경쟁력 갖춘 200mm 실리콘 카바이드 전력 반도체 팹으로 추진돼 전 세계적인 탈탄소화 노력으로 전력 반도체 수요가 증가함에 따라, 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 말레이시아 신규 공장의 첫 번째 단계를 오픈했다고 발표했다. 이 공장은 세계 최대 규모의 경쟁력 있는 200mm 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체 팹이 될 것으로 보인다. 이 팹의 첫 번째 단계에는 20억 유로가 투자됐으며, 실리콘 카바이드 전력 반도체 생산에 중점을 두고 질화 갈륨(GaN) 에피택시를 포함할 예정이다. 최대 50억 유로가 투자되는 2단계에서는 세계 최대 규모의 효율적인 200mm SiC 파워 팹을 건설할 예정이다. 요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 "SiC와 같은 혁신적인 기술 기반의 차세대 전력 반도체는 탈탄소화와 기후 보호를 위해 절대적으로 필요하다. 인피니언의 기술은 전기 자동차, 태양광 및 풍력 발전 시스템, AI 데이터 센터 등 유비쿼터스 애플리케이션의 에너지 효율을 높인다. 우리는 고객사와의 강력한 협력에 힘입어 말레이시아에서 최대 규모의 효율적인 첨단 SiC 생산 시설에 투자하고 있다"고 말했다. 인피니언은 총 50억 유로에 달하
2분기 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량은 30억3500만in²로, 1분기 대비 7.1% 증가 올해 2분기 실리콘 웨이퍼 출하량이 직전 분기 대비 증가한 것으로 나타났다. 5일 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면, 2분기 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량은 30억3500만in²로, 1분기 대비 7.1% 증가했다. 작년 동기(33억3100만in²)보다 8.9% 줄어든 수치다. 1분기 실리콘 웨이퍼 시장은 팹 가동률 하락과 재고 조정으로 출하량이 역성장했으나, 2분기 들어 데이터 센터와 생성형 AI에 대한 수요로 회복세를 보였다. 새로운 팹이 건설되고 생산 능력이 확장됨에 따라 향후 시장 전망 또한 밝다고 SEMI는 내다봤다. 디스크 모양의 실리콘 웨이퍼는 1인치에서 12인치까지 다양한 직경으로 생산되며 반도체 칩 생산을 위한 기판 소재로 쓰인다. 헬로티 전자기술 기자 |
SEMI, 내년 8인치 웨이퍼 환산 기준 반도체 산업 생산 능력 월 3370만 장 예상 올해와 내년에 전 세계 반도체 팹 생산 능력이 성장세를 이어갈 것이라는 전망이 나왔다. 국제반도체장비재료협회(SEMI)는 24일 발간한 최신 팹 전망 보고서에서 세계 반도체 팹 생산 능력이 올해 6%, 내년에 7% 성장할 것으로 전망했다. 이에 내년에는 8인치 웨이퍼 환산 기준 반도체 산업 생산 능력이 월 3370만 장에 도달할 것으로 예상했다. 특히 인공지능(AI) 칩 수요에 대응해 5나노 이하 첨단 반도체 생산 능력은 올해와 내년에 각각 13%, 17% 증가할 것으로 SEMI는 관측했다. 지역별로는 중국 업체의 생산 능력이 올해 월 885만 장으로 15% 증가한 후 내년에는 전체 반도체 산업의 3분의 1에 가까운 1010만 장으로 14% 늘어날 전망이다. 과잉 공급 우려에도 중국 칩메이커는 계속 생산 능력 확대에 투자하고 있다. 투자를 주도하는 업체는 화홍그룹, 넥스칩, 시엔, SMIC, CXMT 등이다. 중국 외 다른 지역은 대부분 5% 이하 성장이 예상됐다. 내년에 대만은 월 580만 장으로 4% 성장하고, 한국은 월 540만 장으로 7% 성장할 전망이다. SEMI
