반도체 온세미, 와이드 밴드갭 소재 연구 센터 설립 “전문 인력 양성”

온세미는 스토니브룩대학교와 함께 800만 달러를 투자해 와이드 밴드갭 연구 센터를 설립한다고 발표했다. 이를 통해 온세미는 전력 반도체를 혁신적으로 발전시키고 이 분야의 차세대 전문 인력을 양성할 계획이다. 이번 투자는 스토니브룩대학교, 엠파이어 스테이트 디벨롭먼트와 맺은 2000만 달러 규모의 전략적 협력의 일환이다. 해당 센터는 실리콘 카바이드(SiC)를 포함한 와이드 밴드 갭 소재와 디바이스 구현 기술의 기초 연구를 발전시키는 것을 목표로 한다. 이러한 기술은 AI와 전기화의 에너지 효율 개선에 있어 필수 역량이다. 해당 시설은 2027년 초에 완전히 가동될 것으로 예상되며 소재 개발, 디바이스 통합, 성능 특성화를 위한 전문 실험실과 첨단 기기를 갖출 예정이다. 디네시 라마나선 온세미 기업 전략 담당 수석 부사장은 “첨단 전력 반도체는 AI와 전기화의 광범위한 채택을 가능하게 하는 핵심”이라며 “새로운 센터는 이러한 글로벌 메가트렌드에서 가장 중요한 분야의 혁신을 가속하는 데 핵심적인 역할을 할 것”이라고 전했다. 이어 “뉴욕 주지사의 비전에 따라 온세미는 스토니브룩대학교, 엠파이어 스테이트 디벨롭먼트와의 강력한 파트너십을 통해 전력 반도체 분야의 차

• 이창현 기자
• 2025-07-22 15:36