전자빔 기술과 첨단 AI 이미지 인식 기능 결합으로 미세 결함 분석 어플라이드 머티어리얼즈(이하 어플라이드)가 반도체 스케일링의 한계를 극복하려는 반도체 제조기업을 지원하기 위해 새로운 결함 리뷰 시스템 ‘SEMVision H20’을 발표했다. SEMVision H20 시스템은 업계에서 가장 민감도 높은 전자빔(eBeam) 기술과 첨단 AI 이미지 인식 기능을 결합해 최첨단 반도체 내부의 나노미터 크기의 결함을 정확하고 빠르게 분석하도록 설계됐다. 전자빔 이미징은 기존 광학 기술로는 식별이 어려운 미세 결함 분석에 중요한 도구로 오랫동안 사용돼 왔다. 전자빔 이미징의 초고도 분해능은 수십억 개의 나노미터 회로 패턴 속에서 미세한 결함을 분석할 수 있게 해준다. 전통적으로 광학 기술은 잠재적 결함을 찾기 위한 웨이퍼 스캔에 사용되며, 그 후 결함을 더 정확하게 특정하기 위해 전자빔이 활용된다. 오늘날 옹스트롬(Angstrom, 0.1나노미터) 수준에 도달한 칩 기술에서는 가장 작은 칩 피처의 두께가 원자 몇 개 수준에 불과해 실제 결함과 거짓 경보를 구별하는 것이 어려워지고 있다. 최첨단 노드에서 광학 검사가 이전보다 훨씬 높은 밀도의 결함 맵을 생성함에 따라
30% 빠른 스캔 속도로 포토레지스트와 상호작용 축소하고 처리량 높여 어플라이드 머티어리얼즈가 새로운 전자빔 계측 시스템 ‘베리티SEM 10’을 발표했다. 베리티SEM 10은 EUV(극자외선) 및 새롭게 부상하는 High-NA EUV 리소그래피 공정으로 패터닝된 반도체 디바이스 소자의 패턴 거리측정을 정밀하게 측정하도록 설계됐다. 반도체 제조사들은 리소그래피 스캐너가 마스크에서 포토레지스트로 패턴을 형성하면 CD-SEM을 사용해 이를 서브 나노미터 단위로 측정한다. 이 같은 계측은 리소그래피 공정 성능을 해당 스텝에서 지속적으로 보정함으로써 패턴이 웨이퍼로 식각되기 전 이에 대한 정확성을 보장해준다. 식각 후에도 설계 패턴과 웨이퍼 상 결과를 비교하기 위해 CD-SEM이 사용된다. 이런 방식으로 CD-SEM은 식각 공정 제어를 지원하고, 리소그래피와 식각 사이의 피드백 루프를 활성화함으로써 전체적인 공정 조율을 위한 상호 연관성 높은 데이터 세트를 엔지니어에게 제공한다. 반도체 디바이스 소자의 패턴 거리측정은 EUV, 특히 High-NA EUV 공정에서 포토레지스트 두께가 얇아지면서 점점 어려워지고 있다. 서브 나노미터의 정확한 계측을 제공하는 고분해능 이미
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