온세미가 올해 3분기 자동차 부문에서 전년 동기 대비 33% 증가한 12억 달러 매출을 달성했다. 온세미는 2023년 3분기 매출이 21억 8080만 달러를 달성했다고 밝혔다. 일반회계기준(GAAP) 및 비일반회계기준(non-CAAP) 총이익은 47.3%, 영업이익이 일반회계기준 및 비일반회계기준으로 각각 31.5%와 32.6%를 기록했다. 일반회계기준 희석주당이익은 1.29 달러, 비일반회계기준 희석주당이익은 1.39 달러를 기록했다. 산업 부문에서 약 6억 1600만 달러 매출 달성한 것으로 나타났다. 전년 동기 대비 소폭 증가한 수치다. 하산 엘 코우리(Hassane El-Khoury) 온세미 CEO는 “시장 침체 속에서도 온세미의 회복력을 입증했다”며, “온세미는 구조적 개선과 효율성을 지속적으로 추진하고 있으며, 특히 한국에서 150mm와 200mm 웨이퍼를 위한 세계 최대 규모의 최첨단 실리콘 카바이드(SiC) 팹 증설 등 SiC 사업에서 큰 성과를 거뒀다"고 말했다. 헬로티 이동재 기자 |
TI RFAB2, 미국에서 첫 번째 세계에서 네 번째로 LEED 골드 등급 획득 텍사스 인스트루먼트(이하 TI)가 오늘 텍사스주 리처드슨에 위치한 자사의 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조 공장인 RFAB2가 LEED(Leadership in Energy and Environmental Design) 건축물 인증 제도 버전 4에 따라 상위 등급인 골드 등급 인증을 획득했다고 발표했다. LEED 인증은 미국 그린빌딩협회(USGBC)에서 엄격한 심사를 통해 고성능 친환경 건물의 지속가능한 설계와 건설 및 운영을 종합적으로 평가해 부여한다. LEED 골드 v4 인증은 TI가 천연자원 보존, 에너지 소비 감소 및 환경에 미치는 영향을 최소화하며 책임감 있고 지속 가능한 제조를 실현하기 위해 다년간 노력해온 결실이다. TI의 RFAB2는 미국에서 첫 번째로, 세계에서는 다섯 번째로 LEED 골드 등급을 획득한 팹이 됐다. 브라이언 던랩(Brian Dunlap) 텍사스 인스트루먼트의 300mm 웨이퍼 팹 제조 및 운영 부문 부사장은 “TI의 포부 중 하나는 직원들이 자랑스럽게 생각하고 이웃으로 삼고 싶어 하는 회사가 되는 것”이라며, “RFAB2가 LEED 골드 v4
180나노미터 이상의 첨단 미세공정 노드에서 제작되는 ADI 자체 생산량 두 배 증가 아나로그디바이스(이하 ADI)는 미국 오리건주 비버튼에 있는 반도체 웨이퍼 팹 설비 확장을 위해 10억 달러 이상을 투자한다고 밝혔다. 1978년에 완공된 비버튼 팹은 생산 물량 기준으로 ADI의 가장 큰 웨이퍼 제조 시설로서 산업, 자동차, 통신, 소비가전, 헬스케어 등 핵심 산업 분야의 고객에게 서비스를 제공하고 있다. 이번 설비 투자로 클린룸 공간은 약 11만8000제곱피트로 늘어나고, 180나노미터 이상의 첨단 미세공정 노드에서 제작되는 ADI 자체 생산량은 거의 두 배로 증대된다. 이와 함께 수백 명의 장기 신규 고용 효과를 창출함으로써, 오리건주에서 근무하는 ADI 직원 수도 현재 약 950명에서 크게 증가할 것으로 예상된다. 총 투자의 10% 이상은 전반적인 효율을 높이고 환경 친화적인 화학 물질을 활용하기 위한 최신 첨단 팹 장비 구매에 사용된다. 이 시설은 생산량을 거의 두 배로 늘리면서도 절대 온실가스 배출량은 약 75%, 생산 단위당 용수 사용량은 약 50% 줄이는 것을 목표로 하고 있다. ADI의 빈센트 로취(Vincent Roche) CEO 겸 회장은
