최신뉴스 ST, 1200V SiC 다이오드 제품군 출시

[첨단 헬로티] ST가 SiC(Silicon-Carbide) 기술의 스위칭 효율, 빠른 회복력, 일관된 온도 특성을 활용해 애플리케이션을 보다 폭넓게 구현할 수 있는 2A~40A의 1200V SiC JBS(Junction Barrier Schottky) 다이오드를 출시했다. ST에 따르면 SiC 다이오드 제조 공정은 높은 수준의 순방향 전압(최저 VF)을 갖춘 견고한 디바이스를 구현할 수 있다. 이에 따라 더 낮은 전류 정격의 다이오드를 이용해 높은 효율 및 신뢰성을 달성하고 결과적으로는 비용 절감의 효과를 누릴 수 있다. 태양광 인버터, 산업용 모터 드라이브, 가전, 전원 어댑터처럼 비용에 민감한 애플리케이션에서도 SiC 기술의 적용 가능성을 높일 수 있는 요소가 될 것이라고 회사측은 설명했다. ▲ST의 1200V SiC 다이오드 제품군 성능 중심의 애플리케이션도 ST 신제품을 사용하면 이러한 장점들을 확장할 수 있다. 낮은 순방향 전압 강하(VF)를 통해 제공되는 높은 효율 마진은 OBC(On-Board Battery Charger) 및 PHE/EV(Plug-In Hybrid or Electric Vehicles)용 충전소와 같은 자동차 장비에도 이점을

• 정가현 기자
• 2017-05-22 09:54