MOSFET 1200V 모듈 제품군에 62mm 산업 표준 패키지를 추가한다고 밝혔다. 하프 브리지 토폴로지로 설계된 트렌치 칩 기술 기반의 검증된 62mm 모듈은 250kW부터 시작되는 중간 전력대 애플리케이션에 SiC를 사용할 수 있는 길을 열었다. 실리콘 IGBT 기술은 전력 밀도 한계에 도달하고 있다. 62mm IGBT 모듈과 달리 CoolSiC 62mm 모듈은 태양광, 서버, 에너지 저장, EV 충전기, 트랙션, 상업용 인덕션 쿠킹, 전력 변환 시스템 등의 애플리케이션에 사용될 수 있다. MOSFET을 채택하여 높은 전류 밀도를 달성한다. 스위칭 손실과 전도 손실이 매우 낮아 방열을 최소화하고, 디바이스를 더 높은 스위칭 주파수에서 작동하면 더 작은 수동소자 부품을 사용할 수 있다. 따라서 더 작은 크기의 인버터 디자인을 설계할 수 있고 전반적인 시스템 크기와 비용을 줄일 수 있다. 베이스 플레이트와 스크류 연결로 하우징이 기계적으로 매우 견고하여, 최고의 시스템 가용성, 즉 최소의 수리 비용 및 가동 중단을 가능하게 한다. 열 사이클링 성능이 우수하고 150°C (Tvjop) 연속 동작
[첨단 헬로티] 인피니언 테크놀로지스는 자사의 CoolSiC 쇼트키 다이오드 1200V 제품군에 D2PAK 리얼 2핀 패키지를 적용한 6개의 신제품을 추가한다고 밝혔다. SMD 패키지를 적용하면 디자인을 컴팩트하게 하고 비용을 줄일 수 있다. 또한 새로운 D2PAK 리얼 2핀 패키지는 중간 핀을 제거하여 4.7mm 연면거리 (creepage)와 4.4mm 공간거리 (clearance distance)를 제공하여, 표준 D2PAK 패키지 대비 안전 마진을 향상시킨다. 적합한 애플리케이션은 산업용 파워서플라이, DC 충전기, UPS (무정전 전원장치), 태양광 스트링 인버터 등이다. 이들 신제품은 인피니언 CoolSiC 쇼트키 다이오드 1200V 기술 G5 (5세대) 제품으로, 동급 최상의 순방향 전압과 높은 서지 전류 용량을 특징으로 한다. 또한 역회복 손실을 방지하고 스위칭 동작이 온도에 대해서 종속적이지 않다. 이러한 특징으로 높은 스위칭 주파수에서 사용할 때 냉각 요구를 낮추고 더 작은 자기 소자를 사용할 수 있다. CoolSiC 쇼트키 다이오드 1200V G5는 2A~20A 정류 정격으로 D2PAK 리얼 2핀 패키지로 다양한 구성의 제품을 제공한다. 설
[첨단 헬로티] 인피니언 테크놀로지스는 자사의 실리콘 카바이드 (SiC) 제품 포트폴리오에 650V 제품을 추가한다고 밝혔다. 새롭게 출시되는 CoolSiC MOSFET은 점점 증가하는 에너지 효율, 전력 밀도, 견고성에 대한 요구를 충족한다. 적합한 애플리케이션은 서버, 텔레콤, 산업용 SMPS, 태양광 에너지 시스템, 에너지 저장 및 배터리 포메이션, UPS, 모터 드라이브, EV 충전 등이다. 인피니언 전력 관리 및 멀티마켓 사업부의 고전압 변환 담당 스테판 메츠거 (Steffen Metzger) 선임 이사는 “CoolSiC 650V 제품을 추가하여 인피니언은 600V/650V 전력대의 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드 기반 전력 반도체 포트폴리오를 완성하게 되었다. 인피니언은 세 가지 전력 기술로 다양한 제품을 제공하는 유일한 회사이다. 또한 새로운 CoolSiC 제품군 출시로 인피니언은 산업용 SiC MOSFET 스위치 1위 공급업체로 앞서 나가게 됐다”고 말했다. CoolSiC MOSFET 650V 제품은 27mΩ 부터 107mΩ에 이르는 온-저항 (RDS(ON)) 정격을 갖는다. 표준 TO-247 3핀 뿐만 아니라
[첨단 헬로티] 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 자동차용 실리콘 카바이드 제품인 CoolSiC 쇼트키 다이오드 제품군을 출시했다. CoolSiC은 하이브리드카 및 전기차의 온보드 차저(OBC) 애플리케이션에 사용하기에 적합하며, 신뢰성, 품질, 성능에 관한 자동차 업계의 엄격한 요구를 충족하도록 설계되었다. 인피니언 오토모티브 고전력 사업부의 스테판 지잘라(Stephan Zizala) 부사장은 “SiC 기술이 자동차 시스템에 본격적으로 사용될 수 있을 만큼 성숙했다. 이번 자동차용 CoolSiC 쇼트키 다이오드 제품군 출시는 온보드 차저, DC/DC 컨버터, 인버터 시스템 용 인피니언 SiC 제품 포토폴리오 구축에 있어 중요한 이정표”라고 말했다. 인피니언의 5세대 쇼트키 다이오드에 기반한 CoolSiC은 자동차 업계가 요구하는 신뢰성 요구를 충족하도록 향상되었다. 새로운 패시베이션 레이어(passivation layer) 기법을 적용함으로써 습도와 부식에 대해서 현재 시중 제품 중에서 가장 견고성이 뛰어난 자동차용 제품이다. 또한 110µm 박막 웨이퍼 기술로 동급 최고의 FOM(Qc x Vf)을 달성한다.
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UPDATE: 2025년 11월 16일 17시 27분