중국 생산시설 우려 삼키는 삼성·SK '제재 수준에 대한 가이드라인 필요' 미국 정부 고위당국자가 한국 반도체 기업의 중국 내 공장에서 일정 기술 수준 이상의 반도체를 생산하지 못하도록 한도를 설정하게 될 것이라고 밝혀 국내 반도체 업계가 상황을 주시하고 있다. 이런 언급은 미국이 중국의 반도체 굴기를 막겠다는 제재 차원이지만, 중국에 진출한 삼성전자와 SK하이닉스의 사업 불확실성이 커질 수 있기 때문이다. 앨런 에스테베스 상무부 산업안보 차관은 23일(현지시간) 한국국제교류재단(KF)과 전략국제문제연구소(CSIS)가 워싱턴DC에서 개최한 한미 경제안보포럼에서 삼성과 SK에 제공한 대중 반도체 수출통제 1년 유예가 끝나면 어떻게 되느냐는 질문에 "앞으로 어떻게 할지 기업들과 협의하고 있다. 기업들이 생산할 수 있는 반도체 수준에 한도를 둘 가능성이 크다"고 말했다. 일정 기술 수준 이상의 첨단 제품은 생산할 수 없도록 규제를 두겠다는 의도로 풀이된다. 이런 규제가 현실화하면 중국에 반도체 공장을 둔 삼성전자와 SK하이닉스 입장에서는 사업에 부정적 영향이 생길 수밖에 없다. 다만 국내 업체들은 아직 미국 정부의 공식 입장이 나온 것은 아니라며 신중한 반응을 보
인피니언 테크놀로지스는 아날로그·혼합 신호 기술과 전력 반도체를 위한 새로운 공장 건설을 시작한다고 밝혔다. 인피니언 경영 이사회와 감사회가 승인했고, 독일 연방 경제 및 기후 행동부(BMWK)도 조기 프로젝트 시작을 승인했다. 인피니언은 약 10억 유로의 공적 자금을 모집하고 있으며, 총 50억 유로 가량을 투자할 계획이다. 요흔 하나벡 인피니언 CEO는 “인피니언은 생산 능력 확장을 통해 두 가지 성장 테마인 탈탄소화 및 디지털화에 기여할 것이다. 예를 들어 신재생 에너지, 데이터 센터 및 전기 이동성 분야에서 구조적으로 반도체 수요가 증가하고 있다”며 “인피니언은 드레스덴에 300mm 스마트 파워 팹을 건설함으로써 반도체 솔루션에 대한 증가하는 수요를 성공적으로 충족하게 될 것”이라고 말했다. 신규 팹은 탈탄소화와 디지털화에 기여할 것이다. 아날로그/혼합 신호 부품은 에너지 효율적인 충전기, 차량용 소형 엔진 제어 유닛, 데이터 센터, IoT 애플리케이션의 전원장치 시스템에 사용된다. 전력 반도체와 아날로그·혼합 신호 부품을 결합하면 에너지 효율적인 지능형 시스템 솔루션이 가능해진다. 신규 공장은 2023년 건설을 시작해 2026년 가을에 가동을 시작할
2023년 하반기 착공으로 2026년에 생산 시작할 것으로 예상돼 텍사스 인스트루먼트(TI)는 유타주 리하이에 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조공장 건설 계획을 발표했다. 새로운 팹은 리하이에 위치한 TI의 기존 300mm 반도체 웨이퍼 팹인 LFAB 옆에 위치할 예정이며, 완공 후 두 팹은 하나의 팹으로 통합돼 운영될 예정이다. TI의 현 총괄 부사장 및 COO 이자 차기 신임 사장 겸 CEO로 선임된 하비브 일란(Haviv Ilan)은 “이번에 신설되는 팹은 자체 제조 역량을 강화하기 위한 TI의 장기적인 300mm 제조 로드맵의 일부로, 향후 수십 년에 걸쳐 예상되는 고객의 수요에 대비할 예정”이라고 밝혔다. 이어 그는 “이번 신규 팹 건설 계획은 유타주 지역에 대한 TI의 헌신을 대변하는 동시에 유타주의 역량 있는 인재들이 TI가 마주한 중요한 모멘텀에서 성장 동력이 돼 줄 것으로 기대한다. 특히 산업용과 자동차 등 전자기기 분야에서 반도체 업계의 큰 성장이 예상되고 반도체 지원법이 통과됨에 따라 TI의 내부 제조 역량 투자를 확대할 적기라고 판단했다”고 전했다. 이번 투자는 유타주 역사상 가장 큰 규모로, 110억 달러에 이른다. 리하이 팹 확장
