[헬로티] Teledyne e2v는 총 용량 4GB인 내방사선(Radiation) DDR4 메모리칩 DDR4T04G72M을 이달 25일 발표했다. Teledyne e2v은 "차세대 솔루션은 현재 검증된 처리 속도가 2133MT/s로 향후 2400MT/s수준을 목표로 하고 있다. 또한 즉각적인 반응성의 저지연성 작동 성능을 제공하며 콤팩트한 폼팩터를 제공한다. 이와 함께 높은 수준의 제조 신뢰성과 강력한 내방사선 기능을 통해 가혹한 우주 환경에서도 잘 작동할 수 있다."고 소개했다. 15mm x 20mm x 1.92mm의 이 우주용 등급 기기는 다수의 마이크론 메모리칩이 싱글 패키지 형태로 구성되어 있다. 데이터용으로 쓰이는 64비트와 오류 정정 코드(ECC)에 쓰이는 8비트 등 총 72비트의 버스도 탑재되었다. ▲ 15mm x 20mm x 1.92mm의 이 우주용 등급 기기는 다수의 마이크론 메모리칩이 싱글 패키지 형태로 구성되어 있다. Teledyne e2v은 "이들 메모리칩은 방사선 테스트를 거쳤으며 single event effects(SEE) 리포트는 Teledyne e2v를 통해 확인할 수 있다. 여기에 최대 60+MeV.cm2/mg 범위 내에서 s
[첨단 헬로티] 차세대 램으로 알려진 DDR5는 현재 DDR4 램 속도의 두배에 달할 것이란 소식이다. 컴퓨터 메모리 표준을 담당하는 단체인 JEDEC는 DDR5 표준을 2018년 적당한 시점에 확정할 계획이다. JEDEC에 따르면 DDR5랩은 현재 DDR4와 비교해 대역폭과 밀도가 두배에 달할 전망이다. 그러면서도 에너지 효율성은 향상될 것으로 전해졌다. 내년에 표준이 확정된다고 해서 당장에 DDR5 랩이 시장에 나오기는 쉽지 않아 보인다. 2020년전에는 제조사가 DDR5를 내놓을 준비를 하지 못할 것이란 이유에서다. DDR4 표준은 2012년 완료됐지만 시장에 나온 것은 2015년 이후였다. 프로세서와 SoC가 DDR5를 지원하는데 시간이 걸렸기 때문이다. /황치규 기자(delight@hellot.net)
삼성전자가 반도체 기술의 한계를 돌파하고, ‘10나노급 D램 시대’를 열었다. 삼성전자는 지난 2월부터 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다. 이번 제품에는 ‘초고집적 설계 기술’과 ‘사중 포토 노광 기술(Quadruple Patterning Technique ; 초고집적으로 셀을 만들기 위해 한번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술)’, ‘초균일 유전막 형성 기술’ 등 3가지 혁신 기술이 적용됐다. 이에 따라 차세대 극자외선(EUV) 노광장비 도입 없이도 10나노급 D램을 양산해 프리미엄 제품의 제조 경쟁력을 더욱 높였다. 초고집적 설계 기술은 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술로, 이를 통해 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다. 또한 10나노급(1x) 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작 속도가 30% 이상 빠른 3,200Mbps를 구현할 수 있고, 동작 상태에 따라 소
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