"전기차, ADAS, 에너지 인프라 및 공장 자동화 메가트렌드에 맞춰 성장할 것" 온세미는 글로벌파운드리 300mm 이스트 피시킬(EFK)의 미국 뉴욕 부지 및 제조 시설 인수를 성공적으로 완료했다고 발표했다. 인수는 2022년 12월 31일부터 발효한다. 이번 거래로 온세미에 세계적 수준의 기술자와 엔지니어 1000여명 이상이 추가됐다. 지난 3년간 온세미는 EFK 시설과 직원들의 장기적인 미래 확보에 주력해왔으며, 300mm 수준의 높은 투자를 통해 회사의 전력, 아날로그 및 센싱 제품의 성장을 가속화하고 제조 비용 구조를 개선했다. EFK 팹은 미국 내 온세미의 최대 제조 시설이며, 회사의 제조 프로필에 이미지 센서 생산에 필요한 특수 처리 기능을 갖춘 40nm 및 65nm 기술 노드를 포함한 고급 CMOS 기능을 추가한다. 이번 거래에는 GF에 차별화된 반도체 솔루션을 공급하고, 두 회사가 미래 성장을 위해 협력해 연구 개발에 투자하겠다는 독점 약속이 포함돼 있다. Hassane El-Khoury 온세미 CEO는 “이번에 EFK가 당사 제조 시설에 추가되면서 온세미는 미국에서 유일한 12인치 파워 디스크리트 및 이미지 센서 팹을 갖게 돼 전기차, AD
국내 최초 반도체 산업단지인 경기 '용인 반도체 클러스터'의 착공식이 다음 달 열릴 것으로 보인다. 22일 반도체 업계에 따르면 내달 중순 최태원 SK그룹 회장과 정부 및 지방자치단체 주요 관계자들이 참석한 가운데 용인 반도체 클러스터 착공식이 개최될 것으로 전해졌다. 이에 2019년 산업통상자원부가 '반도체 특화 클러스터 조성계획'을 발표한 후 3년 만에 본격적인 첫 삽을 뜨게 됐다. 용인 반도체 클러스터는 용인일반산업단지㈜가 용인시 처인구 원삼면 독성·고당·죽능리 일원 415만㎡에 차세대 메모리 생산기지를 구축하는 사업이다. SK하이닉스는 이곳에 약 120조 원을 투자해 반도체 생산 단지를 조성할 계획이다. SK하이닉스는 2025년 초 1기 팹을 착공해 2027년부터 양산에 들어가고, 중장기적으로는 용인 산단 내 총 4개의 반도체 공장을 짓겠다는 구상이다. 용인 반도체 클러스터에는 SK하이닉스 외에도 50여개 소재·부품·장비 기업이 입주하게 된다. 이를 통해 3만1000여개의 일자리 창출과 5000여명의 인구 유입, 513조 원의 생산 효과, 188조 원의 부가가치 유발 효과 등이 기대된다. 앞서 사업 시행사인 용인일반산업단지는 올해 4월 용인시에 착공계
바이코가 지난 5월 18일 새로운 최첨단 전력 모듈 제조 시설의 개장 기념식을 주최했다. 앤도버의 페더럴 스트리트 400번지에서 열린 이 리본 커팅 기념 행사에는 주 정부 및 지방 정부 관계자와 바이코 고위 경영진 및 직원들이 참석했다. 새로운 칩 파운드리는 칩 고객의 대량 요구 사항을 충족할 수 있는 생산 능력을 제공할 것으로 보인다. 이 파운드리를 통해 바이코는 까다로운 전력 요구 사항을 충족하는 고성능 모듈식 전력 시스템 솔루션 구현의 비전을 실현하기 위한 중요한 한 걸음을 내디뎠다. 바이코의 마이크 맥나마라(Mike McNamara) 운영 부사장은 “우리의 새로운 팹은 짧은 사이클 타임과 유연한 생산 능력으로 웨이퍼처럼 생긴 패널 위에 고밀도 전력 모듈을 제조하는 데 필요한 모든 공정 단계를 통합한다”고 말했다. 바이코는 41년간의 미국 기반 제조를 통해 세계 전력 전자 산업 내에서 유의미한 실적을 달성해왔다. 수직으로 통합된 팹은 특허받은 제조 공정의 활용으로 최고의 전력 밀도와 에너지 효율적인 솔루션을 구현해 바이코 전원 모듈 차별화를 꾀할 것으로 보인다. 헬로티 서재창 기자 |
텍사스 인스트루먼트(이하 TI)가 텍사스주 셔먼에 건설하는 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조 공장의 착공식을 개최했다고 밝혔다. 고위 관리들과 지역 인사들이 참석한 착공식에서, 리치 템플턴 텍사스 인스트루먼트 회장 겸 사장 겸 CEO는 텍사스주 역사상 최대 규모에 이르는 민간 부문 투자가 개시된 것을 축하하며, 장기적인 관점에서 자사의 자체 제조 역량을 강화하겠다는 의지를 거듭 강조했다. 착공식에 참석한 템플턴 회장은 “오늘 신규 공장 착공은 향후 수십 년에 걸쳐서 고객들의 수요에 대비해 반도체의 미래 성장을 위한 초석을 마련하는 중요한 이정표가 될 것”이라며, “90년 전 창립 당시부터 지금까지 TI는 반도체를 통해 더 합리적인 가격의 전자 제품을 만들어서 나은 세상을 만들고자 하는 열정과 함께 발전해왔다. 셔먼에 건설하는 첨단 300mm 반도체 팹이 바로 이러한 노력의 일환이다”고 말했다. 300억 달러에 이르는 잠재적 투자 가치를 지닌 이번 투자에는 미래 반도체 시장의 수요를 충족하기 위한 4개의 팹 건설 계획이 포함돼 있으며, 3000개에 이르는 직접적인 일자리를 창출할 것으로 기대된다. 새로운 팹에서는 다양한 전자제품에 사용하도록 매일 수천만 개
SiC 및 GaN 기반 제품으로 연간 20억 유로 매출 예상 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 와이드 밴드갭(SiC 및 GaN) 반도체 분야에서 상당한 생산 능력을 추가해 전력 반도체 시장 리더십을 강화한다고 밝혔다. 인피니언은 말레이시아 쿨림 공장에 20억 유로 이상을 투자해 세 번째 모듈을 건설한다. 새로운 모듈이 완공되면 SiC 및 GaN 기반 제품으로 연간 20억 유로의 추가 매출이 창출될 것이으로 보인다. 인피니언은 이미 3000개 이상의 고객사에 SiC 제품을 공급하고 있다. SiC 반도체는 실리콘 기반 솔루션에 비해 효율, 크기 및 비용 면에서 더 나은 시스템 성능을 제공하며, 산업용 전원 공급 장치, 태양광, 운송, 드라이브, 자동차 및 EV 충전 등의 애플리케이션에 적합하다. 인피니언은 2020년대 중반까지 SiC 기반 전력 반도체 10억 달러 매출을 목표로 하고 있다. GaN 시장도 2020년 4700만 달러에서 2025년 8억100만 달러로 크게 성장할 것으로 예상된다. 인피니언은 첨단 시스템 및 애플리케이션에 대한 이해와 광범위한 GaN IP 포트폴리오 및 대규모 R&D 인력을 보유하고 있다. 팹은 오는 6월 착공을 시작으로
헬로티 서재창 기자 | 네패스라웨가 차세대 패키징 공정인 FOPLP의 본격 양산에 돌입하면서 내년 생산 능력을 두 배 이상 확대할 것이라고 밝혔다. 네패스라웨는 지난 7일 문승욱 산업통상자원부 장관, 이시종 충북도지사, 고객사 및 협력사 대표 등이 참석한 가운데 청안캠퍼스 PLP라인의 준공식을 개최했다. 네패스라웨는 FOPLP 라인이 지난 3분기 고객 인증을 마치고 안정 수율을 확보해 본격 양산에 진입했으며, 강력한 고객 디멘드에 따라 내년도 생산 능력을 두 배 이상 확대할 계획이라고 밝혔다. 네패스는 2022년 9월까지 1200억 원 규모의 FOPLP 증설을 위한 투자를 완료할 것이라고 공시한 바 있다. 금번 준공식을 진행한 PLP팹은 축구장 25개에 달하는 18만6000㎡(5만6000평) 청안캠퍼스 대지 위에 첫번째로 건설된 팹이며, 건축연면적 3만4000㎡(1만400평)로 조성됐다. 이는 600mm PLP 기준 연간 최대 9만6000장 이상 생산하는 수준이다. 정칠희 네패스 반도체 총괄 회장은 "FOPLP 생산 시스템의 세계 표준을 제시한 네패스라웨가 한국의 새로운 후공정 생태계를 구축하는데 디딤돌 역할을 할 것"이라고 전했다. 본 차세대 패키징 라인을
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